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硅晶圓需求旺 1Q報價將調(diào)漲5~10%
- 晶圓代工12寸高階產(chǎn)能吃緊,加上8寸晶圓廠營運也維持高檔,已傳出上游硅晶圓廠交貨不及,產(chǎn)能無法應(yīng)付晶圓代工業(yè)者所需,確定2010年第 1季硅晶圓報價將調(diào)漲5~10%;加上目前晶圓代工第2季訂單恐不俗,DRAM存儲器晶圓廠也都陸續(xù)恢復(fù)產(chǎn)能,第2季可能再接力調(diào)漲約10%。 繼大陸太陽能電池生產(chǎn)用硅晶圓傳出調(diào)漲之后,晶圓代工廠用硅晶圓也確定漲價,目前2010年第1季漲價幅度介于5~10%之間。由于晶圓代工廠包括臺積電在內(nèi)高階制程產(chǎn)能滿載,更有吃緊之虞,包括硅晶圓大廠Shin-Etsu與代理商崇越、Su
- 關(guān)鍵字: DRAM 晶圓代工
DDR3將成為2010年主流 廠商以先進制程跟進
- DRAM業(yè)在走出低谷后,2010年前景看好,DRAM廠商積極擴產(chǎn)應(yīng)對。其中臺塑集團的南科、華亞科最為積極,華亞科全年資本支出更比2009年呈倍數(shù)成長。 南科、華亞科已邁入50納米制程技術(shù)階段,南科暫定2010年資本支出約為5.9億美元,比2009年增長逾45%。南科預(yù)計,在第二季度時,旗下月產(chǎn)能3萬片的12英寸廠將全部以50納米制程投片,第三季度所有產(chǎn)品都采用50納米制程投片。 看好DDR3將成為2010年主流,南科計劃逐步提升DDR3產(chǎn)品的比重,目標(biāo)由2009年第四季度的30%-40%提
- 關(guān)鍵字: Elpida 50納米 DRAM 晶圓
重塑產(chǎn)業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展
- 編者點評(莫大康 SEMI China顧問):國際上有許多市場分析公司與機構(gòu),如 Gartner,iSuppli,IC Insight,Semico,VLSI及SEMI,SIA,WSTS等。為什么它們的預(yù)測值不同,有時差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測都有三類,即樂觀、中等和悲觀。另外,由于每個市場分析公司其數(shù)據(jù)來源及分析的范圍各不同,所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌,即有些公司的數(shù)據(jù)相對可靠(經(jīng)驗值),如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS,SIA,Gartner,iSuppli,而設(shè)備材
- 關(guān)鍵字: IC NAND DRAM
爾必達40納米制程正式對戰(zhàn)美光
- 一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(Elpida),隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程,爾必達狀況更顯得困窘,在經(jīng)過近1年臥薪嘗膽后,爾必達2010年開春終于宣布,40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠順利完成試產(chǎn),良率水平優(yōu)于預(yù)期,確定2010年可一舉進入40納米世代,子公司瑞晶更宣示只要花新臺幣120億元,就可將旗下8萬片12寸晶圓廠全數(shù)轉(zhuǎn)到40納米制程,與美光及南亞科、華亞科陣營對戰(zhàn)煙硝味濃厚。 DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米制程是重要分水嶺,除技術(shù)難度外,1臺動輒逾新臺幣
- 關(guān)鍵字: Elpida DRAM 50納米
韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布,并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為,也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明,針對計算機記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相關(guān)的價格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月,F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調(diào)查,偵查是否有操縱價格的事實,之后已針對全球4家企業(yè)進行調(diào)查,其中2家位于韓國,另外2家分別在美國和日本,但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。 韓國快閃記
- 關(guān)鍵字: Hynix DRAM DRAM
美光爭取華亞科主導(dǎo)權(quán) 臺塑拒絕成瑞晶翻版
- 華亞科辦理6.4億股的現(xiàn)金增資,南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認購現(xiàn)增額度,但近期傳出美光向臺塑集團攤牌,希望能增加認購比例,爭取華亞科更多股權(quán),惟臺塑集團回決此提議,認為目前「等權(quán)共治」策略較佳。內(nèi)存業(yè)者表示,在瑞晶股權(quán)落入爾必達(Elpida)手中后,華亞科主導(dǎo)權(quán)亦成為臺、美雙方角力戰(zhàn)場,背后意義在于DRAM產(chǎn)能分配和潛在市占率。不過,針對美光要求提高華亞科持股一事,華亞科與南亞科均不予置評。 2009年臺DRAM產(chǎn)業(yè)整合計劃白忙1年,而茂德與海力士(Hynix)分手,亦使
- 關(guān)鍵字: 華亞科 DRAM DDR3
2010年全球DRAM市場展望
- 全球DRAM廠商自2006年紛紛投入“擴廠競賽”以來,DRAM市場嚴(yán)重供過于求的陰霾就揮之不去,在這樣心理預(yù)期下,DRAM價格持續(xù)性下跌也就顯得理所當(dāng)然。 所幸,金融海嘯的發(fā)生,迫使除三星電子(Samsung Electronics)外的全球DRAM廠商都必須削減資本支出,停止原先擴廠計劃,單就臺灣各家DRAM業(yè)者為例,2008年第4季以來就有5座12吋廠、合計31萬片12吋晶圓月產(chǎn)能的建廠計劃遭到凍結(jié)或延后,茂德更為確?,F(xiàn)金,暫時退出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)行列,轉(zhuǎn)而投入晶圓
- 關(guān)鍵字: Samsung DRAM
臺12寸DRAM廠廢墟變黃金 美日都覬覦
