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NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品

  • 　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號(hào)為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無(wú)損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下
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Diodes推出新型MOSFET 半橋器件

  • 　　Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應(yīng)用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡(jiǎn)化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設(shè)計(jì)。 　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)梁后權(quán)指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對(duì)互補(bǔ)N型和P型MOSFET，可取代四個(gè)分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個(gè)SO8 互補(bǔ)MOSFET 封裝。對(duì)于現(xiàn)有不同類型的電機(jī)或其它感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置來(lái)說，這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積，同時(shí)大幅降低整體存貨成本。” 　　ZXM
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意法半導(dǎo)體推出采用SO8窄封裝的SPI串口EEPROM存儲(chǔ)器芯片

  •     意法半導(dǎo)體推出一款采用外殼寬度僅為150-mil (3.8mm)的微型SO8N封裝、支持SPI（串行外設(shè)接口）總線的1兆位串口EEPROM存儲(chǔ)器芯片— 目前市場(chǎng)上唯一的在如此小的封裝內(nèi)放進(jìn)如此高密度的SPI串口EEPROM存儲(chǔ)器。除窄封裝外，新產(chǎn)品M95M01還有一個(gè)SO8W寬封裝版。該產(chǎn)品是為參數(shù)快速變化的存儲(chǔ)應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的，例如：數(shù)字電視、DVD影碟機(jī)、游戲機(jī)以及醫(yī)療設(shè)備、工控機(jī)、汽車信息娛樂和計(jì)算機(jī)外設(shè)等。存儲(chǔ)密度從1千位一直到1兆位，ST的
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