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mosfet-90n10 文章 進(jìn)入mosfet-90n10技術(shù)社區(qū)
MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法
- 我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型:
Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd:是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊,第二是
耗盡區(qū)電容 - 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 功耗計(jì)算 方法
MHP技術(shù)在鋰電池電路保護(hù)中的應(yīng)用
- 鋰離子電池的先進(jìn)技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量,可以取代諸如電動(dòng)工具、電...
- 關(guān)鍵字: MHP技術(shù) 鋰電池 電路保護(hù) MOSFET
理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)
- 本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程,從而使電子工程師知...
- 關(guān)鍵字: MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗 主導(dǎo)參數(shù)
開(kāi)關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析
- 開(kāi)關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用已越來(lái)越普及。MOSFET由于開(kāi)關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開(kāi)關(guān)電源最常用的功率開(kāi)關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開(kāi)關(guān)電源工作的可靠性及性能
- 關(guān)鍵字: 介紹 分析 電路 驅(qū)動(dòng) MOSFET 開(kāi)關(guān)電源
中國(guó)新一代汽車電子的兩大設(shè)計(jì)趨勢(shì)
- 如今的汽車市場(chǎng)正受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的沖擊,與此同時(shí),提高安全性能和綠色環(huán)保這兩大趨勢(shì)也驅(qū)動(dòng)著新一代汽車的發(fā)展,并...
- 關(guān)鍵字: 智能開(kāi)關(guān) MOSFET DC-DC轉(zhuǎn)換器
恩智浦推出新型汽車級(jí)TrenchMOS器件
- 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (納斯達(dá)克:NXPI)日前宣布推出全新汽車級(jí)功率MOSFET器件系列,該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù),具有極低導(dǎo)通電阻(RDSon)、極高的開(kāi)關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級(jí)MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證,成功通過(guò)了175?C高溫下超過(guò)1,600小時(shí)的延長(zhǎng)壽命測(cè)試(性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求),同時(shí)具有極低PPM 水平。
- 關(guān)鍵字: 恩智浦 MOSFET
mosfet-90n10介紹
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