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DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定:比DDR4快兩倍!

  •   內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示,新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開(kāi)始,計(jì)劃明年定稿。   據(jù)悉,用于服務(wù)器和臺(tái)式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多,執(zhí)行效率也更高。   同時(shí),針對(duì)智能手機(jī)以及筆記本電腦等對(duì)續(xù)航有更高要求的設(shè)備,還會(huì)推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。   雖然看起來(lái)DDR5內(nèi)存非常值得期待,但分析師卻對(duì)其前景并不看好,反而認(rèn)為DDR內(nèi)存時(shí)代將在DDR4生命周期結(jié)束時(shí)謝幕。   分析師認(rèn)為,DDR5會(huì)首先被應(yīng)用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域,隨后才會(huì)逐漸向下普及。但
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DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定:比DDR4快兩倍!

  •   內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示,新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開(kāi)始,計(jì)劃明年定稿。   據(jù)悉,用于服務(wù)器和臺(tái)式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多,執(zhí)行效率也更高。   同時(shí),針對(duì)智能手機(jī)以及筆記本電腦等對(duì)續(xù)航有更高要求的設(shè)備,還會(huì)推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。   雖然看起來(lái)DDR5內(nèi)存非常值得期待,但分析師卻對(duì)其前景并不看好,反而認(rèn)為DDR內(nèi)存時(shí)代將在DDR4生命周期結(jié)束時(shí)謝幕。   分析師認(rèn)為,DDR5會(huì)首先被應(yīng)用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域,隨后才會(huì)逐漸向下普及。但
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IC Insights:存儲(chǔ)器市場(chǎng)前景好,DRAM、NAND報(bào)價(jià)調(diào)升兩倍

  •   DRAM、NAND 快閃存儲(chǔ)器價(jià)格漲不停,促使半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu) IC Insights 將今年全球芯片成長(zhǎng)預(yù)估調(diào)升兩倍。   IC Insights 最新預(yù)期 2017 年全球芯片產(chǎn)值將成長(zhǎng) 11%,兩倍高于原先估計(jì)的 5%。IC Insights 解釋原因?yàn)?DRAM、NAND 快閃存儲(chǔ)器展望明顯上修。   IC Insights 現(xiàn)在預(yù)期今年 DRAM 銷(xiāo)售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲(chǔ)器有望成長(zhǎng) 25%,隨著報(bào)價(jià)走揚(yáng),未來(lái)兩者都還有進(jìn)一步上修的可能。   IC Insights 指出
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2015年大陸貢獻(xiàn)全球IC需求29%,供給僅4%

  •   2013年,中國(guó)從海外進(jìn)口了2,330億美元的半導(dǎo)體,進(jìn)口金額首度超越石油,也促成了中國(guó)「半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要」的出現(xiàn),并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年,半導(dǎo)體的進(jìn)口金額維持2,307億美元的高檔,大約貢獻(xiàn)了全球29%的半導(dǎo)體需求量,但中國(guó)能自己供應(yīng)的比重僅有4%。   中國(guó)政府希望到2020年為止,能夠維持每年20%的成長(zhǎng)。 相較于海外的購(gòu)并工作不斷的受到干擾,中國(guó)顯然更積極于自建工廠的努力。 整體而言,我們可以用「自建工廠」,發(fā)展3D Flash,也同步發(fā)展材料設(shè)備業(yè)等幾個(gè)字
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車(chē)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)分析

  • 在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車(chē)技術(shù)日”上,ISSI技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理田步嚴(yán)介紹了車(chē)用存儲(chǔ)器市場(chǎng),包括:信息娛樂(lè)、ADAS、儀表總成、connectivity telematics四大類(lèi)。
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三星美光1xnm DRAM 接連出狀況,市場(chǎng)供貨吃緊仍沒(méi)改善

