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Power Integrations推出汽車級(jí)200 V Qspeed二極管,可大幅增強(qiáng)音頻放大器的性能
- 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞,2019年9月10日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日宣布其200 V Qspeed?二極管 – LQ10N200CQ和LQ20N200CQ – 現(xiàn)已通過AEC-Q101汽車級(jí)認(rèn)證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術(shù),可在軟開關(guān)和低反向恢復(fù)電荷(Qrr)之間提供獨(dú)特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲,這對(duì)于車載音響系統(tǒng)特別重要。最新通過認(rèn)證的200 V二極管具有業(yè)界最低的反向恢復(fù)電荷
- 關(guān)鍵字: PI 200 V Qspeed二極管 音頻放大器
全球首款碳納米管通用計(jì)算芯片問世!RISC-V架構(gòu),5倍于摩爾定律,Nature連發(fā)三文推薦
- “Hello, World!I am RV16XNano, made from CNTs”.“你好,世界!我是 RV16XNano,由碳納米管制成。”這句話,出自MIT研究團(tuán)隊(duì)發(fā)明的16位碳納米管芯片執(zhí)行的程序。是的,你沒有看錯(cuò),他們用與硅相同的制作工藝,基于碳納米管做出了具有完整架構(gòu)的芯片,還與世界打了招呼。剛剛,Nature刊發(fā)了這一研究成果,并發(fā)表相應(yīng)的新聞、評(píng)論進(jìn)行重點(diǎn)推薦。碳納米管,被認(rèn)為是替代硅材料首選,而且比硅導(dǎo)電更快,效率更高。從理論上來說,效率達(dá)到硅的10倍,運(yùn)行速度為3倍,而僅僅只需要
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將ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用
- 簡(jiǎn)介絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開關(guān)頻率范圍:直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件,甚至是半橋器件,如為圖1所示設(shè)計(jì)選擇的。本應(yīng)用筆記所述設(shè)計(jì)中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件,采用Microsemi Corporation?專有的視場(chǎng)光闌IGBT技術(shù)。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達(dá)20 kHz的開關(guān)頻率,以及由于對(duì)稱設(shè)計(jì),具有低雜散電感的軟恢復(fù)并聯(lián)二極管
- 關(guān)鍵字: ADI ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器 Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊
印度第一顆CPU橫空出世:八大系列 軟件開發(fā)啟動(dòng)
- 我們忙著推進(jìn)國(guó)產(chǎn)芯片的同時(shí),隔壁的印度也沒閑著。作為印度頂級(jí)高校的印度理工學(xué)院(IIT)之馬德拉斯校區(qū)已經(jīng)發(fā)布了其首顆處理器“Shakti”(代表女性力量的印度神話人物)的SDK軟件開發(fā)包,并承諾會(huì)很快放出開發(fā)板。這樣,在處理器商用上市之前,開發(fā)者們已經(jīng)可以著手開發(fā)軟件了。印度Shakti處理器2016年啟動(dòng)開發(fā),基于開源的RISC-V指令集架構(gòu),得到了印度電子和信息技術(shù)部的大力支持。Shakti處理器首批就規(guī)劃了多達(dá)6個(gè)不同系列,各自針對(duì)不同的市場(chǎng),號(hào)稱在核心面積、性能、功耗方面相比當(dāng)前商用處理器都很有
- 關(guān)鍵字: CPU處理器,印度,RISC-V
RISC-V生態(tài)處于起步期,歡迎開發(fā)者使用、分享和完善
