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X-Fab將收購(gòu)法國(guó)Altis資產(chǎn)

  • 　　模擬、混合訊號(hào)晶圓代工廠X-Fab集團(tuán)于9月30日宣布，將收購(gòu)日前已進(jìn)入破產(chǎn)程序的法國(guó)專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進(jìn)入破產(chǎn)程序。實(shí)際收購(gòu)價(jià)格方面，X-Fab未進(jìn)一步對(duì)外透露。 　　根據(jù)EETimes等外媒報(bào)導(dǎo)，Altis Semiconductor前身為美國(guó)IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購(gòu)Altis Semicondu
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Molex 推出新款薄型 Lite-Trap SMT 線對(duì)板連接器系統(tǒng)

  • 　　Molex 公司推出新型 Lite-Trapä SMT (表面貼裝技術(shù)) 線對(duì)板連接器系統(tǒng)，具有小巧的外觀尺寸，滿足纖薄型 LED 照明模塊的應(yīng)用要求。該按鈕式連接器的高度僅為 4.20mm，與可拆卸電線式的連接器相比，是當(dāng)今市場(chǎng)上外形最小巧的連接器之一并可實(shí)現(xiàn)最低的電線插入力。 　　Molex 產(chǎn)品經(jīng)理 J.B. Jin 評(píng)論說(shuō)：“Molex 致力于創(chuàng)新，通過(guò)設(shè)計(jì)出可以在電路板上降低組件高度的連接器系統(tǒng)，良好滿足 LED 照明制造商的要求，從而實(shí)現(xiàn)更薄的設(shè)計(jì)，并減輕陰影或與光
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全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng)

  • 　　全球Fab前道設(shè)備支出額預(yù)計(jì)在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng)，至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設(shè)備預(yù)報(bào)》。該預(yù)報(bào)還指出，2013年全球fab廠設(shè)備支出增長(zhǎng)點(diǎn)在于技術(shù)節(jié)點(diǎn)的更新，同時(shí)FAB廠建方面的支出會(huì)增加6.7%且主要集中在中國(guó)。該預(yù)報(bào)參考了2013年超過(guò)180家機(jī)構(gòu)的設(shè)備支出。
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全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng)

  • 　　全球Fab前道設(shè)備支出額預(yù)計(jì)在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng)，至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設(shè)備預(yù)報(bào)》。該預(yù)報(bào)還指出，2013年全球fab廠設(shè)備支出增長(zhǎng)點(diǎn)在于技術(shù)節(jié)點(diǎn)的更新，同時(shí)FAB廠建方面的支出會(huì)增加6.7%且主要集中在中國(guó)。該預(yù)報(bào)參考了2013年超過(guò)180家機(jī)構(gòu)的設(shè)備支出。
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X-FAB發(fā)表XT018獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對(duì)抗電磁干擾的卓越性。
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X-FAB持續(xù)擴(kuò)張MEMS晶圓代工業(yè)務(wù)

  • 　　X-FAB Silicon Foundries 宣布，已經(jīng)增加在總部位于德國(guó)的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股，從25.5%提高到51%，成為后者的最大股東，并將MFI重新命名為X-FAB伊策霍微機(jī)電系統(tǒng)晶圓廠(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。 　　上述動(dòng)向反映了X-FAB對(duì)MEMS制造服務(wù)與技術(shù)的重視。伊策霍(Itzehoe)廠補(bǔ)強(qiáng)了X-FAB 微機(jī)電系統(tǒng)晶圓廠最近在艾爾福特宣布的MEMS功能與資源，增添微感測(cè)器、致動(dòng)器、微光學(xué)結(jié)構(gòu)與
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X-FAB收購(gòu)MFI大部分股份

  • 　　X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國(guó)MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份，從25.5%提高到51%，成為其大股東，同時(shí)將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。 　　此舉表明X-FAB注重于MEMS生產(chǎn)服務(wù)與技術(shù)。Itzehoe工廠補(bǔ)充了最近公布的埃爾福特X-FAB MEMS晶圓廠的MEMS的生產(chǎn)能力及資源，添加了微感應(yīng)器、制動(dòng)器、微光學(xué)結(jié)構(gòu)與密封晶片級(jí)封裝工藝的相關(guān)技術(shù)。 　　X-FAB MEMS Found
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X-FAB收購(gòu)MFI大部分股份

  • X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國(guó)MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份，從25.5%提高到51%，成為其大股東，同時(shí)將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。
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Enea的Polyhedra Lite內(nèi)存關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)免費(fèi)軟件現(xiàn)已面世

