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基于CMOS工藝的數(shù)字步進(jìn)衰減器的設(shè)計(jì)

本文基于Peregrine(派更)半導(dǎo)體公司的單片數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA，Digital Step Attenuator)產(chǎn)品系列，闡述了DSA通用設(shè)計(jì)方法、RF CMOS工藝以及這些器件的性能。
關(guān)鍵字： CMOS 工藝步進(jìn) 數(shù)字

Icera 將收購(gòu)專(zhuān)注于射頻 CMOS 技術(shù)的 Sirific Wireless

　　英國(guó)布里斯托爾2008年4月7日電 /新華美通/ -- 軟件定義無(wú)線調(diào)制解調(diào)器芯片集領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者 Icera Inc. 今天宣布，該公司已經(jīng)與專(zhuān)注于先進(jìn) CMOS 射頻 (RF) 收發(fā)器的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司 Sirific Wireless 簽署了一項(xiàng)最終合并協(xié)議。這將使 Icera 能夠?yàn)橐苿?dòng)寬帶市場(chǎng)提供一套完善的芯片集解決方案。行業(yè)分析師預(yù)計(jì)到2012年移動(dòng)寬帶用戶將從目前的9000萬(wàn)增至13億。　　該交易顯著加快了 Icera 產(chǎn)品的上市，并增強(qiáng)了該公司在用于移
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超低成本手機(jī)的RF設(shè)計(jì)(06-100)

　　預(yù)計(jì)在末來(lái)幾年超低成本手機(jī)(ULCH)市場(chǎng)會(huì)迅速增長(zhǎng)。RF設(shè)計(jì)將是ULCH的關(guān)鍵。　　靈敏度是關(guān)鍵　　就系統(tǒng)而言，靈敏度是ULCH的1個(gè)關(guān)鍵參量，它直接涉及到收發(fā)器的性能。這是因?yàn)橄到y(tǒng)靈敏度直接影響所需的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)架構(gòu)的投資和實(shí)際用戶的感受?？梢允冀K如一地接收較小信號(hào)的手機(jī)將具有較好的語(yǔ)音清晰度和較少的通話破壞(如服務(wù)可達(dá)性問(wèn)題和失掉通話)。較好的靈敏度能改善給定蜂窩內(nèi)的手機(jī)有效范圍(包括蜂窩邊沿)并為衰減條件提供較好的抗擾度。ULCH市場(chǎng)的網(wǎng)絡(luò)經(jīng)營(yíng)商可以選擇在基站和相關(guān)基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)備中從最小的資
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開(kāi)關(guān)電容穩(wěn)壓器 (06-100)

　　當(dāng)今移動(dòng)電話產(chǎn)業(yè)日益增長(zhǎng)的趨勢(shì)是要減少對(duì)核處理器電壓供應(yīng)，同時(shí)要滿足達(dá)到更高效率以擴(kuò)展電池壽命的要求。越來(lái)越多應(yīng)用都要求降壓轉(zhuǎn)換，如應(yīng)用處理器、存儲(chǔ)器和RF塊設(shè)計(jì)都被列在其中。根據(jù)負(fù)載和空間參數(shù)，目前，用于這個(gè)應(yīng)用空間的兩個(gè)最流行的解決方案是開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和低壓降(LDO)穩(wěn)壓器。　　從效率的角度看，一個(gè)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器就是最佳的選擇。然而，當(dāng)部件高度和解決方案的尺寸限度超出了電感器的使用范圍時(shí)，一個(gè)轉(zhuǎn)換器可能會(huì)采用LDO(低壓降)或開(kāi)關(guān)電容穩(wěn)壓器的形式。多數(shù)時(shí)候電源解決方案都不能提供較多的板上空間，一個(gè)開(kāi)
關(guān)鍵字： NS 開(kāi)關(guān)電容穩(wěn)壓器 LDO

采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發(fā)器(06-100)

