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從過去到未來

  • 如果你認為過去的歸過去，未來的歸未來，那么你就錯了，因為沒有過去就不會有現(xiàn)在，沒有現(xiàn)在當然就不會有未來。然而過去、現(xiàn)在、未來之間是如何相互依存的呢？從某方面來說這是神秘難以解答的一件事，但簡單來講就是靠記憶的作用，過去雖然不存在了，卻可以回想，未來雖然還沒有決定，現(xiàn)在卻可以一步步去計劃、設想與實踐
  • 關鍵字： NVM  SRAM  DRAM  

DRAM十月價格持續(xù)下跌；ETT現(xiàn)貨價急漲12%

  • 　　上周(10/15-10/22)現(xiàn)貨市場eTT顆粒呈現(xiàn)近幾周少見的急漲局面，DDR2512MbeTT價格收在1.17美元，漲幅約11.9%;相較之下，品牌顆粒仍呈現(xiàn)平穩(wěn)走勢，上漲至1.37美元，幅度為1.4%。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)分析指出，上周DDR2eTT的強勁漲勢，是因為eTT主要的供貨商進行70nm轉進，供給量減少，部份買主逢低買進拉抬買氣，進而帶動價格上揚，因此這波價格上揚主要是短期市場操作結果，而非市場終端需求帶動;此外，這波投機性買盤主要集中在DDR2eTT的顆粒，并沒有
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  集邦  DRAM  ETT  MCU和嵌入式微處理器  

DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清

  • 　　現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后，暫時止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場方面，由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足，上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況，價格持續(xù)小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。 　　十月份合約市場相當清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認為，倘若預期十一
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DDR2  DRAM  NAND  MCU和嵌入式微處理器  

1美元失守！臺DRAM廠難逃虧損百億

  •       全球DRAM現(xiàn)貨價16日正式跌破1美元重要心理關卡，以目前現(xiàn)貨報價及DRAM廠每月產(chǎn)能狀況推估，臺DRAM廠力晶、茂德及南科3雄每月合計將蒙受約1億美元損失，且未來虧損數(shù)字恐持續(xù)擴大，若2007年底前DRAM現(xiàn)貨價無法翻揚，初步估計臺DRAM3雄從現(xiàn)在起到2007年底前總共將虧掉新臺幣100億元以上，其中，以力晶處境最為不利。           
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  1美元  MCU和嵌入式微處理器  

今年全球半導體大型設備開支將達437億美元

  • 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱，全球半導體大型設備開支增長速度正在減緩，這種低迷的狀況預計將持續(xù)到2008年第一季度。2007年全球半導體大型設備開支總額將達到437億美元，比2006年增長4.1%。2008年全球半導體大型設備開始預計將比2007年增長0.3%。  Gartner分析師稱，2007年全球半導體大型設備開支的增長將影響到2008年的增長。2008年半導體大型設備的開支將勉強實現(xiàn)正增長，晶圓加工設備的開支將出現(xiàn)小幅度的負增長。后端設備市場的前景仍是正增長。 Gar
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  半導體  晶圓加工  DRAM  

索尼與奇夢達組建合資公司 開發(fā)DRAM儲存芯片

  • 地時間本周二，日本索尼和德國芯片制造商奇夢達宣布，它們計劃建立一個芯片設計合資機構，開發(fā)消費電子和游戲機使用的DRAM儲存芯片。  兩公司在一份聯(lián)合聲明中稱，新的合資機構稱為 Qreatic Design，計劃在今年年前在東京成立，在由雙方30名專家組成的芯片設計合資公司中，兩公司將各自擁有50%的股份。合資公司主要開發(fā)高性能、低能量消耗、嵌入式的、明確用于消費電子產(chǎn)品的DRAM芯片。  奇夢達是全球最大的DRAM儲存芯片制造商之一，盡管索尼內(nèi)部擁有它自己的芯片設計
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  索尼  奇夢達  DRAM  存儲器  

集邦：9月下旬DRAM合約價格預計下滑10%

  • DRAM現(xiàn)貨市場需求不佳，整體報價呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達7.8%，價格下跌至1.54美元。其余顆粒報價皆呈現(xiàn)微幅下跌，DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來由于市場需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度，使得價格持續(xù)緩跌。然而當DDR2eTT價格跌破5月低點后，部分分銷商及模塊廠開始備貨，使得現(xiàn)貨價格出現(xiàn)反彈，間接帶動了些許買氣。而合約市場方面，由于現(xiàn)貨價格快速下跌，加上PCOEM廠商已經(jīng)備足旺季所需的庫存水位，因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動作。
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  DDR  DDR2  MCU和嵌入式微處理器  

DRAM價格跌至新低 分析師稱還可能進一步下滑

  • 據(jù)國外媒體報道，所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競爭使得內(nèi)存價格猛跌，行業(yè)分析師預測，DRAM價格還將進一步下降。  使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價格已比兩周前下跌了12.5%，周二時跌至1.75美元，創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運營一家對內(nèi)存芯片進行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。  這條重大新聞將對用戶產(chǎn)生三個重大影響：第一，DRAM價格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  DDR  DDR2  存儲器  