  • 　　瑞典斯德哥爾摩，2012年10月11日–為3G和4G基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)備提供操作系統(tǒng)方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Enea?(NASDAQ OMX Nordic:ENEA)，今日宣布推出內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)Polyhedra的免費(fèi)版本Polyhedra Lite。 　　Polyhedra產(chǎn)品特別針對(duì)嵌入系統(tǒng)的開發(fā)者而設(shè)計(jì)，對(duì)該領(lǐng)域而言，容錯(cuò)系統(tǒng)等功能非常重要。然而，對(duì)許多用戶而言，高有效性并非頭等大事，他們只是想要一個(gè)迅速而靈活的關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)，用于個(gè)人或公司內(nèi)部用途。 　　相較于Polyhedra 的32位模式完整版，
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Enea的Polyhedra Lite內(nèi)存關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)免費(fèi)軟件現(xiàn)已面世

  • 　　為3G和4G基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)備提供操作系統(tǒng)方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Enea®(NASDAQ OMX Nordic:ENEA)，今日宣布推出內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)Polyhedra的免費(fèi)版本Polyhedra Lite。 　　Polyhedra產(chǎn)品特別針對(duì)嵌入系統(tǒng)的開發(fā)者而設(shè)計(jì)，對(duì)該領(lǐng)域而言，容錯(cuò)系統(tǒng)等功能非常重要。然而，對(duì)許多用戶而言，高有效性并非頭等大事，他們只是想要一個(gè)迅速而靈活的關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)，用于個(gè)人或公司內(nèi)部用途。 　　相較于Polyhedra 的32位模式完整版，Polyhedra Lite是一
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X-FAB投入超過(guò)5000萬(wàn)美金在MEMS的運(yùn)營(yíng)上

  • 德國(guó)艾爾芙特 – X-FAB Silicon Foundries，日前宣布為了MEMS的營(yíng)運(yùn)將在未來(lái)的三年投資5000萬(wàn)美金以上在無(wú)塵室、新設(shè)備、研發(fā)與人員，這些投資也反映X-FAB意義深遠(yuǎn)地聚焦在MEMS以因應(yīng)預(yù)期中MEMS的成長(zhǎng)。
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XFAB 0.18um高壓工藝提供嵌入式閃存

  • X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數(shù)，32層，其中包含數(shù)字、模擬、高壓元件、并閃存，而閃存只要額外2層光罩。對(duì)高階片上混合信號(hào)系統(tǒng)芯片(SoCs)，此方案具有極高的性價(jià)比，其中的45V高壓元件與嵌入式內(nèi)存，EEPROM、非揮發(fā)性隨機(jī)內(nèi)存(NVRAM) 、嵌入式閃存(eFlash)，更適用于高速微處理器、數(shù)字電源、和車用電子。
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歐洲晶圓代工廠應(yīng)對(duì)亞洲同行挑戰(zhàn)

  • 　　據(jù)iSuppli公司，通過(guò)采用有針對(duì)性的技術(shù)、靈活的生產(chǎn)擴(kuò)張戰(zhàn)略和明智的收購(gòu)行動(dòng)，歐洲半導(dǎo)體代工廠商X-FAB Semiconductor Foundries AG和LFoundry GmbH已經(jīng)在市場(chǎng)中占有一席之地，成為模擬與混合信號(hào)半導(dǎo)體供應(yīng)商。 　　
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蘋果應(yīng)該自己建個(gè)fab

  • 　　蘋果應(yīng)該考慮自己建個(gè)fab，不是在開玩笑，而是算一個(gè)建議。甚至可以打個(gè)賭Steve Jobs一定考慮過(guò)這件事。 　　蘋果應(yīng)該考慮建自己的fab，生產(chǎn)iPad及iPhone用的A4處理器，由此自己的處理器性能可以不斷的提高。 　　顯然，建fab要化很多錢，這么多年蘋果把自己看作是一家傳統(tǒng)的OEM，買進(jìn)元件，把它們組裝成產(chǎn)品或者系統(tǒng)，而讓它的芯片供應(yīng)商來(lái)承擔(dān)fab的風(fēng)險(xiǎn)，但是為什么蘋果不能改變一下思路呢? 　　因?yàn)樘O果與傳統(tǒng)的OEM不同，它的產(chǎn)品有iPod、iPhone、iPad等，而且預(yù)計(jì)未來(lái)會(huì)有
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X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠技術(shù)

  • 　　X-FAB Silicon Foundries，業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家，今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護(hù)系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設(shè)備，以及用于使用壓電驅(qū)動(dòng)器的超聲波成像和噴墨打印機(jī)的噴頭。此外，X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)晶體管，對(duì)于達(dá)到100V的多運(yùn)作電壓，導(dǎo)通電阻可降低45%，晶片的占位能夠降低40%，從而降低了晶
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