　　前言　　隨著通用移動(dòng)通信系統(tǒng)(UMTS)網(wǎng)絡(luò)在日本和歐洲實(shí)現(xiàn)商用，市場(chǎng)對(duì)多頻段寬帶碼分多址(W-CDMA)收發(fā)器芯片的要求更加苛刻——除了縮小芯片面積和主板占用空間、減少組件數(shù)量、降低材料成本外，還要求芯片具備足夠的靈活性，不僅要支持工作頻段I，還要支持其他多個(gè)頻段。考慮到UMTS的全雙工性質(zhì)，再加上支持所有頻段要求在面積更小的芯片上集成多個(gè)發(fā)射和接收通道，如何最大限度降低這些通道之間的串?dāng)_，就成為一個(gè)非常具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)。第一顆采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片直接
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小型無(wú)線視頻傳感器設(shè)計(jì)(06-100)

　　前言　　單片無(wú)線電技術(shù)的飛速發(fā)展，小型CMOS圖像傳感器和數(shù)字?jǐn)z像技術(shù)的改進(jìn)，造就了新一代無(wú)線圖像傳感器，即一種小型化(體積不足一立方寸)、自主的、高集成的成像器一種能高效，經(jīng)濟(jì)地感知環(huán)境，無(wú)線遙測(cè)圖像的傳感器。本文介紹的分布無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)用的成像器，可廣泛地應(yīng)用于視頻監(jiān)控，醫(yī)學(xué)與化學(xué)分析，貨物跟蹤以及倉(cāng)庫(kù)控制等領(lǐng)域。 ? 　　圖像傳感器　　市場(chǎng)上已有多種CCD與CMOS成像器和集成小型攝像機(jī)。雖然CCD有較高的信噪比，良好的圖像質(zhì)量，但CMOS有可能SoC集成，工作電流小，是一
關(guān)鍵字：傳感器 CMOS 無(wú)線

低功耗、高線性CMOS可編程放大器

摘? 要：針對(duì)接收機(jī)前端中可變?cè)鲆娣糯笃餍枰呔€性處理大信號(hào)的問(wèn)題。分析了使用源極退化電阻以及跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的放大器線性度；設(shè)計(jì)了使用改進(jìn)型跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的放大器。它具有更強(qiáng)的跨導(dǎo)增強(qiáng)能力，同時(shí)減小了輸入MOS管跨導(dǎo)由于漏源電壓變化產(chǎn)生的非線性失真。提出了一種對(duì)稱(chēng)的可變電阻結(jié)構(gòu)，它降低了MOS管開(kāi)關(guān)帶來(lái)的非線性。仿真結(jié)果表明，放大器在3．3V電源電壓下直流功耗為1．5mW。在1～lOMHz帶寬、3～24dB增益范圍內(nèi)，差分輸出信號(hào)峰峰值為3．3V時(shí)，總諧波失真低于-60dB。關(guān)鍵詞：可變?cè)鲆娣糯?/li>
關(guān)鍵字： CMOS 可編程放大器

CMOS功率放大器技術(shù)優(yōu)化單芯片手機(jī)方案設(shè)計(jì)

最近出現(xiàn)了一種有可能利用CMOS工藝制造PA的新技術(shù)，這樣，PA就可以被放在一個(gè)簡(jiǎn)單塑料封裝內(nèi)。
關(guān)鍵字：手機(jī) 方案設(shè)計(jì) 單芯片優(yōu)化功率放大器技術(shù) CMOS