- 王瑩 《電子產(chǎn)品世界》 RISC-V以開放的指令集和學(xué)術(shù)化的設(shè)計(jì),正在吸引越來越多愿意嘗試新事物、面向未來設(shè)計(jì)的開發(fā)人員。不過,RISC-V在社區(qū)、生態(tài)和商業(yè)化方面還大有潛力可挖,以打造成像Linux社區(qū)一樣的大家共同去維護(hù)、服務(wù)和完善的生態(tài)系統(tǒng)?! ?019年5月,RISC-V基金會(huì)在中國(guó)五座城市開展RISC-V免費(fèi)入門活動(dòng)。在北京站,電子產(chǎn)品世界等媒體訪問了RISC-V基金會(huì)新任CEO(首席執(zhí)行官)Calista Redmond女士,請(qǐng)她介紹了RISC-V的生態(tài)和基金會(huì)的發(fā)展?fàn)顩r?! ? 中國(guó)及
- 關(guān)鍵字: 201906 RISC-V 生態(tài)
電動(dòng)自行車用鉛酸蓄電池SOC顯示電路設(shè)計(jì)
- 肖青,周秀珍 ?。ㄩL(zhǎng)江工程職業(yè)技術(shù)學(xué)院,湖北 武漢 430200) 摘要:鉛酸蓄電池作為目前電動(dòng)自行車動(dòng)力源,其充電過程中析氫現(xiàn)象是發(fā)生爆炸的原因之一。經(jīng)研究表明:鉛酸蓄電池充電過程中,其容量達(dá)到80%以上才發(fā)生析氫現(xiàn)象,可見監(jiān)控蓄電池容量是必要的。本文基于鉛酸蓄電池開路電壓SOC估算法,以12V 2AH鉛酸蓄電池作為研究對(duì)象,設(shè)計(jì)電動(dòng)自行車用鉛酸蓄電池SOC顯示電路,最終驗(yàn)證了其可行性。 關(guān)鍵詞:電動(dòng)自行車;12 V 2 AH 鉛酸蓄電池,SOC顯示電路 基金項(xiàng)目:湖北省教育廳科研計(jì)劃一般項(xiàng)目
- 關(guān)鍵字: 201906 電動(dòng)自行車 12 V 2 AH 鉛酸蓄電池 SOC顯示電路
RISC-V生態(tài)處于起步期,歡迎開發(fā)者采用、分享和完善
- ? ? ? RISC-V以開放的指令集和學(xué)術(shù)化的設(shè)計(jì),正在吸引越來越多愿意嘗試新事物、面向未來設(shè)計(jì)的開發(fā)人員。不過,RISC-V在社區(qū)、生態(tài)和商業(yè)化方面還大有潛力可挖,以打造成像Linux社區(qū)一樣的大家共同去維護(hù)、服務(wù)和發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)。? ? ? 2019年5月,RISC-V基金會(huì)在中國(guó)五座城市開展RISC-V免費(fèi)入門活動(dòng)。在北京站,電子產(chǎn)品世界等媒體訪問了RISC-V基金會(huì)新任CEO(首席執(zhí)行官)Calista Redmond女士,請(qǐng)她介紹了R
- 關(guān)鍵字: risc-v 開源
RISC-V基金會(huì)宣布在中國(guó)五座城市開展RISC-V免費(fèi)入門活動(dòng)
- 中國(guó)上?!?019年4月18日事項(xiàng):RISC-V基金會(huì)(The RISC-V Foundation)將在中國(guó)舉辦一系列為期一天的免費(fèi)RISC-V入門(Getting Started with RISC-V)活動(dòng)。時(shí)間和地點(diǎn):深圳:5月6日在深圳富苑皇冠假日酒店舉行成都:5月8日在成都天府麗都喜來登飯店舉行杭州:5月13日在上海外灘茂悅大酒店舉行上海:5月14日在阿里巴巴集團(tuán)企業(yè)園區(qū)舉行北京:5月16日在北京中關(guān)村皇冠假日酒店舉行詳細(xì)信息:RISC-V基金會(huì)將與Linux基金會(huì)合作,舉辦一系列為期一天的免費(fèi)
- 關(guān)鍵字: EDA RISC-V
Vishay推出新款FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
- 賓夕法尼亞、MALVERN—2019年4月17日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出六款新型FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器。Vishay 30 A和60 A整流器導(dǎo)通和開關(guān)損耗在同類器件中達(dá)到最佳水平,提高高頻逆變器和軟硬開關(guān)或諧振電路的效率。?日前發(fā)布的器件可與MOSFET或高速IGBT配合使用,專門用于提高PFC、EV/HEV 電池充電站輸出整流級(jí)、太陽能逆變器增壓級(jí)
- 關(guān)鍵字: Vishay Intertechnology FRED Pt?第5代 1200 V Hyperfast Ultrafast恢復(fù)整流器
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