ipc soc 文章進(jìn)入ipc soc技術(shù)社區(qū)

用于多時(shí)鐘域 SoC 和 FPGA 的同步器技術(shù)

通常，傳統(tǒng)的雙觸發(fā)器同步器用于同步單比特電平信號(hào)。如圖1和圖2所示，觸發(fā)器A和B1工作在異步時(shí)鐘域。CLK_B 時(shí)鐘域中的觸發(fā)器 B1 對(duì)輸入 B1-d 進(jìn)行采樣時(shí)，輸出 B1-q 有可能進(jìn)入亞穩(wěn)態(tài)。但在 CLK_B 時(shí)鐘的一個(gè)時(shí)鐘周期期間，輸出 B1-q 可能穩(wěn)定到某個(gè)穩(wěn)定值。常規(guī)二觸發(fā)器同步器通常，傳統(tǒng)的雙觸發(fā)器同步器用于同步單比特電平信號(hào)。如圖1和圖2所示，觸發(fā)器A和B1工作在異步時(shí)鐘域。CLK_B 時(shí)鐘域中的觸發(fā)器 B1 對(duì)輸入 B1-d 進(jìn)行采樣時(shí)，輸出 B1-q 有可能進(jìn)入亞穩(wěn)態(tài)。但在 CLK
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基于ARM的多核SoC的啟動(dòng)方法

引導(dǎo)過(guò)程是任何 SoC 在復(fù)位解除后進(jìn)行各種設(shè)備配置（調(diào)整位、設(shè)備安全設(shè)置、引導(dǎo)向量位置）和內(nèi)存初始化（如 FLASH/SRAM/GRAM）的過(guò)程。在引導(dǎo)過(guò)程中，各種模塊/外設(shè)（如時(shí)鐘控制器或安全處理模塊和其他主/從）根據(jù) SoC 架構(gòu)和客戶應(yīng)用進(jìn)行初始化。在多核 SoC 中，首先主要核心（也稱為引導(dǎo)核心）在引導(dǎo)過(guò)程中啟動(dòng)，然后輔助核心由軟件啟用。引導(dǎo)過(guò)程從上電復(fù)位 (POR)開(kāi)始，硬件復(fù)位邏輯強(qiáng)制 ARM 內(nèi)核（Cortex M 系列）從片上引導(dǎo) ROM 開(kāi)始執(zhí)行。引導(dǎo) ROM 代碼使用給定的引導(dǎo)選擇選
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多電壓SoC電源設(shè)計(jì)技術(shù)

最小化功耗是促進(jìn)IC設(shè)計(jì)現(xiàn)代發(fā)展的主要因素，特別是在消費(fèi)電子領(lǐng)域。設(shè)備的加熱，打開(kāi)/關(guān)閉手持設(shè)備功能所需的時(shí)間，電池壽命等仍在改革中。因此，采用芯片設(shè)計(jì)的最佳實(shí)踐來(lái)幫助降低SoC（片上系統(tǒng)）和其他IC（集成電路）的功耗變得非常重要。最小化功耗是促進(jìn)IC設(shè)計(jì)現(xiàn)代發(fā)展的主要因素，特別是在消費(fèi)電子領(lǐng)域。設(shè)備的加熱，打開(kāi)/關(guān)閉手持設(shè)備功能所需的時(shí)間，電池壽命等仍在改革中。因此，采用芯片設(shè)計(jì)的最佳實(shí)踐來(lái)幫助降低SoC（片上系統(tǒng)）和其他IC（集成電路）的功耗變得非常重要。根據(jù)市場(chǎng)研究未來(lái)，131 年全球片上系統(tǒng)市場(chǎng)價(jià)
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手機(jī) SoC 廠商，有人「躺平」，有人「卷」

2022 年手機(jī) SoC 公司的日子不好過(guò)。根據(jù) Counterpoint 數(shù)據(jù)，作為全球最大的智能手機(jī)市場(chǎng)，2022 年中國(guó)智能手機(jī)出貨量不足 2.8 億部，下降 16.%，創(chuàng)十年新低。自從 2013 年以來(lái)中國(guó)智能手機(jī)出貨量一直高于 3 億，來(lái)源 Counterpoint在經(jīng)歷智能手機(jī)爆炸式發(fā)展之后，中國(guó)智能手機(jī)的出貨量增長(zhǎng)率整體呈現(xiàn)的是下滑趨勢(shì)。這一趨勢(shì)的原因，一方面是消費(fèi)電子市場(chǎng)的低迷，另一方面則是新款手機(jī)的性能不再足夠亮眼，消費(fèi)者不愿意買單。手機(jī)處理器，作為最早采用 SoC 方法的一類芯片，為何
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CV72AQ - 安霸推出下一代車規(guī) 5 納米制程 AI SoC

