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三星DRAM報價下調(diào)20% 華亞科/南亞科下季營收不樂觀
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報價,調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期,DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預(yù)期。 繼臺積電前天無預(yù)警下修第四季財測,市場消息傳出,全球DRAM市占率達四成的三星,將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元,換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。 8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右,并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進高階智慧型手機使用的LP DDR4。 隨今年以來DRAM價格持續(xù)走低,市場需
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DRAM報價 傳出三星調(diào)降20%
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報價,調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期,國內(nèi)DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預(yù)期。 繼臺積電前天無預(yù)警下修第四季財測,市場消息傳出,全球DRAM市占率達四成的三星,將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元,換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。 8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右,并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進高階智慧型手機使用的LP DDR4。 隨今年以來DRAM價格持續(xù)走低,市
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PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲器比較
- PROM、EEPROM、FLASH的總結(jié)性區(qū)別 EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中,充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成,由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu),所以可以單元讀/寫。技術(shù)上,F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPRO
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18吋晶圓技術(shù)成本過高 12吋將續(xù)為業(yè)者主力
- 雖然較大尺寸晶圓的生產(chǎn)材料和技術(shù)成本高于小尺寸晶圓,但由于較大晶圓可以切割出更多的芯片,因此經(jīng)驗顯示,就每單位芯片成本而言,大尺寸晶圓技術(shù)至少會比小尺寸晶圓降低20%。 然而在實務(wù)上,要采用大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù),業(yè)者必須要先行投入大筆經(jīng)費。因此在資金和技術(shù)的障礙下,各業(yè)者往往會采用將現(xiàn)有技術(shù)進行效率最大化的方式進行生產(chǎn),而不是對新開發(fā)的大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)進行投資。 以最新18吋(450mm)晶圓生產(chǎn)技術(shù)的采用為例,就正處于這樣一種狀況下。根據(jù)調(diào)研機構(gòu)ICInsights最新公布的2015~2
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大陸景氣低迷 韓國存儲器廠前景恐難卜
- 雖然大陸景氣疲軟,2015年韓國存儲器廠的業(yè)績展望相對明朗。然大陸智能型手機需求縮減,2016年移動DRAM價格可能下滑,2016年前景反而不透明。 據(jù)ET News報導(dǎo),全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績可能會與當(dāng)初預(yù)期相近,或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮,但對下半年暫時不會有太大影響。 三星下半年IT及移動裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績可能下滑,但半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲器和系統(tǒng)晶
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海力士擴產(chǎn) DRAM不妙
- 全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布,規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元),在南韓興建兩座新廠,預(yù)計2024年前竣工。近期DRAM價格好不容易出現(xiàn)止跌訊號,市場憂心,SK海力士大舉擴產(chǎn),長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。 外電指出,投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資,因為大規(guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩,或引爆價格戰(zhàn),這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 受市場憂心SK海力士大舉擴產(chǎn)影響,南亞科昨天股價在臺股大漲逾265點下
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研調(diào):DRAM價未來幾季續(xù)跌
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,DRAM市場第2季受到合約均價大幅衰退約10%的影響,雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增長,總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退,來到114億美金。在淡季影響下,各DRAM廠營收都呈現(xiàn)衰退走勢,然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進,毛利并未大幅縮減,三星、SK海力士與美光的DRAM產(chǎn)品別營業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%,因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗將會落在未來的幾個季度。在需求端如筆電與智慧型手機領(lǐng)域持續(xù)疲弱,但供給端來自20nm/21nm的比例將持續(xù)提升,該機構(gòu)
