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Nexperia推出首款帶可焊性側(cè)面、采用DFN封裝的LED驅(qū)動器

  • 2020年10月12日消息，半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布新推出一系列LED驅(qū)動器，采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封裝，能有效節(jié)省空間。LED驅(qū)動器帶可焊性側(cè)面(SWF)，可促進實現(xiàn)AOI（自動光學(xué)檢測）并提高可靠性。這是LED驅(qū)動器首次采用這種有益封裝。新量產(chǎn)的無引腳的產(chǎn)品加入已經(jīng)量產(chǎn)的帶引腳的產(chǎn)品提供更廣的產(chǎn)品組合，新產(chǎn)品與SOT223相比，在具備同等性能的情況下，將PCB空間減少了90%。新推出的DFN2020D-6 LED驅(qū)動器采用NPN和PNP技術(shù)，
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Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護的共模濾波器

  • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出全新產(chǎn)品PCMFxHDMI2BA-C，這款集成了ESD保護功能的共模濾波器具有超過10 GHz差分帶寬。它適用于高達12Gbps 的最新HDMI 2.1標準，能夠輕松通過眼圖測試。  Nexperia高速保護和濾波產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider說：“HDMI 2.1使顯示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是，這需要更優(yōu)秀的抗干擾保護，尤其是在緊湊的無線應(yīng)用中，這些2合1的ESD和濾波組合器件的性能和小尺寸非常適合對性能和空間有要求
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Nexperia全新車用TrEOS ESD保護器件兼具高信號完整性、低鉗位電壓和高浪涌抗擾度

  • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保護器件，這些器件通過了AEC-Q101認證，適用于車規(guī)級應(yīng)用，并且可承受高達175°C的高溫。同時，與所有TrEOS器件一樣，這些新的車用器件具有很低的電容，可確保高信號完整性，并具有很低的鉗位電壓和高穩(wěn)健性，適用于新的車載接口。具體的車載應(yīng)用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娛樂、多媒體與ADAS系統(tǒng)。 Nexperia的TrEOS ESD保護技術(shù)利用有源可控硅整流來克服傳統(tǒng)保護
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Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

  • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動和控制，應(yīng)用設(shè)計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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Nexperia鍺化硅整流器兼具一流高效率、熱穩(wěn)定性，節(jié)省空間

  • ?奈梅亨，2020年5月27日：半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率與快速恢復(fù)二極管的熱穩(wěn)定性。?新款1-3 A SiGe整流器以汽車、通信基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器市場為目標市場，尤其適合高溫應(yīng)用，例如，LED照明、發(fā)動機控制單元或燃油噴射。這些新推出的極低泄漏器件提供擴展的安全工作區(qū)域，在不超過175 °C的條件下不會發(fā)生熱失控。同時，工程師也可以使用適用于高溫設(shè)
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NexperiaP溝道MOSFET，采用省空間堅固LFPAK56封裝

  • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車應(yīng)用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品，在保證性能的基礎(chǔ)上，將封裝占位面積減少了50%以上。  新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內(nèi)可供選擇，導(dǎo)通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu)，由Nexperia率先應(yīng)用，已在汽車等要求
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Nexperia推出超微型MOSFET具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

  • Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用，包括可穿戴設(shè)備。這些器件還提供低導(dǎo)通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。由于采
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Nexperia推出首款支持USB4標準的ESD保護器件

  • 奈梅亨，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，這是業(yè)內(nèi)首款專門針對USB4TM標準開發(fā)的ESD保護器件，具有行業(yè)領(lǐng)先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術(shù)與有源可控硅（SCR）技術(shù)，USB4TM和Thunderbolt接口設(shè)計工程師將會特別感興趣。該器件可實現(xiàn)極低電容（低至0.1 pF）；極低鉗位電壓 動態(tài)電阻低至0.1 ?）以及非常穩(wěn)健的防浪涌與ESD性能（，最高可達20A 8/
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Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計

  •  奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關(guān)拓撲。在汽車領(lǐng)域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關(guān)心的問題?，F(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
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Nexperia面向汽車以太網(wǎng)新硅基 ESD 防護器件

