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植根大陸市場(chǎng)十年 國(guó)巨蘇州二廠投入營(yíng)運(yùn)

  •   無(wú)源器件廠商國(guó)巨公司(Yageo)日前宣布蘇州第二座工廠正式投入營(yíng)運(yùn),啟用全球最大規(guī)模無(wú)源器件后段生產(chǎn)線。明年國(guó)巨蘇州芯片電阻與多層陶瓷電容(MLCC),可望分別達(dá)到360億顆與110億顆月產(chǎn)能規(guī)模,成為全球最大無(wú)源器件生產(chǎn)基地。而其蘇州二廠二期工程也于近日同時(shí)動(dòng)工,預(yù)計(jì)產(chǎn)能規(guī)模與產(chǎn)品組合將隨客戶需求的成長(zhǎng)持續(xù)提升。   國(guó)巨公司董事長(zhǎng)陳泰銘先生表示:“國(guó)巨自1996年起進(jìn)入中國(guó)大陸市場(chǎng),至今已屆滿十年,國(guó)巨陸續(xù)在華南、華東與華北,建立完備的生產(chǎn)與銷售服務(wù)網(wǎng)絡(luò)。國(guó)巨在大陸市場(chǎng)的發(fā)展策略也邁入全新階段
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2007年MLCC市場(chǎng)半程盤點(diǎn)

  •   隨著中國(guó)日益成為全球最大的電子終端產(chǎn)品加工制造基地,中國(guó)的電子元器件市場(chǎng)也呈現(xiàn)出供需兩旺的態(tài)勢(shì)。其中,片式多層陶瓷電容器(MLCC,又稱獨(dú)石電容器)是目前用量最大、發(fā)展速度最快的片式元件之一。從下游供應(yīng)鏈終端市場(chǎng)來(lái)看,電子產(chǎn)品對(duì)MLCC的需求呈現(xiàn)出幾何級(jí)急劇增長(zhǎng),為國(guó)內(nèi)外MLCC廠商帶來(lái)了良好的發(fā)展機(jī)遇。   “每周都有新設(shè)備在往里進(jìn),每天也都有新合同在往外簽?!睆纳钲谟铌?yáng)科技發(fā)展有限公司MLCC 事業(yè)部總經(jīng)理廖杰的描述中,我們不難管窺MLCC市場(chǎng)的紅火程度。在中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)信息中心日前發(fā)布的
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常規(guī)片式電容器(MLCC)--產(chǎn)品特性

  • *MLCC的特點(diǎn) 1.體積小,容量體積比大; 2.耐壓好、損耗低,ESR??; 3.適用于回流焊,波峰焊和熱風(fēng)手工焊。 *MLCC應(yīng)用   模擬或數(shù)字調(diào)制解調(diào)器、局域網(wǎng)/廣域網(wǎng)接口、日光燈啟輝器、倍壓電源、交直流變送器、背光源驅(qū)動(dòng)器及高頻大功率電路中。 *容量誤差分級(jí) 代碼 B C D F G J K M 范圍
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選用MLCC貼片電容的參數(shù)參考

X7R多層陶瓷片式電容(貼片電容,MLCC)選用指南

  • X7R貼片電容簡(jiǎn)述   X7R貼片電容屬于EIA規(guī)定的Class 2類材料的電容。它的容量相對(duì)穩(wěn)定。 X7R貼片電容特性   具有較高的電容量穩(wěn)定性,在-55℃~125℃工作溫度范圍內(nèi),溫度特性為
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Y5Vt貼片電容(多層陶瓷片式電容,,MLCC)選用指南

  • Y5V多層陶瓷片式電容簡(jiǎn)述   Y5V貼片電容屬于EIA規(guī)定的Class 2類材料的電容。它的電容量受溫度、電壓、時(shí)間變化影響大。 Y5V貼片電容特性   具有較差的電容量穩(wěn)定性,在-25℃~85℃工作溫度范圍內(nèi),溫度特性為+30%,-80%。   層疊獨(dú)石結(jié)構(gòu),具有高可靠性。   優(yōu)良的焊接性和和耐焊性,適用于回流爐和波峰焊。   應(yīng)用于溫度變化小的退耦、隔直等電路中。 Y5V貼片電容容量范圍 厚度與符號(hào)對(duì)應(yīng)表 符號(hào) A C E G J K M N
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COG(NPO)貼片電容(多層陶瓷片式電容,MLCC)選型指南

  • COG(NPO)貼片電容簡(jiǎn)述   COG(NPO)貼片電容屬于Class 1溫度補(bǔ)償型電容。它的容量穩(wěn)定,幾乎不隨溫度、電壓、時(shí)間的變化而變化。尤其適用于高頻電子電路。 COG(NPO)貼片電容特性   具有最高的電容量穩(wěn)定性,在-55℃~125℃工作溫度范圍內(nèi),溫度特性為:0
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mlcc介紹

 目前廣泛應(yīng)用在便攜產(chǎn)品中,主要可分為兩大類:BME化的C0G產(chǎn)品和LOW ESR選材的X7R(X5R)產(chǎn)品。 C0G類MLCC的容量多在1000pF以下,該類電容器低功耗涉及的主要性能指標(biāo)是損耗角正切值tgδ(DF)。傳統(tǒng)的貴金屬電極(NME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍是(2.0~8.0)×10-4,而技術(shù)創(chuàng)新型賤金屬電極(BME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍為(1.0~2.5)×10-4,約是前者的( [ 查看詳細(xì) ]

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