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第二季DRAM位元產(chǎn)出量增、產(chǎn)值衰退
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,DRAM市場在 2015年第二季受到合約均價大幅衰退約10%的影響,雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增加,總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退,來到114億美元。 在淡季影響下,各DRAM廠第二季營收都呈現(xiàn)衰退走勢,然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進,毛利并未大幅縮減,三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的DRAM產(chǎn)品別營業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%,因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗將會落在未來的幾季;在需求端如筆電與智慧型
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三星降低DRAM產(chǎn)量 為滿足蘋果新iPhone的內(nèi)存需求
- 猶如國內(nèi)股市,今年內(nèi)存持續(xù)降價,已經(jīng)降回多年前的低位。但現(xiàn)在壞消息來了,世界上最大的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)商三星宣布將降低DRAM顆粒的生產(chǎn)量,下個月可能會引起內(nèi)存的價格反彈。 據(jù)臺媒CTIMES News報道,三星將降低30%的普通DRAM顆粒產(chǎn)量,以騰出生產(chǎn)線用于生產(chǎn)手機用的LPDDR內(nèi)存顆粒,預(yù)計在8月到9月,普通內(nèi)存的價格將會提高。 傳聞蘋果的新一代iPhone將搭載2GB LPDDR4內(nèi)存,這意味著蘋果需要采購比去年更多的內(nèi)存顆粒,而現(xiàn)有的供應(yīng)商海力士和鎂光無法
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DRAM價差縮 研調(diào):DDR4年底變主流
- 據(jù)記憶體市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange最新報告顯示,第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫,在需求端拉貨力道不振下,即便原廠力守價格,代理商對市場信心依然持續(xù)減弱,并出現(xiàn)降價求售,使整體市場價格出現(xiàn)明顯松動。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示,由于PC端需求依舊疲軟,標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價幅度持續(xù)擴張,也使得伺服器用記憶體價格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價沖擊,DDR3價格下殺幅度趨明顯,7月底 8GB/16GB均價來到64與116美元,月跌幅達5~6%;而DDR4 R-DIMM
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三星輝煌已成過去 為保留市場份額苦苦爭斗
- 憑借著Galaxy系列智能手機在市場中的巨大成功,三星電子過去四年通過與蘋果爭奪高端智能手機市場收獲了數(shù)十億美元。不過這家韓國科技巨頭的前景并不樂觀,因為為了在中低端市場抵御來自小米、華為等中國智能手機制造商發(fā)起的沖擊,該公司已被迫下調(diào)產(chǎn)品價格,并接受降低手機部門利潤率的現(xiàn)實。 三星電子當(dāng)前所面臨的現(xiàn)實,是這家公司無法擺脫與低成本競爭對手共同采用Android操作系統(tǒng)的窘境,而后者已能夠自主開發(fā)出功能更多的智能手機。Stratechery.com分析師本·湯普森(Ben Thomp
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DRAM價差縮 研調(diào):DDR4年底變主流
- 據(jù)記憶體市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange最新報告顯示,第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫,在需求端拉貨力道不振下,即便原廠力守價格,代理商對市場信心依然持續(xù)減弱,并出現(xiàn)降價求售,使整體市場價格出現(xiàn)明顯松動。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示,由于PC端需求依舊疲軟,標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價幅度持續(xù)擴張,也使得伺服器用記憶體價格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價沖擊,DDR3價格下殺幅度趨明顯,7月底 8GB/16GB均價來到64與116美元,月跌幅達5~6%;而DDR4 R-DIMM
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三星減產(chǎn)三成 標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價回溫
- 市場傳出,DRAM龍頭三星半導(dǎo)體計劃減產(chǎn)三成標(biāo)準(zhǔn)型DRAM,產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)行動式記憶體(Mobile DRAM),以因應(yīng)蘋果新機出貨,同時通知OEM廠8月起不再調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型DRAM售價。法人預(yù)期,盤跌近七個月的DRAM價格可望止跌回升,華亞科、南亞科及華邦電等DRAM族群營運可望再起。 蘋果供應(yīng)鏈透露,蘋果新款iPhone 6s與6s Plus,將搭載A9 升級版處理器與2GB LPDDR4 Mobile DRAM,搭載記憶體由1GB升級到2GB,容量倍增,原有供應(yīng)商美光和SK海力士無法滿足供貨,因
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全球新式存儲器大戰(zhàn) 臺控制芯片廠不缺席
- 美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術(shù)3D XPoint,可取代既有DRAM和NAND Flash芯片,業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD),臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計劃,成為首家控制芯片供應(yīng)商,2016年搶先導(dǎo)入SSD。不過,相關(guān)消息仍待慧榮正式對外宣布。 存儲器業(yè)者表示,包括美光和英特爾的IM Flash陣營對于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊,業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新
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ddr5 dram介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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