  •   自 2016 年中開(kāi)始,DRAM 內(nèi)存供貨不足,造成市場(chǎng)價(jià)格全面上漲的情況,如今又要多加一個(gè)變量。 那就是 DRAM 內(nèi)存的市場(chǎng)龍頭三星,在 2017 年 2 月中旬陸續(xù)召回部分序號(hào)的 18 奈米制程的內(nèi)存模塊,并且再重新出貨給客戶(hù)之后,仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。 而且,此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬(wàn)臺(tái)的不良率) 有大幅提升的狀況。 再加上,不僅是三星出現(xiàn)這樣的情況,連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內(nèi)存模塊都有類(lèi)似的情形發(fā)生,如此也為 2017 年
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紫光國(guó)芯第四代DRAM存儲(chǔ)器成功通過(guò)科技成果評(píng)價(jià)

  •   2017年3月22日,受工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所委托,北京中企慧聯(lián)科技發(fā)展中心在北京主持召開(kāi)由紫光國(guó)芯股份有限公司/西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司自主研發(fā)的“高性能第四代DRAM存儲(chǔ)器”科技成果評(píng)價(jià)會(huì)。   北京中企慧聯(lián)評(píng)價(jià)機(jī)構(gòu)嚴(yán)格按照《科技成果評(píng)價(jià)試點(diǎn)暫行辦法》的有關(guān)規(guī)定和要求,秉承客觀、公正、獨(dú)立的原則,聘請(qǐng)同行專(zhuān)家對(duì)該項(xiàng)科技成果進(jìn)行了評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)委員會(huì)聽(tīng)取了項(xiàng)目完成單位的技術(shù)總結(jié)報(bào)告,對(duì)評(píng)價(jià)資料進(jìn)行了審查,經(jīng)嚴(yán)格質(zhì)詢(xún)和充分討論形成了評(píng)價(jià)意見(jiàn)。    &nb
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韓國(guó)與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年?SK海力士提前應(yīng)對(duì)專(zhuān)利紛爭(zhēng)

  •   大陸存儲(chǔ)器正在迅猛發(fā)展,去年紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地引起全球關(guān)注,韓國(guó)業(yè)界對(duì)此評(píng)估稱(chēng),韓國(guó)與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出,為避免再度上演類(lèi)似過(guò)去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專(zhuān)利大戰(zhàn),SK海力士近期特意與專(zhuān)利分析團(tuán)隊(duì)中新成立大陸工作小組,以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專(zhuān)利法等相關(guān)法律。   據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)引述SK海力士?jī)?nèi)部消息稱(chēng),SK海力士的大陸專(zhuān)利分析小組將采取無(wú)固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專(zhuān)利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時(shí)還
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韓國(guó)與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年?SK海力士提前應(yīng)對(duì)專(zhuān)利紛爭(zhēng)

  •   大陸存儲(chǔ)器正在迅猛發(fā)展,去年紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地引起全球關(guān)注,韓國(guó)業(yè)界對(duì)此評(píng)估稱(chēng),韓國(guó)與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出,為避免再度上演類(lèi)似過(guò)去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專(zhuān)利大戰(zhàn),SK海力士近期特意與專(zhuān)利分析團(tuán)隊(duì)中新成立大陸工作小組,以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專(zhuān)利法等相關(guān)法律。   據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)引述SK海力士?jī)?nèi)部消息稱(chēng),SK海力士的大陸專(zhuān)利分析小組將采取無(wú)固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專(zhuān)利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時(shí)還
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Micron宣布在臺(tái)成立DRAM卓越制造中心

  •   Micron 宣布于本月14日成功標(biāo)得達(dá)鴻先進(jìn)科技的拍賣(mài)資產(chǎn),并將以此建立Micron在臺(tái)之后段生產(chǎn)基地。Micron現(xiàn)已取得這新生產(chǎn)基地之所有權(quán)。   經(jīng)由此收購(gòu)案, Micron取得與其臺(tái)中廠相鄰的無(wú)塵室和設(shè)備,并將使Micron 的晶圓制造與后段封測(cè)得以集中于同一據(jù)點(diǎn),并專(zhuān)注于建立集中式的后段封測(cè)營(yíng)運(yùn)。   全球制造副總裁Wayne Allan指出:“此舉為Micron在臺(tái)建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測(cè)結(jié)合在同一地點(diǎn),構(gòu)建一個(gè)完整連貫的高效制造支援組織,
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DRAM與NAND差別這么大,存儲(chǔ)之爭(zhēng)都爭(zhēng)啥?

