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gan ipm 文章 進(jìn)入gan ipm技術(shù)社區(qū)
EV/HEV市場(chǎng)可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
- 根據(jù)Yole Development預(yù)測(cè)，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動(dòng)電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報(bào)告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動(dòng)力量之一來(lái)自電動(dòng)車(EV)與混合動(dòng)力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動(dòng)Si
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測(cè)量
- 目前，電動(dòng)汽車和工業(yè)馬達(dá)的可變速馬達(dá)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因?yàn)槭褂昧艘缘碗娮?、高速開關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達(dá)等裝置的開發(fā)與測(cè)試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測(cè)量損耗和效率的測(cè)量系統(tǒng)。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測(cè)量，利用它們的差和比
- 關(guān)鍵字： SiC GaN 電流傳感器
GaN技術(shù)和潛在的EMI影響
- 1月出席DesignCon 2015時(shí)，我有機(jī)會(huì)聽到一個(gè)由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測(cè)量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
- 關(guān)鍵字： GaN EMI
英飛凌收購(gòu)在韓合資企業(yè)全部已發(fā)行股份，進(jìn)一步加強(qiáng)在家電市場(chǎng)的地位
- 英飛凌科技股份公司今天宣布收購(gòu)LS Power Semitech Co., Ltd.所有已發(fā)行股份，這是一家英飛凌和韓國(guó)LS工業(yè)系統(tǒng)公司于2009年成立的合資公司。此次戰(zhàn)略收購(gòu)將擴(kuò)大英飛凌在不斷增長(zhǎng)的智能功率模塊(IPM)市場(chǎng)領(lǐng)域的業(yè)務(wù)足跡，IPM可使冰箱、冰柜、洗衣機(jī)、干衣機(jī)和空調(diào)等家用電器的能效更高。 “功率半導(dǎo)體器件是我們致力于迎接全球能效挑戰(zhàn)的基石。在這個(gè)行業(yè)，功能性整合是一個(gè)關(guān)鍵趨勢(shì)。隨著我們?cè)贗PM領(lǐng)域投入力度的加大，我們將全面投身這個(gè)快速成長(zhǎng)并富有吸引力的市場(chǎng)。而我們?cè)?/li>
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IPM
英飛凌攜高能效增強(qiáng)模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺(tái)組合亮相2015年應(yīng)用電力電子會(huì)議暨展覽會(huì)（APEC）
- 英飛凌科技股份公司今日宣布擴(kuò)充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設(shè)備而優(yōu)化的增強(qiáng)模式和級(jí)聯(lián)模式GaN平臺(tái)，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、移動(dòng)電源等開關(guān)電源應(yīng)用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費(fèi)電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機(jī)等終端產(chǎn)品市場(chǎng)開辟新的機(jī)會(huì)。 英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 GaN
英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。 作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 松下 GaN
TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊
- 近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)原型機(jī)。此次原型機(jī)由位于四方扁平無(wú)引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計(jì)。如需了解更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。 全新的LMG5200 GaN FET功率級(jí)原型機(jī)將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場(chǎng)化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應(yīng)用和電信應(yīng)用提供更高的功率密度和效率。 TI高壓電源
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。 作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 GaN
GaN在射頻功率領(lǐng)域會(huì)所向披靡嗎？
- 氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無(wú)論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色!帥呆了! 至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
- 關(guān)鍵字： GaN 射頻
導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開關(guān)
- 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
- 關(guān)鍵字： Cascode GaN 場(chǎng)效應(yīng)管
英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早
- GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。
- 關(guān)鍵字： GaN.功率元件
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
元件開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
- 關(guān)鍵字： GaN 功率半導(dǎo)體
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