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EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan hemt

GaN將在數(shù)據(jù)服務(wù)器中挑起效率大梁

  • 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢，但這還不夠，能源效率是另一個重點領(lǐng)域，這是因為服務(wù)器及其冷卻系統(tǒng)對能源消耗，占據(jù)了數(shù)據(jù)中心將近40%的運營成本。GaN具有獨特的優(yōu)勢，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數(shù)據(jù)中心的配電和轉(zhuǎn)換、節(jié)能、減少對冷卻系統(tǒng)的需求，并最終使數(shù)據(jù)中心更具成本效益和可擴展性。數(shù)字化和云端服務(wù)的快速建置推動了全球數(shù)據(jù)服務(wù)器的產(chǎn)業(yè)規(guī)模的成長。今天，數(shù)據(jù)服務(wù)器消耗了全球近1%的電力，這個數(shù)字預計會不斷的成長下去。次世代的產(chǎn)業(yè)趨勢，例如虛擬世界、增強實境和虛擬現(xiàn)實，所消耗大量電力將遠超現(xiàn)今地球上所能
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殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？

  • 在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標之一?；诠瑁⊿i）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應(yīng)用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
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東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應(yīng)用的痛點

  • 和傳統(tǒng)的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN 的開關(guān)速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小，開關(guān)速度極高，比較適合高頻應(yīng)用，例如：電動汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉(zhuǎn)換電路、OBC（車載充電）、低功率開關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
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Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標準TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品，擴大SuperGaN平臺的優(yōu)勢

  • 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應(yīng)晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應(yīng)用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
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東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決GaN應(yīng)用痛點

  • 受訪人：黃文源  東芝電子元件（上海）有限公司半導體技術(shù)統(tǒng)括部技術(shù)企劃部高級經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　回答：自從半導體產(chǎn)品面世以來，硅一直是半導體世界的代名詞。但是，近些年，隨著化合物半導體的出現(xiàn)，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
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第三代半導體市場的“互補共生”

  • 　　受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營銷組的應(yīng)用經(jīng)理，負責工業(yè)和個人電子市場的定制電源設(shè)計。他的團隊每年負責500項設(shè)計，并在過去20年中設(shè)計了15000個電源。Robert于2002年加入TI，大部分時間都在擔任各種應(yīng)用的電源設(shè)計師。Robert擁有佛羅里達大學的電氣工程學士學位和碩士學位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
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GaN是否具有可靠性？或者說我們能否如此提問？

  • 鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世，電源設(shè)計人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實上，GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時間。而人們對于硅可靠性方面的問題措辭則不同，比如“這是否通過了鑒定？”盡管GaN器件也通過了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個合理的觀點，因
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破解SiC、GaN柵極動態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

  • SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時，SiC、GaN極快的開關(guān)速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設(shè)計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動態(tài)特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動電壓VGS的測量，包括兩個部分：開關(guān)過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進行測量的，這會導致設(shè)備和人員危險，同時還會由
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GaN Systems HD半橋雙極驅(qū)動開關(guān)評估板在貿(mào)澤開售

  • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動開關(guān)評估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強模式 (e-mode) 半橋評估板性能優(yōu)異，同時減少了組件總數(shù)，節(jié)省了寶貴的電路板空間。 貿(mào)澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動器和兩
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Qorvo 助力簡化 GaN PA 偏置

  • 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設(shè)計，可加強 Qorvo GaN PA 的設(shè)計與測試。GaN 器件是耗盡型 FET，運行時需要施加負柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統(tǒng)中，需要以特定的順序進行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負柵極電壓，以保護器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內(nèi)置可配置
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學貫中西(8)：從GAN領(lǐng)悟人機協(xié)同創(chuàng)新之道

  • 1 回顧：GAN里的兩個角色在上一期里，詳細介紹了 GAN( 生成對抗網(wǎng) ) 里的 兩個角色：生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。 其中的生成者，又稱為創(chuàng)新者，而判別者又稱為鑒賞者。 在常見的圖像繪畫領(lǐng)域，其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是： G( 創(chuàng)新者 ) 負責創(chuàng)作圖片；而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一 張圖像的真或假，然后引領(lǐng) G 逐步改進，止于完美逼 近目標。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式，屬于 AI 機器與機器之 間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而，在 AI 科技不斷
  • 關(guān)鍵字： 202206  GAN  人機協(xié)同  

EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺

  • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推線上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持，從而了解氮化鎵（GaN）技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業(yè)學生和所有氮化鎵技術(shù)愛好者而設(shè)，為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外，用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外，
  • 關(guān)鍵字： GaN  宜普  

毫米波技術(shù)需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品

  • 5G 通信正在改變我們的生活，同時也在促進產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，為工業(yè)、汽車和消費電子等行業(yè)提供了巨大的應(yīng)用想象空間與市場機會，例如實現(xiàn)創(chuàng)建人與機器人和諧共存的環(huán)境，高質(zhì)量醫(yī)療，并且加速實現(xiàn)安全的自動駕駛汽車，等等?！?打造未來智能工廠——5G 無線網(wǎng)絡(luò)可以幫助工廠實現(xiàn)更高的可靠性，例如縮短延遲時間、提高生產(chǎn)效率。在人與機器人共存的世界里，更強的連接可以改善人機互動，并降低事故風險。● 提供高質(zhì)量的醫(yī)療服務(wù)——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠程監(jiān)測，進行生命體征檢測，并將信息傳輸給基于云的診斷
  • 關(guān)鍵字： 202206  毫米波  5G  GAN  

第三代半導體引領(lǐng)5G基站技術(shù)全面升級

  • 5G 受到追捧是有充足的理由的。根據(jù)CCS Insight 的預測，到2023 年，5G 用戶數(shù)量將達10 億；2022 年底，5G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施將承載近15％的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎(chǔ)設(shè)施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個第三代半導體技術(shù)，尤其是氮化鎵（GaN），5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的開關(guān)頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110 GHz的高頻通信應(yīng)用，涵蓋移動通信、無線網(wǎng)絡(luò)、點對點和點對多點微波通
  • 關(guān)鍵字： 202206  第三代半導體  GaN  

TI：運用GaN技術(shù)可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率

  • 德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術(shù)的潛力，以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴建 – 以氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)更高效率」為題，分享設(shè)計工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數(shù)據(jù)中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示，隨著各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導者期盼透過數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而也提高了運算能力的需求，TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力，以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強調(diào)，
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