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具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

  • 由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善
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低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

  • 新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計人員設(shè)計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品?！　”銛y式產(chǎn)品(如手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、
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下一代低VCEsat雙極晶體管

  • 　　近年來，中功率雙極晶體管在飽和電阻及功率選擇范圍方面的重大改進(jìn)，極大地拓寬了此類器件的應(yīng)用領(lǐng)域。恩智浦最新推出的SMD封裝型中功率晶體管BISS 4充分展示了雙極晶體管的技術(shù)優(yōu)勢，它在為開關(guān)應(yīng)用帶來大功率低損耗解決方案的同時，也創(chuàng)造了新的應(yīng)用領(lǐng)域。 　　
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管

  • 　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。 　　這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開關(guān)時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管
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恩智浦推出最新一代低VCEsat晶體管

  • 　　恩智浦半導(dǎo)體（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時低于60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便攜式電池供電產(chǎn)品（如筆記本電腦、PDA和數(shù)碼相機(jī)）的發(fā)熱量。先進(jìn)的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導(dǎo)通電阻的工業(yè)及汽車領(lǐng)域。 　　華碩公司研發(fā)處主任鄭慶福表示：“卓越的節(jié)能性能是華碩科技（ASUSTek）非常關(guān)注的一項重要性能，也是我們獲得世界首個筆記本電腦T
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