lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
三星:左打臺積電、右攻英特爾,欲稱霸全球
- 全球半導(dǎo)體經(jīng)受金融危機后正邁入新一輪的增長時期,各家市場分析公司幾乎都報道了2010年半導(dǎo)體有30%的增長,達(dá)到2900億美元。 半導(dǎo)體業(yè)步入新時期 由于半導(dǎo)體業(yè)已逼近摩爾定律的終點,業(yè)界的變化規(guī)律開始發(fā)生變異,使得半導(dǎo)體業(yè)正進(jìn)入一個嶄新時期。新時期最明顯的特點可以歸結(jié)為增長趨緩,未來年均增長率在6%~7%;研發(fā)費用高聳,只有很少幾家廠有能力繼續(xù)跟蹤,大多數(shù)頂級半導(dǎo)體廠都采用外協(xié)合作方案。工業(yè)的趨勢可能會形成英特爾CPU,三星存儲器及“fabless(無生產(chǎn)線半導(dǎo)體公司)+代工
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三星35納米4Q出擊 臺DRAM廠以卵擊石
- 三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續(xù)踩油門,繼46納米制程大量供貨,下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn),目標(biāo)2010年底占總產(chǎn)能達(dá)10%,由于從 35納米跳到46納米估計成本可再下降30%,屆時臺、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵擊石,加上臺廠新產(chǎn)能大量產(chǎn)出時間點亦多落在第4季,面對產(chǎn)能將大量開出,近期DRAM價格跌不停,特別是DDR3 eTT已傳出通路商價格殺至1.7美元,較同容量DDR2價格還要低。 近期DRAM合約價及現(xiàn)貨價均呈現(xiàn)極度疲軟,尤其在傳統(tǒng)旺季是相當(dāng)少見情況,甚至
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DRAM價15天爆跌10% 恐跌至2美元線
- 韓國電子時報報導(dǎo),DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%,1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預(yù)測值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。 據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計,1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來,固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時,價格僅在1美元在線,其后持續(xù)上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線。DD
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德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評級 2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計增長16%
- 9月9日《半導(dǎo)體行業(yè)特別報告》出版,涉及項目包括有:庫存補充、企業(yè)升級周期、智能電話作為主要趨勢、移動性長期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。 涉及企業(yè)包括有:AMD公司(AMD)、ARM 集團(ARMH)、AT&;T公司(T)、Altera公司(ALTR)、蘋果公司(APPL)、Atheros(ATHR)、愛特梅爾公司(Atmel:ATML)和其他多家企業(yè)。 以下內(nèi)容摘錄自《半導(dǎo)體行業(yè)特別報告》,專業(yè)分析師在其中討論了該板塊的前景和投資展望。 2005年進(jìn)入德意志銀行的鮑
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電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本近4年來首次上升
- 據(jù)國外媒體報道,市場研究公司iSuppli 15日表示,由于爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司生產(chǎn)費用出現(xiàn)增長,電腦內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本近4年來首次上升。 美國加州的市場研究公司iSuppli周二的調(diào)查報告顯示,動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)內(nèi)存芯片的平均生產(chǎn)成本從第一季度的每G內(nèi)存2美元上升到了第二季度的2.03美元,而上一次內(nèi)存芯片制造成本的上升發(fā)生在2006年的第三季度。 爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司分別是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示,南亞科技股份有限公司在采用新的
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DRAM內(nèi)存芯片成本遭遇近4年來首次上漲
- 市場調(diào)研iSuppli近期發(fā)布報告稱,今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本遭遇了自2006年三季度以來的首次上漲,這也引發(fā)了外界對于廠商在內(nèi)存芯片生產(chǎn)花費支出的擔(dān)憂。從2005年開始,內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本就大致以平均每季度9.2%的幅度在下降。然而今年二季度的每Gb DRAM芯片的平均價格卻達(dá)到了2.03美元,相比上一季度的2.00美元小幅上漲。雖然價格上漲幅度非常小,但這完全顛覆了之前沿襲的規(guī)律。 其實,二季度內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本的上漲也并不是忽然至來。從2009年三季度開始,DRAM芯片季度生產(chǎn)成