  •   什么是DRAM?  DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))  工作原理  動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列地址引腳復(fù)用來(lái)組成的?! ?nbsp; 
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DRAM邁入3D時(shí)代!

  • 平面DRAM最重要也最艱難的挑戰(zhàn),是儲(chǔ)存電容的高深寬比,為了要延長(zhǎng)DRAM這種內(nèi)存的壽命,在短時(shí)間內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。
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內(nèi)存霸主三星擴(kuò)產(chǎn) 恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇

  •   全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,業(yè)界認(rèn)為,由于建廠時(shí)間還要兩年,難解今年缺貨窘境,不過(guò)受心理層面影響,恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇。   三星決定斥資87億美元,擴(kuò)充南韓華城廠DRAM產(chǎn)能。 三星表示,新產(chǎn)線約需兩年時(shí)間建造,將視研發(fā)進(jìn)度和制程轉(zhuǎn)換良率,決定生產(chǎn)18nm或更先進(jìn)制程的DRAM。   對(duì)于今年DRAM供需,稍早包括南亞科總經(jīng)理李培瑛、創(chuàng)見(jiàn)董事長(zhǎng)束崇萬(wàn),及威剛董事長(zhǎng)長(zhǎng)陳立白都表示,今年DRAM因主要供應(yīng)大廠將產(chǎn)能挪移生產(chǎn)儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash),且只做DRAM
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楊士寧:為何長(zhǎng)江存儲(chǔ)決定跨入存儲(chǔ)領(lǐng)域?

  •   長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行長(zhǎng)楊士寧點(diǎn)出,為何長(zhǎng)江決定跨入存儲(chǔ)領(lǐng)域?他表示,半導(dǎo)體組件可分為四大塊領(lǐng)域:首要運(yùn)算CPU、存儲(chǔ)、通訊及第四部分涵蓋了物聯(lián)網(wǎng)(IoT)感測(cè)器、模擬IC等較為分散的領(lǐng)域。然CPU領(lǐng)域行業(yè)生態(tài)較為復(fù)雜、通訊芯片領(lǐng)域也已經(jīng)形成fabless+foundry穩(wěn)固態(tài)勢(shì),大舉跨入存儲(chǔ)這一領(lǐng)域仍是大有可為的。楊士寧精準(zhǔn)點(diǎn)出了大陸發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考。分析指出,大陸當(dāng)下大力發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)是正確的。   楊士寧分析,從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)分類(lèi)來(lái)看,目前DRAM和NAND閃存儲(chǔ)存的總產(chǎn)值占全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的95%
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打造臺(tái)灣DRAM中心 美光27億買(mǎi)下達(dá)鴻廠房

  •   美光昨(14)日以新臺(tái)幣27.52億元標(biāo)下TPK-KY宸鴻轉(zhuǎn)投資公司達(dá)鴻臺(tái)中廠房。美光表示,標(biāo)下的臺(tái)中廠房未來(lái)將用于DRAM先進(jìn)封測(cè)技術(shù)發(fā)展,與美光中科及華亞科廠房進(jìn)行資源整合,打造中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)DRAM中心。   達(dá)鴻位在中科后里園區(qū)廠房及設(shè)備昨由臺(tái)中法院委外法拍,最后由美光以新臺(tái)幣27.52億元得標(biāo),廠房占地約4公頃,土地面積約20,729坪。達(dá)鴻于2015年11月5日向臺(tái)中地方法院聲請(qǐng)重整及緊急處分,并于隔年7月22日宣告破產(chǎn),此后臺(tái)中法院隨即進(jìn)行強(qiáng)制拍賣(mài)廠房及設(shè)備的流程作業(yè)。   達(dá)鴻為F-
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ddr5 dram介紹

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