2023 年 4 月 17 日，中國(guó)上海 — Ambarella（下稱“安霸”，納斯達(dá)克股票代碼：AMBA，專注于 AI 視覺(jué)感知芯片的半導(dǎo)體公司）于今日，宣布推出基于安霸新一代 CVflow?3.0 AI 架構(gòu)的 AI 視覺(jué)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC） CV72AQ，面向汽車應(yīng)用市場(chǎng)。通過(guò)最新 CVflowTM 架構(gòu)，在同等功耗下，CV72AQ 的 AI 性能比上一代產(chǎn)品 CV22AQ 提高了 6 倍，還可高效運(yùn)行最新基于 Transformer神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的深度學(xué)習(xí)算法。高效的 AI 性能讓 CV72AQ 能夠同
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e絡(luò)盟社區(qū)開(kāi)展第三期“可編程之路”培訓(xùn)活動(dòng)

中國(guó)上海，2023年4月17日 – 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟通過(guò)其在線社區(qū)與AMD聯(lián)合開(kāi)展第三期“可編程之路”免費(fèi)培訓(xùn)項(xiàng)目。所有入圍學(xué)員都將獲贈(zèng)一套FPGA SoC開(kāi)發(fā)套件，可用于完成設(shè)計(jì)項(xiàng)目開(kāi)發(fā)任務(wù)，并有機(jī)會(huì)贏取價(jià)值4000美元的獎(jiǎng)品。 “可編程之路”是由e絡(luò)盟社區(qū)推出的FPGA片上系統(tǒng)（SoC）系列培訓(xùn)項(xiàng)目。首期“可編程之路”活動(dòng)于2018年舉行，重點(diǎn)關(guān)注可編程邏輯器件（PLD），活動(dòng)圍繞基于AMD Zynq-7000 SoC的AVNET MiniZed開(kāi)發(fā)板應(yīng)用展
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ASICLAND為汽車、AI企業(yè)和AI邊緣SoC應(yīng)用選擇Arteris IP

加利福尼亞州坎貝爾 – 2023 年 4 月 12 日 – 致力于加速片上系統(tǒng)（SoC）創(chuàng)建的領(lǐng)先系統(tǒng) IP 提供商Arteris, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：AIP），今天宣布 ASICLAND 已獲得具有汽車安全完整性等級(jí) ASIL B 和 AI 選項(xiàng)的Arteris FlexNoC授權(quán)。該技術(shù)將被用于汽車的主系統(tǒng)總線和各種應(yīng)用的AI SoC之中。ASICLAND是一家領(lǐng)先的ASIC半導(dǎo)體和SoC設(shè)計(jì)服務(wù)公司。該公司為5nm，7nm，12nm，16nm和28nm處理器開(kāi)發(fā)了許多具有復(fù)雜技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)
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消息稱三星 Exynos 2500 芯片秘密開(kāi)發(fā)中，自研 GPU 將基于 AMD 技術(shù)

IT之家 4 月 10 日消息，三星近日與 AMD 續(xù)簽了授權(quán)協(xié)議，未來(lái)將在智能手機(jī)上使用基于 AMD 技術(shù)的移動(dòng) GPU。消息稱，三星正在秘密開(kāi)發(fā)一款名為 Exynos 2500 的新一代移動(dòng)芯片，這款芯片將搭載三星自主研發(fā)的 GPU，但也會(huì)使用 AMD 的技術(shù)。這是繼 Exynos 2200 之后，三星和 AMD 的又一次合作，Exynos 2200 是首款采用 AMD RDNA2 架構(gòu)的 Xclipse 920 GPU 的芯片，但表現(xiàn)不盡如人意。據(jù)爆料者 Revegnus 透露，
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5大IPC廠獲利高昂配股沖戰(zhàn)力

工業(yè)計(jì)算機(jī)廠（IPC）去年獲利亮眼，加上公司經(jīng)營(yíng)層看好AIoT趨勢(shì)長(zhǎng)線，決議啟動(dòng)配股計(jì)劃，進(jìn)一步擴(kuò)大股本及生產(chǎn)實(shí)力，包括龍頭廠研華、艾訊、泓格、鑫創(chuàng)電子及虹堡皆同步配發(fā)現(xiàn)金及股票股利，提前卡位市場(chǎng)商機(jī)。受惠客戶拉貨力道強(qiáng)勁，以及缺料問(wèn)題緩解，推升IPC廠去年獲利普遍展現(xiàn)高成長(zhǎng)動(dòng)能，股利政策備受市場(chǎng)關(guān)注。值得一提的是，IPC廠除了拉高現(xiàn)金股利回饋股東之外，也有不少業(yè)者為因應(yīng)未來(lái)成長(zhǎng)需求，經(jīng)董事會(huì)決議配發(fā)股票股利，以盈余轉(zhuǎn)增資方式強(qiáng)化公司營(yíng)運(yùn)體質(zhì)，期望發(fā)揮「以獲利換戰(zhàn)力」效果。工業(yè)計(jì)算機(jī)龍頭廠研華去年大賺逾
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IPC觀點(diǎn): 盡管經(jīng)濟(jì)不確定性增加，但電子制造業(yè)仍處于穩(wěn)定地位

