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三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進(jìn)化

  • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
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AS-i 總線安全連接技術(shù)與主站產(chǎn)品發(fā)展現(xiàn)狀

  • 【從常規(guī) AS-i 總線到 AS-i Safety 技術(shù)】AS-i 總線技術(shù)已發(fā)展近 20 年，最初只是在現(xiàn)場層面，將傳感器和執(zhí)行元件簡單進(jìn)行連接。而現(xiàn)在，傳感器和執(zhí)行元
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采用多單片機的液位監(jiān)控儀設(shè)計與實現(xiàn)

  • 　　采用單片機設(shè)計液位監(jiān)控儀是很通用的做法。如果要測量的液位有很多路(16路以上)，每路要求能滾動顯示1年內(nèi)每班、每日、每月的輸入輸出總量(1日3班)，正?；蛞馔馔ｋ姅?shù)據(jù)不丟失，人機交互能力要強(要設(shè)置適當(dāng)數(shù)量的按鍵及采用LCD顯示)，并且每路液位要求對應(yīng)2路控制輸出信號(液罐液體輸入控制和輸出控制)，配置微型打印機端口，設(shè)置聲音報警，所有這些無疑需要很多的I/O端口來支持，單憑一個單片機是辦不到的，需要擴展I/O端口。在此設(shè)計中，筆者認(rèn)為采用專用I/O擴展芯片有較多的弊端，權(quán)衡利弊，選擇了用單片機來代替
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ATMEGA8A 單片機I/O口模擬串口

  • 　　最近調(diào)試GPS的一個模塊，需要把數(shù)據(jù)從GPS讀取，再通過串口發(fā)送給PC機等一些功能。要用到2個串口，我使用了AMTEGA8A單片機，所以用普通IO模擬做了一個串口。花了我兩個晚上的時間，才調(diào)試好模擬串口程序，也遇到不少的問題，今天終于搞定了。但是還只是波特率1200，校驗位N 數(shù)據(jù)8 停止1 ，以后再慢慢完善。 　　模擬串口主要是先要考慮到波特率和數(shù)據(jù)格式。我采用的1200的波特率，所以一個位的時間是：1s/1200=833.3333333us .這里我沒用定時器，我是用延時來實現(xiàn)定時的，一個位的延
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單片機音樂中音調(diào)和節(jié)拍的確定方法

  • 　　單片機音樂中音調(diào)和節(jié)拍的確定方法:調(diào)號-音樂上指用以確定樂曲主音高度的符號。 　　很明顯一個八度就有12個半音。 　　A、B、C、D、E、F、G。經(jīng)過聲學(xué)家的研究，全世界都用這些字母來表示固定的音高。比如，A這個音，標(biāo)準(zhǔn)的音高為每秒鐘振動440周。 　　升C調(diào)：1=#C，也就是降D調(diào)：1=BD;277(頻率) 　　升D調(diào)：1=#D，也就是降E調(diào)：1=BE;311 　　升F調(diào)：1=#F，也就是降G調(diào)：1=BG;369 　　升G調(diào)：1=#G，也就是降A(chǔ)調(diào)：1=BA;415 　　升A調(diào)：1=#
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三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

  • 　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。 　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。 　　   　　圖1：三星T3 2TB S
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三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展？

  • 　　三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術(shù)實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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“I”型三電平逆變器開關(guān)管不均壓研究

  • 為解決“I”型三電平逆變拓?fù)渲袃?nèi)、外開關(guān)管的不均壓問題，在逆變拓?fù)溟_關(guān)管的控制方式及硬件電路上提出了優(yōu)化的方案。開關(guān)管發(fā)波控制中，在原有的時序控制中加入開機和關(guān)機的時序邏輯，開機時保證內(nèi)管先于外管開通，關(guān)機時保證外管先于內(nèi)管關(guān)斷，避免內(nèi)、外管承受電壓不一致的情況。在硬件電路中，對內(nèi)管增加阻容網(wǎng)絡(luò)，消除了內(nèi)、外管同時關(guān)斷時由于其寄生參數(shù)不一致而導(dǎo)致的內(nèi)、外管承受電壓不一致的現(xiàn)象。實驗結(jié)果表明，該方法可以徹底解決“I”型三電平拓?fù)渲袃?nèi)、外管承受電壓不一致的問題。
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谷歌欲全面接管我們的生活 喜還是憂？