  •  奈梅亨，2020年 2 月 11 日：分立元件、MOSFET 元件及模擬和邏輯 IC 的專業(yè)制造商 Nexperia，今天宣布針對 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車以太網(wǎng)系統(tǒng)推出業(yè)界領(lǐng)先且符合 OPEN Alliance 標準的硅基 ESD 防護器件 。 OPEN (One-Pair Ether-Net) Alliance Special Interest Group (SIG) 是由汽車工業(yè)和技術(shù)供應(yīng)商組成的非營利聯(lián)盟，他們相互協(xié)作，鼓勵廣泛采用基于以太網(wǎng)的網(wǎng)
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MJD 雙極晶體管（高達 8 A）豐富了 Nexperia 功率產(chǎn)品系列

  • 近日，總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領(lǐng)域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質(zhì)量、高可靠性 的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管（符合 AEC-Q101 標準以及消費者/工業(yè)標準）。該款產(chǎn)品組合包括8款同時支持 80 V 和 100 V 及NPN 和 PNP 型的元件。這些符合行業(yè)標準尺寸的通用元件如今補充了 Nexperia 現(xiàn)有的高性能雙極功率晶體管產(chǎn)品系列，從而進一步豐富了本公司的功率雙極半導(dǎo)體系列。應(yīng)用場景有：LED 汽車照明；LCD 顯示器背光源調(diào)
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

  • 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應(yīng)用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
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要提高功率密度，除改進晶圓技術(shù)之外，還要提升封裝性能

  • 汽車和工業(yè)應(yīng)用都需要不斷提高功率密度。例如，為了提高安全性，新的汽車動力轉(zhuǎn)向設(shè)計現(xiàn)在要求雙冗余電路，這意味著要在相同空間內(nèi)容納雙倍的元器件。再舉一個例子，在服務(wù)器群中，每平方米都要耗費一定成本，用戶通常每18個月要求相同電源封裝中的輸出功率翻倍。如果分立式半導(dǎo)體供應(yīng)商要應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，不能僅專注于改進晶圓技術(shù)，還必須努力提升封裝性能。總部位于荷蘭的安世半導(dǎo)體是分立器件、MOSFET器件、模擬和邏輯集成電路領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，該公司率先在-功率封裝（LFPAK無損封裝）內(nèi)部采用了全銅夾片芯片貼裝技術(shù)，目的是實現(xiàn)多種
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Nexperia 榮膺博世全球供應(yīng)商獎

  • 奈梅亨，2019 年 7 月 18 日：分立器件、 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC 專家 Nexperia 今日宣布其榮膺“直接材料采購——移動解決方案”類博世全球供應(yīng)商獎。Nexperia 憑借 2017-2018 年度的卓越表現(xiàn)和團隊合作，從博世的 43,000 家實力供應(yīng)商中脫穎而出，躋身 47 家獲此殊榮的公司之列。自 1987 年起，博世每兩年頒發(fā)此獎，以此鼓勵在產(chǎn)品生產(chǎn)與供應(yīng)或服務(wù)中表現(xiàn)杰出的公司，該獎項尤其關(guān)注質(zhì)量、成本、創(chuàng)新和物流。今年的頒獎典禮在德國不萊夏舉行，其主題是：“共同變革
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安世半導(dǎo)體：深化中國戰(zhàn)略 鞏固規(guī)模優(yōu)勢

  • 2017年從NXP標準化產(chǎn)品部獨立而成的安世半導(dǎo)體專注于高度可靠的創(chuàng)新分立式器件、MOSFET和邏輯產(chǎn)品組合。在分立器件領(lǐng)域，規(guī)?；瞧髽I(yè)競爭中非常重要的優(yōu)勢，產(chǎn)能則是規(guī)模化優(yōu)勢最明顯的體現(xiàn)。作為一家中國資本投資，歐洲團隊管理運作的企業(yè)，通過深化中國戰(zhàn)略，鞏固產(chǎn)能為主的規(guī)?；瘍?yōu)勢，安世半導(dǎo)體兩年間實現(xiàn)了飛速的增長。?規(guī)模優(yōu)勢帶來的是企業(yè)的快速發(fā)展，安世獨立之后就開始深化在中國市場的投資，不斷擴充生產(chǎn)規(guī)模，每年將10%的銷售收入用于資本投入，其中73%用于擴充產(chǎn)能，這使得安世半導(dǎo)體在兩年里實現(xiàn)了超
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