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PLD技術(shù)在功能薄膜材料研究中的應(yīng)用

  • 薄膜材料已在半導(dǎo)體材料、超導(dǎo)材料、生物材料、微電子元件等方面得到廣泛應(yīng)用。為了得到高質(zhì)量的薄膜材料，脈沖激光沉積技術(shù)受到了廣泛的關(guān)注。本文介紹了脈沖激光沉積(PLD)薄膜技術(shù)的原理及特點(diǎn)，分析了脈沖激光沉積
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基于S3C44BOX芯片的單回路PlD控制器參數(shù)整定

  • 摘要：針對(duì)目前單回路PID控制系統(tǒng)穩(wěn)定性不高，控制效果不理想的情況，提出以ARM7S3C4480X 32位嵌入式芯片為核心設(shè)計(jì)的單回路控制器的設(shè)計(jì)方法，該芯片具有強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理功能。在設(shè)計(jì)過(guò)程中選擇了更便捷的C語(yǔ)言平臺(tái)，
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MCS-51單片機(jī)與PLD 可編程器件接口設(shè)計(jì)

  • 摘要：采用Lattice公司的PLD器件ISPLSI1032，基于VHDL描述語(yǔ)言設(shè)計(jì)了一種MCS-51單片機(jī)與PLD可編程邏輯器件的接 ...
  • 關(guān)鍵字： 單片機(jī)  PLD  EDA  VHDL  

基于FPGA LPM多功能信號(hào)發(fā)生器設(shè)計(jì)

基于FPGA的電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽電路板的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

基于FPGA的像素探測(cè)器數(shù)據(jù)緩存設(shè)計(jì)

基于FPGA的CORDIC算法的改進(jìn)及實(shí)現(xiàn)

PLD器件的應(yīng)用

  • 10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開(kāi)發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文件的結(jié)構(gòu)二、ABEL的基本語(yǔ)法10.4.3 應(yīng)用舉例10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開(kāi)發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文
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萊迪思MachXO PLD發(fā)運(yùn)超7千5百萬(wàn)片

  • 萊迪思半導(dǎo)體公司今日宣布MachXO PLD(可編程邏輯器件)自量產(chǎn)起已經(jīng)發(fā)運(yùn)了超過(guò)7千5百萬(wàn)片。全球客戶采用結(jié)合了易于使用、靈活性、系統(tǒng)集成和價(jià)格各方面創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)的MachXO PLD，廣泛應(yīng)用于各種大批量、成本敏感的應(yīng)用。
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PLD和數(shù)據(jù)通路來(lái)釋放微控制器中CPU資源

  • PLD和數(shù)據(jù)通路來(lái)釋放微控制器中CPU資源,本文介紹了一種采用PLD和數(shù)據(jù)通路(datapath)來(lái)解放微控制器系統(tǒng)中CPU任務(wù)的方案。在大多數(shù)微控制器結(jié)構(gòu)中，智能的CPU身邊總會(huì)環(huán)繞著一系列不可編程的外設(shè)。外設(shè)的功能有限，通常它們只負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)形式的轉(zhuǎn)換。例如，I2C
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使用賽靈思FPGA實(shí)現(xiàn)位與周期準(zhǔn)確的浮點(diǎn)DSP算法

采用FPGA實(shí)現(xiàn) DisplayPort

一種基于Spartan3E的DDS優(yōu)化設(shè)計(jì)

萊迪思推出最低功耗和最豐富功能的低密度PLD

  • 　　萊迪思半導(dǎo)體公司日前宣布MachXO2 PLD系列的2.5mmx2.5mm 25球型晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)的樣片現(xiàn)已發(fā)運(yùn)。目前MachXO2器件結(jié)合了超小封裝尺寸——至今在PLD市場(chǎng)還未被超越——具有行業(yè)最低功耗和最豐富功能的低密度PLD。使用低功耗65nm工藝的嵌入式閃存技術(shù)構(gòu)建，MachXO2系列增加了3倍的邏輯密度，提高了10倍的嵌入式存儲(chǔ)器，并且與前代產(chǎn)品相比減少了100倍的靜態(tài)功耗。
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從特殊應(yīng)用領(lǐng)域入手滿足FPGA客戶需求

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