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ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內(nèi)的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。對于功率半導(dǎo)體來說，當導(dǎo)通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產(chǎn)品，通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3，改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約4
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德州儀器多合一動力總成系統(tǒng)解決方案，助力新能源汽車快速實現(xiàn)輕量、高效、降本

  • 當汽車應(yīng)用程序可以用更少的零件完成更多的工作時，就可以在減少重量和成本的同時提高可靠性，這就是將?電動汽車（EV）和混合電動汽車（HEV）?設(shè)計與多合一動力總成系統(tǒng)相整合的思路。什么是多合一動力總成組合架構(gòu)？多合一動力總成系統(tǒng)整合了諸如車載充電器（OBC）、高電壓DC/DC（HV DCDC）、逆變器和配電單元（PDU）等動力系統(tǒng)終端器件。如圖1所示，可在機械、控制或動力系統(tǒng)級別應(yīng)用整合。圖1：電動汽車標準架構(gòu)概述為什么多合一動力總成系統(tǒng)最適合HEV/EV？多合一動力總成系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)：●
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ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動汽車車載充電器

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應(yīng)用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預(yù)計將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
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馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者TRANSPHORM Inc.

  • 領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體公司Transphorm達成戰(zhàn)略合作。通過此協(xié)議，MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領(lǐng)域OBC車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動力總成逆變器開發(fā)的尖端技術(shù)，進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，提供高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體，并擁有和汽車行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗。獲得這一技術(shù)對正在探索電力傳動系統(tǒng)業(yè)務(wù)
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揭秘電動汽車充電系統(tǒng)，其實貓膩挺多

  • 電動汽車充電一直是大家公認的難題，今天介紹一下電動汽車充電系統(tǒng)，讓大家有個大致的了解。
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歐比特SIP-OBC模塊產(chǎn)品和S698PM獲兩項大獎

  • 　　日前，由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、中國電子材料行業(yè)協(xié)會和中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會共同主辦的“第八屆(2013年度)中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)項目”評選活動舉行了頒獎儀式，由珠海歐比特控制工程股份有限公司公司提交的SIP-OBC模塊產(chǎn)品和S698PM四核處理器分別榮獲“最佳創(chuàng)新獎”和“集成電路設(shè)計市場成功產(chǎn)品獎”。歐比特公司則榮獲“SIP和集成電路設(shè)計”年度成功企業(yè)稱號?！　?jù)了解，歐比特公司從2007年就開始關(guān)注SIP立體封裝的技術(shù)的發(fā)展狀況，并積極開展技術(shù)研究及市場調(diào)研工作，于2008年投入研發(fā)力量進行技術(shù)
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