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如何選取SiC MOSFET的Vgs門(mén)極電壓及其影響

  • 在IGBT時(shí)代，門(mén)極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無(wú)非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門(mén)極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門(mén)極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。下文所述，主要以英飛凌工業(yè)1200V SiC MOSFET的M1H系列產(chǎn)品與應(yīng)用為參考，其他不同電壓等級(jí)或不同廠家的SiC產(chǎn)品，不盡相同。在SiC產(chǎn)品的規(guī)格書(shū)中，都會(huì)有SiC Vgs電壓范圍和推薦電壓區(qū)間(如圖1所示)，以供大家在實(shí)際應(yīng)用中參考。但是推薦非強(qiáng)制，
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