- 臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)成也12吋晶圓廠、敗也12吋晶圓廠!在金融風(fēng)暴期間,臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)身背2,000億元的負債,每天搖旗吶喊希望政府金援,否則整個產(chǎn)業(yè)面臨垮臺的命運,根本原因就是過去幾年間,業(yè)者太容易拿到資本市場的資金,因此盲目蓋了太多的12吋廠,隨著微軟(Microsoft)的Vista換機潮成夢一場,DRAM供需失衡的問題浮出,全球金融風(fēng)暴成為壓垮駱駝的最后1根稻草,DRAM產(chǎn)業(yè)從此陷入惡夢。 熬過2009年,第1個出局的,反而不是始終為人詬病沒有技術(shù)扎根的臺灣DRAM廠,而是奇夢達(Qimo
- 關(guān)鍵字: 奇夢達 DRAM 晶圓
2010年內(nèi)存市場預(yù)測:價格走高 產(chǎn)能不足
- 隨著2010年寒假及春節(jié)的臨近,電子賣場即將迎來新一輪的銷售高潮。記者在走訪中關(guān)村電子賣場時了解到,步入2010年,多數(shù)型號內(nèi)存價格已有小幅上漲,或已計劃漲價。銷售人員向記者介紹道,從2009年中旬至今,內(nèi)存價格一路上揚,其主要原因在于金融危機對中國市場的影響逐漸消逝,而各廠家的出貨量沒有迅速提高,導(dǎo)致部分廠家、型號的內(nèi)存出現(xiàn)短時間缺貨。 據(jù)商家預(yù)計,2010年內(nèi)存價格仍會緩慢上漲,寒假銷售情況被普遍看好。 據(jù)國外專業(yè)分析機構(gòu)DRAMeXchange報道,受2010年P(guān)C銷量看漲以及OEM
- 關(guān)鍵字: 奇夢達 DRAM DDR3 內(nèi)存
韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布,并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為,也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明,針對計算機記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月,F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調(diào)查,偵查是否有操縱價格的事實,之后已針對全球4家企業(yè)進行調(diào)查,其中2家位于韓國,另外2家分別在美國和日本,但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。 韓國快閃記
- 關(guān)鍵字: 海力士 NAND DRAM
韓國FTC:NAND Flash大廠無操控價格
- 據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo),韓國公平貿(mào)易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據(jù),將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外,韓國FTC表示,至目前為止所有和存儲器市場相關(guān)的操控價格調(diào)查皆已完成,包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。 韓國FTC自2007年1月開始調(diào)查存儲器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價格的不法行為,并調(diào)查4家全球存儲器大廠,包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商,然FTC并未透露遭調(diào)查的廠商名稱。 存儲器產(chǎn)業(yè)近年來遭數(shù)個國家調(diào)查是否存在柯斷,近期
- 關(guān)鍵字: Samsung DRAM 存儲器芯片 NAND
華亞科現(xiàn)金增資案過關(guān)
- 2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好,臺系DRAM廠忙著搶錢擴大產(chǎn)能,華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資,預(yù)計再募資超過新臺幣百億元,日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預(yù)計2010年資本支出上看450億元,與同為臺塑集團的南亞科合計資本支出高達640億元,2家DRAM廠雙雙展開搶錢大作戰(zhàn),一同轉(zhuǎn)進50奈米制程世代,且同時增加DDR3新產(chǎn)品的出貨比重,屆時生產(chǎn)成本可持續(xù)降低。 經(jīng)歷2008年金融風(fēng)暴洗禮,全球DRAM廠從破產(chǎn)邊緣逐漸爬起,也使得各廠都沒有多余的資金可以擴產(chǎn)和進行制程微縮,配合終端需求有Windo
- 關(guān)鍵字: 華亞科 DRAM DDR3
記取DRAM再造失敗教訓(xùn) 臺“經(jīng)濟部”擬推動“產(chǎn)業(yè)再造法”
- 臺“經(jīng)濟部”主導(dǎo)的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎已確定翻案無望,“經(jīng)濟部”長施顏祥29日首度松口表示,若國發(fā)基金無法投資臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC),或許可改由民間資金投入。由于產(chǎn)業(yè)經(jīng)常會遇到再造的需求,“經(jīng)濟部”也可能要仿效日本,制定「產(chǎn)業(yè)再造法」,作為政府解決產(chǎn)業(yè)危機的主要依據(jù)。 “經(jīng)濟部”長施顏祥29日舉行“經(jīng)濟部”年終記者會,對于TIMC停擺,政府的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方
- 關(guān)鍵字: TIMC DRAM
DRAM內(nèi)存芯片2010年將嚴(yán)重缺貨 廠商受益
- 由于消費者需求增長,以及企業(yè)進入PC更換周期,2010年下半年DRAM內(nèi)存將嚴(yán)重缺貨。 2009年,DRAM芯片價格在大部分時間內(nèi)都呈增長趨勢,因為受經(jīng)濟低迷影響許多廠商都削減了產(chǎn)量,只是在剛剛過去的兩個月內(nèi)趨于穩(wěn)定。 調(diào)研公司DRAMeXchange認為:“受PC銷量增長推動,DRAM芯片明年下半年將出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨。對于DRAM廠商而言,2010年全年盈利的機會較大。” DRAMeXchange預(yù)計,2010年P(guān)C出貨量將增長13%。其中,筆記本將增長22.5
- 關(guān)鍵字: DRAM 芯片
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