美國(guó)伊利諾伊州班諾克本-2023年3月24日-根據(jù)IPC的《2023年電子供應(yīng)鏈全球信心（sentiment）報(bào)告》，2月行業(yè)信心又穩(wěn)定了一個(gè)月：行業(yè)需求似乎保持不變，生產(chǎn)保持穩(wěn)定，一些勞動(dòng)力挑戰(zhàn)可能正在消退。盡管總體信心樂(lè)觀，但約58%的信心調(diào)查受訪者預(yù)計(jì)2023年將漲價(jià)，平均漲幅為8%。?除上述數(shù)據(jù)外，調(diào)查結(jié)果顯示：??勞動(dòng)力成本、訂單、客戶庫(kù)存、積壓和招聘便利性預(yù)計(jì)將保持相對(duì)穩(wěn)定。?與歐洲和亞太地區(qū)相比，北美的積壓量正在增加。? ?o 近五分之二（38%）的北
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三星 Exynos 1380 處理器性能測(cè)試：和驍龍 778G 同級(jí)，圖形性能更好

IT之家 3 月 24 日消息，三星于今年 2 月推出了 Exynos 1380 處理器，而日前發(fā)布的 Galaxy A54 5G 和 Galaxy M54 5G 兩款手機(jī)均搭載了這款處理器。那么 Exynos 1380 的性能如何呢？荷蘭科技媒體 Galaxy Club 進(jìn)行了匯總。IT之家根據(jù)文章報(bào)道繪制表格如下：GeekBench 6.0GeekBench 6.0Galaxy A52 5G（搭載驍龍 750G）Galaxy A52s 5G（搭載驍龍 778G）Galaxy A53 5G（搭
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通過(guò)避免超速和欠速測(cè)試來(lái)限度地減少良率影響

在用于汽車 SoC 的納米技術(shù)中，硅上的大多數(shù)缺陷都是由于時(shí)序問(wèn)題造成的。因此，汽車設(shè)計(jì)中的全速覆蓋要求非常嚴(yán)格。為了滿足這些要求，工程師們付出了很多努力來(lái)獲得更高的實(shí)速覆蓋率。主要挑戰(zhàn)是以盡可能低的成本以高產(chǎn)量獲得所需質(zhì)量的硅。在本文中，我們討論了與實(shí)時(shí)測(cè)試中的過(guò)度測(cè)試和測(cè)試不足相關(guān)的問(wèn)題，這些問(wèn)題可能會(huì)導(dǎo)致良率問(wèn)題。我們將提供一些有助于克服這些問(wèn)題的建議。在用于汽車 SoC 的納米技術(shù)中，硅上的大多數(shù)缺陷都是由于時(shí)序問(wèn)題造成的。因此，汽車設(shè)計(jì)中的全速覆蓋要求非常嚴(yán)格。為了滿足這些要求，工程師們付出了很
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以芯為翼，助推物聯(lián)，芯翼信息完成3億元C輪融資

近日，蜂窩物聯(lián)智能終端系統(tǒng)SoC芯片提供商芯翼信息科技（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯翼信息”）完成3億元人民幣C輪融資，由中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)投資基金領(lǐng)投，上海浦東智能制造產(chǎn)業(yè)基金、鈞山資本、海通創(chuàng)新、漢仟投資等機(jī)構(gòu)跟投，光源資本擔(dān)任獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問(wèn)。本輪融資資金將用于研發(fā)、生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)以及市場(chǎng)渠道建設(shè)。?芯翼信息成立于2017年，致力于為萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代提供先進(jìn)的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)智能終端系統(tǒng)SoC芯片解決方案。芯翼信息深耕蜂窩物聯(lián)芯片領(lǐng)域，現(xiàn)有十余款產(chǎn)品研發(fā)中，包含蜂窩物聯(lián)通訊SoC以及行業(yè)場(chǎng)景SoC，成功打造業(yè)界最全面
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晶心科技和 IAR攜手助力奕力科技加速開(kāi)發(fā)其符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)的TDDI SoC ILI6600A

Andes晶心科技和IAR近日共同宣布，奕力科技（ILITEK）的觸控與顯示驅(qū)動(dòng)器整合（TDDI）芯片— ILI6600A ，采用Andes通過(guò)ISO 26262認(rèn)證的V5 RISC-V CPU核心—N25F-SE，以及IAR經(jīng)過(guò)認(rèn)證的Embedded Workbench for RISC-V工具鏈，以支持在其最先進(jìn)的芯片中實(shí)現(xiàn)汽車功能安全（FuSa）。ILI6600A由一個(gè)高度集成的非晶/LTPS（低溫多晶硅）/氧化物TFT（薄膜晶體管） LCD（液晶顯示屏）驅(qū)動(dòng)器，和一個(gè)內(nèi)嵌式觸控控制器構(gòu)成。透過(guò)由
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支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
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