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X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度

  • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現有為光學傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導體工藝平臺——XS018上，現推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產品選擇，強化了X-FAB廣泛的產品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產品中，兩款為響應增強型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見光和紅外波長（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進的紫外線專用光電二極管dosuv和dosu
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Intel出售愛爾蘭工廠49%股份：獲110億美元緩解財務壓力

  • 6月6日消息，據媒體報道，英特爾近期宣布，已同意以110億美元的價格將其位于愛爾蘭的Fab 34芯片工廠49%的股份出售給阿波羅全球管理公司。這一舉措旨在為英特爾的大規(guī)模擴張計劃引入更多外部資金，同時緩解公司的財務壓力。根據英特爾的聲明，通過此次交易，英特爾將出售Fab 34芯片工廠相關實體中49%的股份，而保留51%的股份，保持對工廠的控股權。Fab 34工廠是英特爾在歐洲唯一一家使用極紫外線（EUV）光刻技術的芯片制造工廠，對采用Intel 4和Intel 3制程的晶圓提供支持，迄今為止，英特爾已在該
  • 關鍵字： 英特爾  Fab  

X-Fab增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案

  • Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號和專業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補型金屬氧化物半導體（CMOS）制造平臺的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示，該平臺現在包括全新的40 V和60 V高壓基礎器件，可提供可擴展的安全工作區(qū)（安全工作區(qū)）以提高運行穩(wěn)健性。這些第二代器件在RDSon數據上也有顯著降低，與此前版本相比降低
  • 關鍵字： X-Fab  180納米  高壓CMOS代工  

聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠首批設備到廠

  • 據聯(lián)電（UMC）官網消息，5月21日，聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠的上機典禮，首批設備到廠，象征公司擴產計劃建立新廠的重要里程碑。據悉，聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進半導體晶圓代工廠之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯(lián)網和車用電子等領域需求，總投資金額為50億美元。據了解，聯(lián)電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠的擴建計劃。當時消息稱，新廠第一期月產能規(guī)劃30,000片晶圓，2024年底開始量產，后又在2022年底稱，在過程中因缺工缺料及
  • 關鍵字： 聯(lián)電  Fab  設備  

X-FAB增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案

  • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩(wěn)健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎器件的RDSon阻值降低高達50%，為某些關鍵應用提供更好的選擇——特別適合應用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術解決方案，基于低掩模數5V單柵極核心模塊，支持-40°C
  • 關鍵字： X-FAB  180納米  高壓CMOS  代工  

X-FAB引入圖像傳感器背照技術增強CMOS傳感器性能

  • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學傳感器產品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術使得每個像素點接收到的入射光不會再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
  • 關鍵字： X-FAB  圖像傳感器  背照技術  CMOS傳感器  

格科微發(fā)布系列5000萬像素圖像傳感器

  • 12月22日，科創(chuàng)板上市公司格科微（688728.sh）成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領中國芯未來”為主題的20周年慶典暨臨港工廠投產儀式，及2023年產品推介會暨CEO交流會。圖1 格科微20周年慶典暨臨港工廠投產儀式.JPG以讓世界看見中國的創(chuàng)新為使命，格科微經過二十年的發(fā)展，成功實現了從Fabless到Fab-Lite的戰(zhàn)略轉型，迎來了歷史最佳的經營局面。值此良機，格科微高端產品再傳佳訊，公司推出三款全新單芯片高階產品，為未來加速核心技術產品化，邁向嶄新的發(fā)展階段奠定了基礎。整個活動，政府領
  • 關鍵字： Fab-Lite  格科微  5000萬像素  圖像傳感器  

總投資573億元！中芯國際12英寸晶圓代工生產線新進展

  • 據臨港新片區(qū)管委會官網披露文件顯示，日前，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產線項目城鎮(zhèn)污水排入排水管網許可順利獲批。據悉，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產線項目由中芯國際和中國（上海）自由貿易試驗區(qū)臨港新片區(qū)管理委員會合作規(guī)劃建設。根據協(xié)議，雙方共同成立合資公司，規(guī)劃建設產能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產線項目，聚焦于提供28納米及以上技術節(jié)點的集成電路晶圓代工與技術服務。據中芯國際發(fā)布的公告顯示，該項目計劃投資約88.7億美元（折合人民幣約573億元），這也是中芯國際在上海的第一個按照Twin Fa
  • 關鍵字： 中芯國際  12英寸晶圓  代工廠  Twin Fab  

X-FAB推出針對近紅外應用的新一代增強性能SPAD器件

  • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出專用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發(fā)布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺。得益于在制造過程中增加的額外工藝流程，在保持同樣低的本底噪聲水平的同時，顯著增強信號，而且不會對暗計數率、后脈沖和擊穿電壓等參數產生負面影響。X-FAB通過推出這一最新版本的產品，成功豐富了其SPAD產品的選擇范圍，提升了解決眾多視近紅外
  • 關鍵字： X-FAB  近紅外  SPAD  

X-FAB在制造工藝上的突破為電隔離解決方案增加CMOS集成選項

  • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在電隔離技術領域取得重大進展——X-FAB在2018年基于其先進工藝XA035推出針對穩(wěn)健的分立電容或電感耦合器優(yōu)化之后，現又在此平臺上實現了將電隔離元件與有源電路的直接集成。這是X-FAB對半導體制造工藝上的又一重大突破。這一集成方法使隔離產品的設計更加靈活，從而應對可再生能源、EV動力系統(tǒng)、工廠自動化和工業(yè)電源領域的新興機遇。XA035基于350納米工藝節(jié)點，非常適合制造車用傳感器和高壓工
  • 關鍵字： X-FAB  電隔離解決方案  

X-FAB最新的無源器件集成技術擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力

  • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進一步增強其在射頻（RF）領域的廣泛實力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動的人員可與X-FAB技術人員（位于438C展位）就這一創(chuàng)新進行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結構XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器
  • 關鍵字： X-FAB  無源器件  晶圓代工廠  

X-FAB領導歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價值鏈產業(yè)化

  • 中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業(yè)和大型實體機構在光電子領域的創(chuàng)新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺。在此過程中，模擬/混合信號晶圓代工領域的先進廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發(fā)起一項戰(zhàn)略倡議，旨在推
  • 關鍵字： X-FAB  硅光電子  PhotonixFab  光電子  

X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

  • 中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
  • 關鍵字： X-FAB  110納米  BCD-on-SOI  

碳化硅擴產、量產消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進

  • 近期，一眾國內廠商擴產、量產碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結束試運行，將正式量產碳化硅，產能將擴大近3倍。除此之外，據外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導體產品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
  • 關鍵字： 碳化硅  瑞薩  X-FAB  

X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達成許可協(xié)議

  • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關系。作為新協(xié)議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術授權，將這一技術的性能優(yōu)勢帶給大批量市場的客戶群體。130納米SiGe BiCMOS平臺新創(chuàng)建的130納米平臺顯著加強了X-FAB的技術組合，提供了獨特的解決方案，達到滿足下一代通信要求所需的更高
  • 關鍵字： X-FAB  萊布尼茨IHP  
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