CMOS兩級(jí)運(yùn)算放大器調(diào)零電路性能分析

　　引言　　運(yùn)算放大器的高速性能主要靠?jī)蓚€(gè)重要的參數(shù)來(lái)衡量，即大信號(hào)響應(yīng)時(shí)間和小信號(hào)響應(yīng)時(shí)間。大信號(hào)響應(yīng)時(shí)間由擺率決定，小信號(hào)響應(yīng)則由建立時(shí)間或單位增益帶寬來(lái)決定。提高運(yùn)放速度的方法有多種多樣[1][2][3]，折疊式運(yùn)算放大器有功耗較大，折疊點(diǎn)處寄生電容高等缺點(diǎn)[1]；采用套筒式運(yùn)放結(jié)構(gòu)，如果采用二階結(jié)構(gòu)，則會(huì)造成較大的功耗，采用一階結(jié)構(gòu)則會(huì)限制差分輸出擺幅[2]；反饋結(jié)構(gòu)放大器也存在問(wèn)題，一是匹配問(wèn)題不易實(shí)現(xiàn)，二是電路的輸出跨導(dǎo)受輸出信號(hào)的影響較大[3]。　　本文介紹的典型基本二級(jí)運(yùn)算放大器具
關(guān)鍵字： CMOS 運(yùn)算放大器

淺談低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）的PSRR和在USB電路中的應(yīng)用

　　引言　　便攜產(chǎn)品電源設(shè)計(jì)需要系統(tǒng)級(jí)思維，在開(kāi)發(fā)由電池供電的設(shè)備時(shí)，諸如手機(jī)、MP3、PDA、PMP、DSC等低功耗產(chǎn)品，如果電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)不合理，則會(huì)影響到整個(gè)系統(tǒng)的架構(gòu)、產(chǎn)品的特性組合、元件的選擇、軟件的設(shè)計(jì)和功率分配架構(gòu)等。同樣，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，也要從節(jié)省電池能量的角度出發(fā)多加考慮。例如現(xiàn)在便攜產(chǎn)品的處理器，一般都設(shè)有幾個(gè)不同的工作狀態(tài)，通過(guò)一系列不同的節(jié)能模式（空閑、睡眠、深度睡眠等）可減少對(duì)電池容量的消耗。即當(dāng)用戶的系統(tǒng)不需要最大處理能力時(shí)，處理器就會(huì)進(jìn)入電源消耗較少的低功耗模式。帶有使能控制
關(guān)鍵字： LDO PSRR USB電路

基于LVDS的SerDes芯片簡(jiǎn)化汽車(chē)應(yīng)用中的視頻互聯(lián)

　　近年來(lái)，隨著CMOS成像傳感器和Flash存儲(chǔ)器等產(chǎn)品價(jià)格的日益下降，對(duì)于成像和視頻技術(shù)感興趣的消費(fèi)者數(shù)量在不斷增加。在不久的將來(lái)，視頻將在汽車(chē)環(huán)境中的安全性應(yīng)用方面創(chuàng)造價(jià)值，目的在于使我們行駛的路面和駕駛的汽車(chē)都更加安全。　　豪華汽車(chē)中已經(jīng)出現(xiàn)防撞系統(tǒng)，可以借助環(huán)繞在汽車(chē)周?chē)亩嘟菙z像機(jī)，監(jiān)視預(yù)定范圍內(nèi)各種物體對(duì)車(chē)體的靠近情況。在惡劣的環(huán)境中，將這些遠(yuǎn)程攝像機(jī)與用于實(shí)時(shí)分析每個(gè)圖片的集中視頻處理器相連接，會(huì)產(chǎn)生非常實(shí)際的問(wèn)題，尤其是在各個(gè)攝像機(jī)可能生成16位或更高的視頻信息以及多個(gè)控制信號(hào)的情況
關(guān)鍵字： CMOS

SRC基于CMOS工藝的汽車(chē)?yán)走_(dá)硅芯片取得新進(jìn)展

????? 據(jù)報(bào)道，佛羅里達(dá)州大學(xué)以及半導(dǎo)體研究公司(SRC)在開(kāi)發(fā)基于CMOS工藝技術(shù)的汽車(chē)?yán)走_(dá)集成電路上以及取得進(jìn)展。 ????? 現(xiàn)有的雷達(dá)芯片由昂貴的材料制成，如砷化鎵(GaAs)以及磷化銦(InP)。據(jù)研究人員透露，用于制造汽車(chē)?yán)走_(dá)的電子電路價(jià)值幾百美元。 ????? 新型的基于硅片的雷達(dá)芯片可能只要10美元就能制造出來(lái)，據(jù)佛羅里達(dá)大學(xué)以及SR
關(guān)鍵字： CMOS 汽車(chē)?yán)走_(dá) 芯片