ST推出最新的DRAM內(nèi)存模塊標準專用溫度傳感器

  • 高性能模擬器件和混合信號產(chǎn)品的主導廠商之一的意法半導體（紐約證券交易所：STM)今天推出兩款高精度專用數(shù)字溫度傳感器芯片，新產(chǎn)品完全符合個人計算機雙列直插內(nèi)存模塊（DIMM）的溫度監(jiān)測標準JEDEC JC42.4的規(guī)定。 計算機等系統(tǒng)內(nèi)的雙速率DDR2和DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度比上一代標準更快，但是內(nèi)存過熱的風險也隨之增加。溫度傳感器可以監(jiān)視內(nèi)存溫度，為中央處理器調(diào)整數(shù)據(jù)流量和采取防過熱措施提供依據(jù)，因此溫度傳感器在系統(tǒng)設計中變得更為重要。 STTS424是一個獨立使用的數(shù)字溫度傳感器芯片，而STTS
  • 關鍵字： 測試  測量  ST  DRAM  溫度傳感器  測試測量  

DRAM市場重現(xiàn)謹慎樂觀氣氛 下半年將出現(xiàn)反彈

  • 2001年DRAM市場價格崩潰以來，經(jīng)歷了市場惡化最嚴重的半年后，2007年下半年DRAM市場開始重現(xiàn)謹慎樂觀氣氛，預計2007年下半年銷售價格將一路走高。下半年的樂觀因素包括返校帶來的銷售高峰，以及季節(jié)性假日需求來臨，其它具體原因還包括：2007年PC出貨量預計增長12%，內(nèi)存平均容量為1.4GB，比2006年的平均800MB內(nèi)存增長75%。2007年第2季度，預計每臺電腦平均內(nèi)存容量為1.3GB，2007年第3季度預計達到1.4GB，2007年第4季度發(fā)展到1.6GB。一些DRAM供應商相信，到200
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  嵌入式  

DRAM和NAND閃存價格上漲幅度開始回落

  • 閃存的合約價格在7月下半月繼續(xù)上漲，不過目前漲勢已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預計第三季度價格將輕微上漲，同時出貨量也大幅提升了。同時，NAND目前價格也呈現(xiàn)上升趨勢，這主要得益于閃存應用范圍的不斷拓展。  　　DRAM報價一片漲聲 　　根據(jù)內(nèi)存交易機構DRAMeXchange（集邦電子）的數(shù)據(jù)，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上，不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。 　　DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
  • 關鍵字： NAND  DRAM  閃存  

NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來最糟糕的”

  • 根據(jù)iSuppli公司的正式消息，NAND閃存供應商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來最惡劣的，并且這種狀況可能進一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地，供應商們就不會抱怨NAND閃存業(yè)務的定價和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價有望下降35%到40%。這種戲劇性的價格下滑意味著NAND閃存業(yè)務作為一個整體將在今年第一季度遭遇運營損失，該市場有史以來第一次發(fā)生這樣的事情。 經(jīng)濟學101法則 需求對降價呈現(xiàn)彈性的響應，市況惡劣的主要原因在于NAND供
  • 關鍵字： NAND  閃存  存儲  DRAM  

記憶科技、勤茂DRAM模塊市場銷量迅猛增長

  • 2006年DRAM模塊市場的亮點是內(nèi)存供應商記憶科技（Ramaxel Technology Ltd）和勤茂科技（TwinMOS Technologies Inc.）產(chǎn)品銷量迅猛增長，增長率分別達到85%和127%。 中國的記憶科技公司不僅是給全球排名第四的PC制造商聯(lián)想直接供貨的OEM，而且是PC制造業(yè)龍頭惠普公司的模塊供應商。其營收和出貨量增長均與HP市場份額的上升保持一致。 臺灣勤茂的增長受益于它和中國模塊分銷商的合作，它們讓其享受到中國經(jīng)濟高速增長推動PC組裝
  • 關鍵字： DRAM  存儲  

DRAM現(xiàn)貨市場價格下跌 廠商釋出庫存

  • 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)所發(fā)表的最新內(nèi)存市場報告指出，上周DRAM現(xiàn)貨報價受到三星停電事件影響而短暫走高，但后續(xù)追價力道不強，使得部份庫存較多的分銷商反手殺出手中的庫存。集邦表示，DDR2 eTT報價在上周五(10號)再度跌破2美元關卡到1.93美元。 集邦表示，時序進入傳統(tǒng)PC銷售旺季，但DRAM現(xiàn)貨市場終端需求始終沒有明顯放大，尤其往年七月份是中國大陸地區(qū)的銷售旺季，但如今需求也顯得十分冷清。盡管現(xiàn)貨市場需求已較上個月回溫，但仍不足以刺激現(xiàn)貨市場價格。 至于合約市場部分，八月
  • 關鍵字： 消費電子  DRAM  價格下跌  消費電子  

海力士半導體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi存儲技術授權

  • 海力士已經(jīng)同意在其動態(tài)隨機存儲器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元，來替代多個晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀70年代初發(fā)明DRAM來，基本DRAM位單元實現(xiàn)了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場的機會。為確保這項優(yōu)勢，兩家公司已經(jīng)投入相當大的工程資源共同開發(fā)該項目。      Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內(nèi)存技術而應用于邏輯芯片，如移動芯片組、微處
  • 關鍵字： 消費電子  海力士  DRAM  ISi  消費電子  
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dram 介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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