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IBM和ARM正進(jìn)行小功率SOI芯片研究

  • 　　11月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。 　　由于受超薄氧化物層覆蓋，采用該種芯片的設(shè)備將提供更好的性能以及更低的能耗。參與此次合作研究的公式有ARM、法國(guó)半導(dǎo)體廠商Leti、比利時(shí)魯汶大學(xué)(the Université Catholique de Louvain) 、IBM、Globalfoundries、 法國(guó)Soitec。 　　SOI工業(yè)協(xié)會(huì)組
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