三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進化

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需的可靠性。

V-NAND固態(tài)盤有480GB和960GB兩個容量點，960GB容量的固態(tài)盤提供最高性能，采用64個MLC 3D V-NAND閃存讓連續(xù)隨機讀速度提高了20%。

新推出的V-NAND固態(tài)盤還提供了35K擦除周期，2.5英寸規(guī)格，為服務(wù)器制造商提供更高的設(shè)計靈活性和可擴展性。

三星電子半導(dǎo)體研發(fā)中心執(zhí)行副總裁E.S. Jung在最近的閃存內(nèi)存峰會(Flash Memory SUmmit)上表示：“三星的3D V-NAND克服了將制程工藝縮小到10納米以下的難以逾越的障礙，為全球客戶提供最高密度的可靠性，性能提高20%，能耗降低40%。”

“我們將繼續(xù)為服務(wù)器、移動設(shè)備以及PC市場推出各種不同的綠色內(nèi)存產(chǎn)品以及解決方案，幫助減少能源浪費，在企業(yè)級和消費級領(lǐng)域創(chuàng)造更大的共同價值。”

據(jù)三星稱，專有的3D V-NAND技術(shù)比20納米級NAND閃存的制造生產(chǎn)力提高了兩倍以上，通過利用3D Charge Trap Flash單元結(jié)構(gòu)以及垂直互連技術(shù)，連接24層組成3D單元陣列。

3D V-NAND固態(tài)盤將從本月開始生產(chǎn)。