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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

第二季PC DRAM合約價漲逾一成，全球DRAM營收季增16.9%

  • 　　集邦咨詢內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于客戶端已經(jīng)將庫存水位逐步往上提升，第二季供不應求狀況雖不至于像第一季度嚴重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內(nèi)存與服務器用內(nèi)存第二季價格上漲逾一成，行動式內(nèi)存則因中國品牌手機廠下修出貨數(shù)量，價格僅小幅上漲5%內(nèi)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察市場面，受惠于平均銷售單價的上揚與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進，大規(guī)模的擴張產(chǎn)能至今年年底仍未見，全球DRAM市場第二
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并購路不易走 中國芯片產(chǎn)業(yè)如何實現(xiàn)自主替代？

  • 在海外并購道路障礙重重的情況下，我們通過培養(yǎng)積蓄人才來為中國創(chuàng)“芯”積攢力量，向2020年實現(xiàn)芯片自給率40%、2025年自給率70%的目標前進，是更為有效地打破“缺芯”現(xiàn)狀實現(xiàn)自主替代的路徑。
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IC Insights:今年全球IC分類增長排行,DRAM達55%

  • 　　根據(jù)市場研究調(diào)查機構(gòu) IC Insights 的預估，2017 年全球 IC 市場可望成長約 16%。 其中，在DRAM將成長更將達 55%，將是 2017 年中成長幅度最大的 IC 產(chǎn)品。 　　 ? 　　IC Insights 表示，DRAM 市場 2013 年與 2014 年分別成長 32% 及 34%，也都是當年成長最大的 IC 產(chǎn)品領域。 統(tǒng)計過去 5 年，DRAM 市場經(jīng)常是成長最大，或者衰退最大的 IC 產(chǎn)品項目，顯示 DRAM 市場變化極端的特性。 不過，DRAM 市
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背靠聯(lián)電的技術(shù)，晉華存儲DRAM實力能否殺出重圍？

  • 　　在2016年7月16日，投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬片12吋內(nèi)存晶圓、年產(chǎn)值達12億美元的晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線一期項目開工儀式。 　　   　　據(jù)資料顯示，晉華存儲器集成電路生產(chǎn)項目由福建省電子信息集團和泉州、晉江兩級政府共同投建，總規(guī)劃面積594畝，預計于2018年9月達產(chǎn)。作為國家重點支持的DRAM存儲器生產(chǎn)項目，晉華項目已納入國家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃重大項目清單，并獲得首筆30億元國家專項建設基金支持。 　　此項目堪稱晉江所有重
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全球半導體2017年增速將達16%，其中10種產(chǎn)品增速可達兩位數(shù)

  • ,世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)將半導體分為33個大類。近日，市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights給出了這33類產(chǎn)品在2017年市場狀況的預期。 　　33種IC產(chǎn)品2017年增速排名(預計)如下圖所示。增速最快的是DRAM，這并不意外，2017年上半年DRAM價格異常出色，IC Insights預計2017年DRAM總銷售額同比增長55%，從而成為半導體細分市場增長率冠軍。問鼎增長率冠軍對DRAM市場而言并不是新鮮事，2013年和2014年DRAM同樣引領整個產(chǎn)業(yè)增長。在過去5年，DRAM要么是增長率
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三星計劃調(diào)整Q4Mobile DRAM合約價 漲幅約10%

  • 　　全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠，計劃調(diào)漲第4季行動式存儲器(Mobile DRAM)合約價，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，漲勢可望延續(xù)至今年第4季，南亞科和華邦電等同步受惠。 　　存儲器業(yè)者強調(diào)，DRAM從去年起漲，主要受惠資料中心的服務器用DRAM需求強勁，加上網(wǎng)通類產(chǎn)品的需求隨導入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構(gòu)，帶動DRAM需求增加，但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，使平均銷售單價居高不下，
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三大內(nèi)存罕見同時缺貨,三星DRAM再漲10%

  • 　　DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存，更寫下史上最長漲勢。 　　內(nèi)存業(yè)界表示，2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會排擠，很少看到兩大內(nèi)存同漲。 　　這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預期且價格上漲，主要來自數(shù)據(jù)中心、移動設備及計算機三大領域應用需求強，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮
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國內(nèi)存儲器市場分析 該如何走存儲器國產(chǎn)化道路？

  • 近年來，隨著移動通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能制造等領域的快速發(fā)展，存儲器產(chǎn)品的應用市場也隨之逐步開拓，市場需求越來越大。
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內(nèi)存價格暴漲一整年：徹底沒法買了

  • 內(nèi)存、固態(tài)盤這一年來不斷漲價，但究竟上漲到了什么程度呢?統(tǒng)計數(shù)據(jù)那是相當?shù)膰樔恕?/li>
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2017年全球IC市場規(guī)模年增16% 成長幅度創(chuàng)近年新高

  • 　　隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長，調(diào)研機構(gòu)IC Insights預估，2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%，創(chuàng)下自2010年增33%以來，最佳年增紀錄。亦為2000年以來，第5度IC市場規(guī)模年增幅度達到雙位數(shù)百分比。 　　2017年全球DRAM市場規(guī)模將會年增55%，NAND Flash年增35%。不過該機構(gòu)亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素，是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與N
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半導體行業(yè)競爭激烈 國內(nèi)半導體還需渡過哪些難關(guān)

  • 　　過去兩年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等應用的火熱發(fā)展，全球半導體產(chǎn)業(yè)迎來了新一輪熱潮。中國半導體制造設備也因此成為全球增速最快的市場，且下游需求良好，前景可期。 　　通盤來看，全球前十大半導體廠，有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。 　　國外對于中國半導體發(fā)展采取的措施 　　眾所周知，半導體行業(yè)的技術(shù)主要是來自于美日韓半導體廠商的，他們在半導體行業(yè)發(fā)展已有數(shù)十載，技術(shù)成熟，專利頗多，而對于中國近年內(nèi)半導體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施，
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DRAM 第三季度合約價持續(xù)攀高，七月漲幅約 4.6%

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示，DRAM價格從去年下半年起漲至2017年上半年，依然維持強勁上漲力道，今年第一季的PC DRAM合約均價來到24美元，漲幅逼近四成;第二季均價亦來到27美元，亦有超過一成的漲幅。7月PC DRAM合約價持續(xù)上揚約4.6%，預估下半年價格將會維持小幅上漲態(tài)勢。 　　旺季需求與七月華亞科氣體事件，DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，時序進入下半年，DRAM產(chǎn)業(yè)供需也進入傳統(tǒng)旺季，原本就呈現(xiàn)吃緊的DRAM市場更
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存儲器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？

  • 　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別。　　SRAM：靜態(tài)隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態(tài)隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND   

ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年

  • 　　IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。 　　 不過因為原廠紛紛提出擴產(chǎn)計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當高。   　　近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
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回顧美日DRAM芯片之爭

  • 盛極而衰是自然規(guī)律，商業(yè)領域也是這樣。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  東芝  
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ddr5 dram介紹

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