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貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
- 2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo?收購)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率,同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關(guān)DC/DC
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UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)為功率設(shè)計擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案,Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電(快速 DC 和工業(yè))和 IT/服務(wù)器電源應(yīng)用實現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強(qiáng)型封裝,為需求最大效率、低傳導(dǎo)損失和高性價比的高功耗應(yīng)用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下,第四
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UnitedSiC(現(xiàn)為 Qorvo)針對電源設(shè)計擴(kuò)展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合
- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET,借助此封裝選項,Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電(快速 DC 和工業(yè))以及IT/服務(wù)器電源等快速增長的應(yīng)用量身定制,能夠為在熱增強(qiáng)型封裝中實現(xiàn)更高效率、低傳導(dǎo)損耗和卓越成本效益的高功率應(yīng)用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on),其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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SiC FET的起源及其向著完美開關(guān)發(fā)展的歷程
- 使用寬帶隙半導(dǎo)體作為高頻開關(guān)為實現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個示例是,碳化硅開關(guān)可以實施為SiC MOSFET或以共源共柵結(jié)構(gòu)實施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發(fā)展,直至最新一代產(chǎn)品,并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。白皮書當(dāng)然,接近完美的電子開關(guān)已經(jīng)存在很長一段時間了,但是我們這里要談的不是機(jī)械開關(guān)。現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換依賴的是半導(dǎo)體開關(guān),它們最好在打開時沒有電阻,在關(guān)閉時電阻和耐受電壓無限大,并能在簡單驅(qū)動下以任意快的速度在開關(guān)狀態(tài)間切換且沒有瞬時功率損耗。在這個重視能源與成本
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有源前端整流器
- 介紹針對電動汽車充電器的最佳SiC功率拓?fù)浜驼{(diào)制決策的設(shè)計技巧,利用指導(dǎo)拓?fù)浜驼{(diào)制決策,有助于消除不可行選項,轉(zhuǎn)而關(guān)注那些可能表現(xiàn)良好的選項。▎引言 ▎電動汽車的蓄電池充電器需要在電網(wǎng)連接和蓄電池之間進(jìn)行電流隔離。因此,電動汽車充電器幾乎總是有兩個級:一個高電能質(zhì)量整流器,將AC轉(zhuǎn)換為DC;然后是DC-DC轉(zhuǎn)換器,利用高頻變壓器進(jìn)行電流隔離。SiC FET和二極管的高開關(guān)頻率可以滿足使用“舊的”和簡單的電路拓?fù)涞某潆娖饕?,而這種拓?fù)湓诠杌_關(guān)器件中是不切實際的。例如,用于單相整流的圖騰柱功率
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
- UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐,現(xiàn)以TO247-4L(采用開爾文連接)封裝提供,而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能,是不斷成長的電動車市場向著800V母線車載充電器(OBC)和直流轉(zhuǎn)換器邁進(jìn)過程中的理想選擇。與前幾代一樣,新FET也非常適合工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、光伏轉(zhuǎn)換
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UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET
- 2022年5月11日移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)系列。
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