Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品，擴(kuò)大SuperGaN平臺的優(yōu)勢

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴(kuò)充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應(yīng)晶體管 (FET)，典型導(dǎo)通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應(yīng)用的PQFN器件。

TP65H050G4BS通過了JEDEC認(rèn)證，為設(shè)計(jì)者和制造商提供了多項(xiàng)優(yōu)勢，賦能他們開發(fā)通常用于數(shù)據(jù)中心和廣泛工業(yè)應(yīng)用的高功率（數(shù)千瓦到幾千瓦）系統(tǒng)。它具有Transphorm一流的可靠性、柵極穩(wěn)健性(±20 Vmax)和抗硅噪聲閾值(4V)，以及氮化鎵技術(shù)所具備的易設(shè)計(jì)性和驅(qū)動性能。工程師們需要使用較大的D2PAK來滿足更高的功率和表面貼裝封裝需求。與PQFN封裝相比，D2PAK可以實(shí)現(xiàn)更好的熱性能，同時(shí)幫助用戶通過單一的制造流程提高PCB組裝效率。

D2PAK可作為分立器件提供，也可配套垂直子卡，以提高Transphorm的2.5kW AC-DC無橋圖騰柱功率因素校正(PFC)評估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。它還可以切換至1.2kW同步半橋TDHBG1200DC100-KIT評估板，以驅(qū)動多千瓦功率。

Transphorm全球營銷、應(yīng)用和業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁Philip Zuk表示：“D2PAK是對我們產(chǎn)品組合的一個(gè)重要補(bǔ)充。它將我們的SMD產(chǎn)品的可用性拓展至高功率領(lǐng)域，而之前我們用通孔器件支持這些應(yīng)用。客戶可獲得我們氮化鎵平臺的多項(xiàng)優(yōu)勢，如熟悉的TO-XXX封裝消除了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、簡化了系統(tǒng)開發(fā)并加快了產(chǎn)品上市速度。”

Transphorm是當(dāng)前提供標(biāo)準(zhǔn)TO-XXX封裝的高壓氮化鎵器件的唯一氮化鎵供應(yīng)商。值得注意的是，鑒于其固有的柵極損壞敏感性，這些封裝產(chǎn)品不支持替代性的增強(qiáng)型氮化鎵技術(shù)。

產(chǎn)品供應(yīng)

上述器件和評估板可通過下述鏈接在Digi-Key和Mouser上購買：

· TP65H050G4BS FET：Digi-Key / Mouser

· 2.5 kW評估板(TDTTP2500B066B-KIT)：Digi-Key / Mouser

· 1.2 kW 評估板 (TDHBG1200DC100-KIT)：Digi-Key / Mouser