意法半導(dǎo)體通過(guò)CMP為科研機(jī)構(gòu)和設(shè)計(jì)公司提供45納米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體制造工藝

　　意法半導(dǎo)體和CMP (Circuits Multi Projects ?) 宣布，通過(guò)CMP提供的硅中介服務(wù)，大學(xué)、科研院所和公司可以使用意法半導(dǎo)體的45納米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)制造工藝進(jìn)行原型設(shè)計(jì)。這項(xiàng)消息在巴黎舉行的CMP用戶年會(huì)上發(fā)布，會(huì)中集結(jié)了采用CMP多項(xiàng)目晶片服務(wù)的大學(xué)院校、科研機(jī)構(gòu)或私營(yíng)企業(yè)的代表。通過(guò)CMP的服務(wù)，他們可以委托芯片廠商小批量制造幾十個(gè)到幾千個(gè)的先進(jìn)集成電路。　　45納米CMOS工藝的推出，是延續(xù)ST與CMP授權(quán)大學(xué)使用上一代65納米和90納米CM
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 CMP CMOS 200802

3G大門(mén)開(kāi)啟 IC廠商研發(fā)提速

　　編者按：2008年3G的覆蓋和推廣將上一層樓。在中國(guó)市場(chǎng)，中國(guó)移動(dòng)采購(gòu)了首批3G終端，這預(yù)示著中國(guó)將開(kāi)啟3G的大門(mén)。產(chǎn)業(yè)鏈上游相關(guān)IC公司也開(kāi)始加緊布局，在3G手機(jī)基帶、射頻和電源管理領(lǐng)域不斷推陳出新，來(lái)適合中國(guó)的市場(chǎng)應(yīng)用。　　鼎芯通訊(上海)有限公司總裁兼CEO陳凱　　增強(qiáng)CMOS和SoC技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力　　在3G研發(fā)方面，鼎芯去年的主要工作集中在兩個(gè)方面：一個(gè)是全面推動(dòng)原有射頻-模擬基帶芯片組CL4020/CL4520的產(chǎn)業(yè)化，包括嚴(yán)格的工業(yè)指標(biāo)和客戶驗(yàn)證;另外一個(gè)是進(jìn)一步的演進(jìn)，后續(xù)的產(chǎn)品
關(guān)鍵字： 3G IC CMOS

光電器件、傳感器迎來(lái)快速增長(zhǎng)期

　　光電器件、傳感器/激勵(lì)器(actuator)和分立器件(O-S-D)由于市場(chǎng)規(guī)模不大，容易受到市場(chǎng)忽視。但2006-2011期間，預(yù)計(jì)其年平均增長(zhǎng)率約10%，高于整體芯片市場(chǎng)9%的年均增售增長(zhǎng)預(yù)測(cè)。　　本世紀(jì)初期，手機(jī)和其它便攜式產(chǎn)品中顯示屏增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)，包括攝像頭手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)的CMOS圖像傳感器、用于鍵盤(pán)背光系統(tǒng)的高亮度白光LED、手機(jī)和其它便攜產(chǎn)品的彩色顯示屏等。多年來(lái)，光電器件和分立器件的市場(chǎng)規(guī)模幾乎相等。但是預(yù)計(jì)到這十年末，光電半導(dǎo)體銷(xiāo)售收入將拉開(kāi)與分立器件的距離。　　在目前半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中
關(guān)鍵字：光電器件傳感器 CMOS 傳感器