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新型存儲的機會來了？格芯22nm工藝量產(chǎn)eMRAM

  • 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產(chǎn)。eMRAM屬新型存儲技術(shù)，與當(dāng)前占據(jù)市場主流的DRAM和NAND閃存相比，具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM的潛質(zhì)。它在22nm工藝下的投產(chǎn)，將加快新型存儲技術(shù)的應(yīng)用進程，未來發(fā)展前景看好。
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格芯推出基于22FDX平臺且可批量生產(chǎn)的eMRAM

  • 格芯近日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產(chǎn)。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產(chǎn)流片。此次公告是一個重要的行業(yè)里程碑，表明eMRAM可在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應(yīng)用中作為先進工藝節(jié)點的高性價比選擇。
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eMRAM：晶圓代工產(chǎn)業(yè)的另一個競爭維度

  • 　　甫于5/24-25舉行的Samsung Foundry Forum Event發(fā)布的諸多technology roadmap中有一個乍看下不怎么起眼的消息：三星的28nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)制程有RF (射頻)與eMRAM (嵌入式磁性隨機存取存儲器)的選項，其中eMRAM的風(fēng)險生產(chǎn)(risk production)為2018年;而18nm的FD-SOI制程風(fēng)險生產(chǎn)將始于2020年，也有RF與eMRAM的選項。 　　之前于3月于
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