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全新4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊讓驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)尺寸小型化和效率最大化

  • 【2023年12月25日，德國(guó)慕尼黑訊】許多應(yīng)用都出現(xiàn)了采用更小IGBT模塊，以及將復(fù)雜設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)移給產(chǎn)業(yè)鏈上游的明顯趨勢(shì)。為了順應(yīng)小型化和集成化的全球趨勢(shì)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊，旨在從根本上改變采用兩電平和三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)且使用2000 V至3300 V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運(yùn)輸應(yīng)用的格局。這款新半導(dǎo)體器件將給諸多應(yīng)用帶來(lái)裨益，包括大型傳送帶、泵、高速列車(chē)、機(jī)車(chē)以及商用、工程和農(nóng)用車(chē)輛（CAV）。X
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Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器

  • 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強(qiáng)的保護(hù)功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內(nèi)部署短路保護(hù)功能，保護(hù)緊湊型SiC MOSFET免受過(guò)電流的損壞。新驅(qū)動(dòng)器還具有高
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Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對(duì)比研究*

  • 針對(duì)Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問(wèn)題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30 kW DC/DC變換器為研究對(duì)象，對(duì)功率模塊在不同工作頻率下的損耗進(jìn)行了理論計(jì)算、PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證對(duì)比分析。PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀的體現(xiàn)了SiC和IGBT兩類模塊在不同開(kāi)關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢(shì)。從文中可以看出，使用SiC替代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
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比亞迪半導(dǎo)體推出集成 PFC 的 IGBT 模塊

  • IT 之家 11 月 30 日消息，據(jù)比亞迪半導(dǎo)體官方消息，目前，PFC（功率因數(shù)校正）電路設(shè)計(jì)正朝著高效、高頻、小體積、低成本以及集成化的方向發(fā)展。比亞迪半導(dǎo)體基于市場(chǎng)需求及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，推出集成 PFC 的 IGBT 模塊新品。功率因數(shù)是用來(lái)衡量用電設(shè)備用電效率的參數(shù)，低功率因數(shù)代表低電力效能。為了提高用電設(shè)備功率因數(shù)的技術(shù)就稱為 PFC（功率因數(shù)校正）。比亞迪半導(dǎo)體共推出兩款新品：BG50D07N10S5：650V 50A 整流＋PFC＋逆變模塊，采用比亞迪 miniPIM2 封裝BG30K07Q1
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ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析，從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌

將ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用

  • 簡(jiǎn)介絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案，如車(chē)載充電器、非車(chē)載充電器、DC-DC快速充電器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開(kāi)關(guān)頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設(shè)計(jì)選擇的。本應(yīng)用筆記所述設(shè)計(jì)中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件，采用Microsemi Corporation?專有的視場(chǎng)光闌IGBT技術(shù)。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達(dá)20 kHz的開(kāi)關(guān)頻率，以及由于對(duì)稱設(shè)計(jì)，具有低雜散電感的軟恢復(fù)并聯(lián)二極管
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一種適用于大功率IGBT模塊串聯(lián)工作的新型驅(qū)動(dòng)電路

基于IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)研究

  • 　　IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。 　　IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級(jí)的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。但I(xiàn)GBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬(wàn)pF)，在驅(qū)動(dòng)脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù)A的充放電電流，才能滿足開(kāi)通和關(guān)
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Littelfuse推出IGBT模塊和整流器二極管模塊

  • 　　Littelfuse公司日前宣布，為其功率控制半導(dǎo)體系列新添兩款產(chǎn)品。 新的半橋電路IGBT模塊提供符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的S、D或WD封裝和最高1200V、600A的額定值，能夠可靠、靈活地提供依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)的高效而迅速的開(kāi)關(guān)速度。 此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)用于多種功率控制應(yīng)用，包括交流電機(jī)控制器、運(yùn)動(dòng)/伺服控制器、逆變器、電源以及太陽(yáng)能逆變器。 新的相臂和常規(guī)陰極電路整流器二極管模塊的額定值最高為1800V和200A，提供更高的熱效率以保證更長(zhǎng)的使用壽命和可靠性能。 其符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的S和A封裝尺寸使標(biāo)準(zhǔn)二極管具有
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IGBT模塊的密勒電容影響

  • 需要首先了解IGBT或IGBT模塊的寄生電容參數(shù)：IGBT寄生電容是其芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)固有的特性，芯片結(jié)構(gòu)及簡(jiǎn)單的原...
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如何用EG8010大功率IGBT模塊制作驅(qū)動(dòng)板

  • 現(xiàn)有150A、300A的幾個(gè)大電流IGBT模塊，功率分別可以做到10KW和20KW以上。首先做一塊能驅(qū)動(dòng)這些大家伙的驅(qū)動(dòng)電...
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基于大功率IGBT模塊PCB抄板及芯片的解密研究

  • 我國(guó)大功率IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化啦！這不僅打破了我國(guó)在高端IGBT模塊長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的局...
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基于Ansoft仿真針對(duì)HEV/EV市場(chǎng)的IGBT模塊

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： ANSOFT  HEV/EV  IGBT模塊  功率變換器  仿真  

二代大功率IGBT短路保護(hù)和有源鉗位電路設(shè)計(jì)

  • 摘要：通過(guò)分析IGBT的器件特性和短路特性，以瑞士CONCEPT公司最新推出的二代SCALE-2模塊2SC0435T作為核心部件，設(shè)計(jì)了大功率IGBT的短路保護(hù)和有源鉗位電路。
    關(guān)鍵詞：IGBT模塊；二代SCALE-2模塊；2SC0435T；短路保護(hù)
  • 關(guān)鍵字： IGBT模塊  二代SCALE-2模塊  2SC0435T  短路保護(hù)  有源鉗位  

檢測(cè)IGBT模塊的辦法

  • 靜態(tài)測(cè)量:把萬(wàn)用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)...
  • 關(guān)鍵字： IGBT模塊  測(cè)試  
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igbt模塊介紹

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件 [ 查看詳細(xì) ]

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