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Ansoft在HEV/EV動(dòng)力研發(fā)中之應(yīng)用

面對(duì)高度競(jìng)爭(zhēng)化的混合動(dòng)力車和電動(dòng)汽車(HEV/EV)市場(chǎng)，動(dòng)力集成研發(fā)工程師正在向更高的系統(tǒng)效率、穩(wěn)定性和...
關(guān)鍵字： IGBT模塊混合動(dòng)力車電動(dòng)汽車

我國(guó)電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)及其控制器行業(yè)分析

驅(qū)動(dòng)電機(jī)及其控制器1.驅(qū)動(dòng)電機(jī)類型及其發(fā)展驅(qū)動(dòng)電機(jī)是電動(dòng)汽車的關(guān)鍵部件，直接影響整車的動(dòng)力性...
關(guān)鍵字：電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī) 控制器 IGBT模塊

電力半導(dǎo)體模塊的發(fā)展過(guò)程及新趨勢(shì)

　　摘要：簡(jiǎn)要敘述了電力半導(dǎo)體模塊的發(fā)展過(guò)程，介紹了晶閘管智能模塊的結(jié)構(gòu)和特性，描述了IGBT智能模塊的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)，指出了我國(guó)大力發(fā)展IPEM的必要性。　　關(guān)鍵詞：電力半導(dǎo)體模塊;智能晶閘管模塊;IGBT模塊;IGBT智能模塊　　一種新型器件的誕生往往使整個(gè)裝置系統(tǒng)面貌發(fā)生巨大改觀，促進(jìn)電力電子技術(shù)向前發(fā)展。自1957年第一個(gè)晶閘管問(wèn)世以來(lái)，經(jīng)過(guò)40多年的開(kāi)發(fā)和研究，已推出可關(guān)斷晶閘管(GTO)，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等40多種電力半導(dǎo)體器件，目前正沿著高頻化、大功率化、智能化和模塊化的
關(guān)鍵字：電力半導(dǎo)體模塊智能晶閘管模塊 IGBT模塊半導(dǎo)體材料

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igbt模塊介紹

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件 [ 查看詳細(xì) ]