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了解RET的開關(guān)特性

  • 可通過基極電流開啟或關(guān)閉雙極結(jié)型晶體管(BJT)。但是，由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度，因而在許多應(yīng)用中，需要一個串聯(lián)電阻將基極電流保持在所需水平，從而確保BJT穩(wěn)定安全地工作。閱讀本文，了解如何使用RET來應(yīng)對標準BJT的溫度依賴性。為了減少元器件數(shù)量、簡化電路板設(shè)計，配電阻晶體管將一個或兩個雙極性晶體管與偏置電阻組合在一起，集成在同一個晶片上。替代方案包括在基極-發(fā)射極路徑上并聯(lián)第二個集成電阻，以創(chuàng)建用于設(shè)置基極電壓的分壓器。這可以提供更精細的微調(diào)和更好的關(guān)斷特性。由于這些內(nèi)部
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Nexperia宣布面向高速數(shù)據(jù)線的TrEOS系列ESD保護器件再添兩款新產(chǎn)品

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。 Nexperia高級產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示：“Nexperia開發(fā)了TrEOS產(chǎn)品組合，專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt
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Nexperia發(fā)布用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的650 V超快恢復(fù)整流管

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布，旗下面向工業(yè)和汽車領(lǐng)域的銅夾片F(xiàn)latPower (CFP)封裝二極管系列產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。新增產(chǎn)品包括4個采用CFP3和CFP5封裝的650 V、1 A器件，可應(yīng)用于車載充電器(OBC)和電動汽車逆變器，以及工業(yè)應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換器、PV逆變器和電源。標準產(chǎn)品包括PNU65010ER (CFP3)和PNU65010EP (CFP5)，符合AEC-Q101標準的產(chǎn)品包括PNU65010ER-Q (CFP3)和PNU65010EP-Q (CFP5)
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Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結(jié)合，非常適合用于12V熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。  多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗結(jié)合起來，增強器件中關(guān)鍵MOSFET的性能，滿足特定應(yīng)用的要求，以打造市場領(lǐng)先的ASFET。自ASFET推出以來，針對電池隔離(BMS)、直流
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Nexperia 授予 Digi-Key Electronics 2021 年度電子零售商獎

  • 全球供應(yīng)品類豐富、發(fā)貨快速的現(xiàn)貨電子元器件產(chǎn)品分銷商 Digi-Key Electronics，榮獲 Nexperia 頒發(fā)的 2021 年度電子零售商獎，Nexperia 是半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能權(quán)威專家之一。Digi-Key 榮獲 Nexperia 頒發(fā)的 2021 年度電子零售商獎Digi-Key 全球供應(yīng)商管理副總裁 David Stein 表示：“我代表整個 Digi-Key 團隊，感謝 Nexperia 授予我們這一巨大榮譽。在這個前所未有的時刻，能得到
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Nexperia成功增強其CFP功率二極管的范圍

  • 奈梅亨，2022年10月12日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高性能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出其快速擴展的銅夾片F(xiàn)latPower (CFP)封裝二極管系列的最新產(chǎn)品，主要應(yīng)用于工業(yè)和汽車領(lǐng)域。此最新產(chǎn)品含有32個平面肖特基二極管以及8個超快速恢復(fù)整流二極管，均封裝在CFP15B中。包含通用型號和符合AEC-Q101車規(guī)標準的帶Q的器件。通過將多種版本的器件推向市場，Nexperia強調(diào)了其擴大產(chǎn)能、加快向體積更小和熱優(yōu)化的封裝過渡的承諾。讓工程師僅從一家供應(yīng)商即可獲取市場上最為廣泛的CFP封裝二極管產(chǎn)品
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Nexperia超低電容ESD保護二極管保護汽車數(shù)據(jù)接口

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴展其超低鉗位和超低電容ESD保護二極管系列產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品組合旨在保護USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽車A/V監(jiān)視器、顯示器和攝像頭等高速數(shù)據(jù)線。此外，該產(chǎn)品組合還旨在解決未來高速視頻鏈路以及開放技術(shù)聯(lián)盟MGbit以太網(wǎng)應(yīng)用。  新晉產(chǎn)品包括2引腳單線器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超緊湊型DFN1006BD-2封裝，同時優(yōu)化了布線靈活性。此外，還有兩款采用DFN1006-3封裝的3引腳
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Nexperia發(fā)布具備市場領(lǐng)先效率的晶圓級12和30V MOSFET

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關(guān)
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Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競爭的領(lǐng)跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設(shè)備和可聽戴設(shè)備正在融入新的人工智能(AI)和機器學(xué)習(xí)(ML)技術(shù)，這為產(chǎn)品設(shè)計帶來了若干挑戰(zhàn)。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
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Nexperia推出全新電平轉(zhuǎn)換器以支持傳統(tǒng)和未來的手機SIM卡

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出其電平轉(zhuǎn)換器系列的新晉產(chǎn)品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可實現(xiàn)下一代低壓手機基帶處理器與用戶身份模塊(SIM)卡的無縫連接。隨著處理器的幾何尺寸向個位數(shù)納米節(jié)點發(fā)展，先進SOC的核心電壓也正逐漸下降。此發(fā)展趨勢導(dǎo)致對電壓轉(zhuǎn)換器的需求日益增加，以將SOC連接到其他標準處理設(shè)備和I/O端口（如傳統(tǒng)的Class B和Class C SIM卡）。  NXT4557GU和NXT4556UP是雙電源轉(zhuǎn)換器，支持主機處理器側(cè)1.08 V至1
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Nexperia的USB4 ESD二極管件實現(xiàn)了保護和性能的出色平衡

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出兩款經(jīng)優(yōu)化的靜電放電(ESD)保護二極管件，適用于高速數(shù)據(jù)線中的重定時器和信號中繼器。PESD2V8Y1BSF專為保護USB4 (Thunderbolt)接口而設(shè)計，而PESD4V0Y1BCSF可適用于USB4以及HDMI 2.1。這兩款產(chǎn)品均使用Nexperia的成熟TrEOS技術(shù)，集低鉗位、低電容和高穩(wěn)健性優(yōu)勢于一身。 重定時器和信號中繼器是設(shè)計高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線變更短，從而降低寄生電感，但也會意外地降低整體系統(tǒng)
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Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進電子器件的供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯(lián)系，此次進一步合作的目標是共同開發(fā)GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應(yīng)用。隨著客運車輛日益電氣化，市場對功率半導(dǎo)體的要求也在不斷提高，需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉(zhuǎn)換。高壓功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)與創(chuàng)新型封裝技術(shù)相結(jié)合，可以滿
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Nexperia推出全新汽車級CFP2-HP二極管,進一步擴展銅夾片粘合FlatPower封裝二極管產(chǎn)品范圍

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布推出適用于電力應(yīng)用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標準版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對要求超快速恢復(fù)的應(yīng)用，Nexperia還在產(chǎn)品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。在現(xiàn)代汽車架構(gòu)中，
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Nexperia推出全新汽車級CFP2-HP二極管

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出適用于電力應(yīng)用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標準版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對要求超快速恢復(fù)的應(yīng)用，Nexperia還在產(chǎn)品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。  在現(xiàn)
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Nexperia推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia推出了用于自動化安全氣囊應(yīng)用的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導(dǎo)通內(nèi)阻、邏輯控制電平MOSFET，應(yīng)用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應(yīng)用而設(shè)計并優(yōu)化的MOSFET。此產(chǎn)品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供的一系列ASFET中的最新產(chǎn)品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強安全工作區(qū)(SOA)技術(shù)
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