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日圓強升 內(nèi)存廠更仰賴臺廠
- 日圓兌美元匯率強勢升值,創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示,日圓走勢對日系廠商營運勢必產(chǎn)生壓力,未來將更仰賴臺灣合作伙伴。 日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力,其中爾必達(dá) (Elpida)今年第2季在全球動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (DRAM)市場占有率為18%,是全球第3大DRAM廠。 東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲存型閃存(NAND Flash)市場占有率達(dá)33.1%,僅次于韓國三星,居全球第2大廠地。 南亞科技副總經(jīng)理白培霖指出,日圓急遽升值,對日本內(nèi)存廠爾必達(dá)及
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三星擬以高性能、低耗電半導(dǎo)體主導(dǎo)市場
- 三星電子(Samsung Electronics)表示,智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)等革新性行動裝置制作成實體的過程中,對高性能、低耗電半導(dǎo)體的需求也正逐漸增加,因此三星計劃以性能提升,且減少耗電量的半導(dǎo)體產(chǎn)品主導(dǎo)市場。 三星祭出Smart and Green Plus策略,不僅致力于開發(fā)高性能、低耗電的半導(dǎo)體,同時也將配合世界各國的能源節(jié)約等親環(huán)境政策推動三星的差異化解決方案。 做為新策略的一環(huán),三星自2009年起便與服務(wù)器業(yè)者共同推動綠色存儲器活
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Gartner上調(diào)全球半導(dǎo)體營收預(yù)期至3000億
- Gartner現(xiàn)在預(yù)計今年全球半導(dǎo)體營收將達(dá)到3000億美元,比去年增長31.5%。它之前預(yù)計今年半導(dǎo)體營收的增幅只有27.1%。包括手機和筆記本電腦在內(nèi)的消費者電子產(chǎn)品在半導(dǎo)體銷售中占大多數(shù)份額。手機出貨量持續(xù)增長將推動半導(dǎo)體營收的增長,而電腦出貨量增長速度的減慢將被平板電腦銷售的增長所抵消。 Gartner表示,盡管個人電腦銷售速度減慢,但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長。DRAM營收今年將增長82.5%,幾乎達(dá)到420億美元,但它可能會從明年下半年開始減慢增長速度。Gartner預(yù)
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三星拉大DRAM制程差距 臺廠須盡速導(dǎo)入40納米
- 臺灣國際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式開幕,在半導(dǎo)體趨勢論壇中,摩根士丹利證券執(zhí)行董事王安亞針對未來DRAM市場發(fā)出警語,認(rèn)為未來2Gb產(chǎn)品將成為DRAM市場主流,且未來以40納米制程生產(chǎn)的2Gb將最具競爭力,臺系DRAM廠,包括南亞科、華亞科等,必須盡快提升50納米制程的良率,且轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程世代,才會具有成本競爭力。 三星電子(Samsung Electronics)日前對于2010年下半DRAM市場發(fā)出供過于求的悲觀論調(diào),使得全球DRAM產(chǎn)業(yè)大幅受挫,臺系D
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分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達(dá)6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm,預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRA
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DRAM銷售將于后年衰退近三成
- 國際研究暨顧問機構(gòu)顧能(Gartner)今(1)日指出,動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)產(chǎn)業(yè)景氣盛況將在明年下半年改變,至2012年銷售恐將衰退近三成。 顧能表示,由于初期PC市場表現(xiàn)強勁和供應(yīng)減少,使DRAM產(chǎn)業(yè)獲利看漲,今年收益逼近420億美元,較預(yù)期獲利高出82.5%,出現(xiàn)戲劇性成長和變化;惟至2011年下半年將有所轉(zhuǎn)變,2012年的銷售恐將衰退29%。 不過,快閃存儲器市場在智能型手機和平版媒體強勁的銷售帶動下,收益至2013年皆會維持原有的成長。
- 關(guān)鍵字: DRAM 閃存
分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達(dá)6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm,預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRA
- 關(guān)鍵字: 南科 DRAM Flash
臺系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)
- 根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出,臺系DRAM廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達(dá)6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm,預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。
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