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基于新型MEMS開(kāi)關(guān)提高SoC測(cè)試能力及系統(tǒng)產(chǎn)出

  • 先進(jìn)的數(shù)字處理器IC要求通過(guò)單獨(dú)的DC參數(shù)和高速數(shù)字自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)測(cè)試,以達(dá)到質(zhì)保要求。這帶來(lái)了很大的成本和組織管理挑戰(zhàn)。本文將介紹ADGM1001 SPDT MEMS開(kāi)關(guān)如何助力一次性通過(guò)單插入測(cè)試,以幫助進(jìn)行DC參數(shù)測(cè)試和高速數(shù)字測(cè)試,從而降低測(cè)試成本,簡(jiǎn)化數(shù)字/RF片上系統(tǒng)(SoC)的測(cè)試流程。圖1.操作員將負(fù)載板安裝到測(cè)試儀上,以測(cè)試數(shù)字SoC ATE挑戰(zhàn)半導(dǎo)體市場(chǎng)在不斷發(fā)展,為5G調(diào)制解調(diào)器IC、圖像處理IC和中央處理IC等先進(jìn)的處理器提供速度更快、密度更高的芯片間通信。在這種
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mems開(kāi)關(guān)介紹

MEMS開(kāi)關(guān)就是MEMS技術(shù)的具體應(yīng)用。顧名思義,開(kāi)關(guān)就是來(lái)控制電路通斷狀況的,高效、快速反應(yīng)、準(zhǔn)確、重復(fù)使用頻率、高可靠性是現(xiàn)代電路系統(tǒng)對(duì)開(kāi)關(guān)的特殊要求。MEMS開(kāi)關(guān)的研究始于1979年IBM的K.E.Peterson,隨后經(jīng)過(guò)了二十幾年的發(fā)展,由于薄膜的柔軟和變形,MEMS開(kāi)關(guān)始終沒(méi)有取得人們預(yù)期的成績(jī)。隨著通訊頻率的不斷增高,現(xiàn)有的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)因不能滿足頻率的升高而失去開(kāi)關(guān)能力。MEMS開(kāi)關(guān)的 [ 查看詳細(xì) ]

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