  • 　　谷歌一年一度的開發(fā)者I/O大會讓眾多媒體狗徹夜未眠。 　　美國時間5月18日，谷歌在美國山景城(Mountain View)總部預(yù)發(fā)布了一系列人工智能產(chǎn)品與服務(wù)，谷歌CEO Sundar Pichai在會后隨即發(fā)布了題為“谷歌下一輪進(jìn)化”的博客。 　　17年前，谷歌從一個創(chuàng)業(yè)公司起步，10年前推出了I/O開發(fā)者大會。當(dāng)時，全球僅有3億多用戶通過PC連網(wǎng)，如今卻有30億互聯(lián)用戶，且絕大多數(shù)是通過手機上網(wǎng)——準(zhǔn)確的說是移動互聯(lián)網(wǎng)用戶。Sundar Pic
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谷歌i/o大會——爭霸“后智能手機”時代

  • 在一年一度的開發(fā)者大會上，Google徹底展現(xiàn)出其爭霸“后智能手機”的野心——成為一個超級智能平臺。
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谷歌為何熱衷向核心業(yè)務(wù)以外領(lǐng)域擴張？

  • 　　每年谷歌(Google)都會提出一長串產(chǎn)品清單，但這個清單乍看上去總是與運營一個年收入700億美元的廣告業(yè)務(wù)毫無關(guān)聯(lián)。 　　周二就有出現(xiàn)了這種情況。谷歌周二拉開年度I/O開發(fā)者大會的序幕，展示了一個名為“Daydream”的虛擬現(xiàn)實平臺和一個類似亞馬遜(Amazon) Echo的用于家庭自動化系統(tǒng)的音控?fù)P聲器。該公司甚至設(shè)計了自己的芯片用于人工智能系統(tǒng)。 　　在加州有7,000多人參加的活動中，谷歌在兩個小時的時間里一句都未提到作為該公司主要盈利來源業(yè)務(wù)的點擊率和其他關(guān)鍵指
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谷歌I/O開發(fā)者大會預(yù)測前瞻：推進(jìn)虛擬現(xiàn)實 更新Android系統(tǒng)

  • 　　今年的谷歌I/O開發(fā)者大會舉辦地不再是舊金山的會議中心，而是轉(zhuǎn)移到該公司后院的海岸露天劇場。該活動的目的是教給開發(fā)者如何使用谷歌的平臺，但我們之所以如此關(guān)注，還因為谷歌有望在此次活動上更新現(xiàn)有產(chǎn)品，并推出全新的產(chǎn)品。 　　我們還不能肯定谷歌將在今年的開發(fā)者大會上推出哪些產(chǎn)品，但根據(jù)官方日程和各路傳言，其實不難猜測。以下就是2016谷歌I/O開發(fā)者大會的預(yù)期。 　　推進(jìn)虛擬現(xiàn)實業(yè)務(wù) 　　2016的確是“虛擬現(xiàn)實年”，而I/O開發(fā)者大會也將開辟一個專門的版塊，名叫&ldquo
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【恩智浦孵化器項目分享】3 ：基于i.MX6UL設(shè)計的BSP for HDMI

  • 　　作者：吳楊飛，從事嵌入式行業(yè)6年，目前在一家金融設(shè)備行業(yè)科技公司就職，工作以android和linux系統(tǒng)為主，熟悉Linux內(nèi)核，驅(qū)動開發(fā)，及硬件設(shè)計，多次參與一些涉密項目的開發(fā)。就職公司為深圳市派德威科技有限公司，集研發(fā)，生產(chǎn)，銷售為一體的民營高科技企業(yè)。專注于提供客戶專業(yè)的智能終端設(shè)備，提供的產(chǎn)品有POS設(shè)備及其他電子智能終端。同時還根據(jù)客戶的要求來定制所需要的產(chǎn)品。優(yōu)必選(2016春晚機器人廠家)也是我們服務(wù)的客戶之一。　　功能設(shè)定：　　1、實現(xiàn)Freescale i.MX6UL開發(fā)
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Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

  • 　　比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。 　　目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。 　　此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過使用通道中的III-V材
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提倡SCM概念 飛思卡爾新推i.MX生力軍

  • 　　盡管飛思卡爾先前被NXP(恩智浦半導(dǎo)體)買下，不過似乎是因為并購動作尚未完成，日前飛思卡爾在臺舉辦了媒體團訪，分享了針對我們所熟悉的物聯(lián)網(wǎng)市場而推出的新一代嵌入式處理器。 　　i.MX是飛思卡爾相當(dāng)重要的處理器系列，在今年六月推出了新的生力軍，i.MX6D/6Q，飛思卡爾系統(tǒng)設(shè)計、研發(fā)暨業(yè)務(wù)開發(fā)經(jīng)理Navjot Chhabra表示，物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用所需要的是快速設(shè)計并高度整合的解決方案，當(dāng)硬體可以滿足這樣的需求的時候，那么另一個決勝關(guān)鍵便是在軟體層面。飛思卡爾擅長將不同的晶片技術(shù)加以整合并置于極小的封裝中
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