三星35納米4Q出擊　臺DRAM廠以卵擊石

　　三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續(xù)踩油門，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產，目標2010年底占總產能達10%，由于從 35納米跳到46納米估計成本可再下降30%，屆時臺、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵擊石，加上臺廠新產能大量產出時間點亦多落在第4季，面對產能將大量開出，近期DRAM價格跌不停，特別是DDR3 eTT已傳出通路商價格殺至1.7美元，較同容量DDR2價格還要低。

　　近期DRAM合約價及現貨價均呈現極度疲軟，尤其在傳統旺季是相當少見情況，甚至有點呼應三星日前所提出DRAM產業(yè)將供過于求論調，臺、美、日DRAM業(yè)者氣勢都相當疲弱，似乎對于三星頻出招重擊動作毫無招架之力。DRAM業(yè)者表示，三星提出到2011年第1季以前都供過于求論調，其實有跡可循，除第3季PC旺季不旺，第4季能見度不佳，三星最新一代35納米制程即將問世，更是DRAM產業(yè)重要殺手，業(yè)界都相當擔心三星推出35納米制程后，將再次展開大殺價。

　　DRAM業(yè)者指出，目前三星主力制程是46納米，已比臺廠快上1個世代，南亞科和華亞科50納米才剛要量產，力晶和瑞晶還停留在63納米，至于45納米才剛要準備起跑，三星不僅在46納米遠遠領先臺廠，更計劃第4季試產35納米制程，目標是2010年底占總產能10%。

　　值得注意的是，三星35納米制程比46納米成本再下降30%，2Gb容量DDR3成本趨近1美元，下降速度相當驚人，2011年35納米將成為三星主力制程，預計2011年第3季可超過總產出50%，屆時南亞科和華亞科陣營即使是以42納米與三星對打，力晶和瑞晶陣營以45納米應戰(zhàn)，都將是以卵擊石。

　　存儲器業(yè)者表示，9月DRAM合約價大跌近10%，讓DRAM業(yè)者士氣低落，部分因素是9月有季底作帳壓力，大部分客戶不愿拿貨，造成價格反應較激烈，隨著合約價下修，現貨價亦難獨撐大局，臺面上DDR3 eTT價格雖還有2美元，但私下交易已跌破2美元，甚至傳出已殺至1.7美元，第4季供給端殺手除三星35納米問世，臺廠制程微縮產能亦多數在第4季到 2011年第1季期間大量出貨，對價格殺傷力不容小覷，要扭轉頹勢必須靠PC需求回籠。

　　臺DRAM廠表示，當DRAM價格下修到某種程度，過去PC廠從4GB容量模塊砍到2GB容量策略，或許會出現逆轉，若搭載存儲器主流容量能夠以4GB起跳，配合PC出貨量升溫，大量消耗DRAM產能，將是挽救搖搖欲墜DRAM價格最健康方式。