p-si 文章進(jìn)入p-si技術(shù)社區(qū)

基于ST第五代高精度定位芯片的車載定位P-BOX方案

目前，汽車導(dǎo)航定位主要采用衛(wèi)慣組合導(dǎo)航系統(tǒng)，即全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)(GNSS)和慣性導(dǎo)航系統(tǒng)(INS)。全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)用于實(shí)現(xiàn)絕對定位，而慣性導(dǎo)航系統(tǒng)用于實(shí)現(xiàn)相對定位，兩者相結(jié)合才可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、可靠的高精度定位。ST最新的高精度定位解決方案P-BOX是ST汽車級芯片組全面解決方案，可以支持多頻段GNSS信號接收、Rawdata原始觀測值輸出、IMU慣性導(dǎo)航等。?場景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)勢1. 功能安全兼容：第一個功能安全的ASIL-B P-box應(yīng)用設(shè)計與ST整體解決方案(STA910
關(guān)鍵字： ST 高精度定位車載定位 P-BOX

德承搶先發(fā)表12代Alder Lake-P平臺高效能平板電腦,引領(lǐng)效能新標(biāo)準(zhǔn)

強(qiáng)固型嵌入式電腦品牌 – cincoze德承推出Display Computing – CRYSTAL產(chǎn)品線高性能平板電腦系列(P2202+CV/CS/CO Series)，其亮點(diǎn)在于搭載了Intel Alder Lake-P (U-Series)處理器，提供目前市面少有的優(yōu)異運(yùn)算效能外，透過德承獨(dú)家的CDS技術(shù)，可以根據(jù)不同的需求，應(yīng)用于廣泛的工業(yè)場景，戶外高溫陽光直射環(huán)境或是需要于設(shè)備機(jī)臺整合等，勢將成為人機(jī)界面應(yīng)用的理想選擇。外型輕薄，效能強(qiáng)勁P2202系列包含了標(biāo)準(zhǔn)機(jī)型P2202以及具有PCIe擴(kuò)
關(guān)鍵字：德承 Alder Lake-P 平板電腦

ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
關(guān)鍵字： ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET

深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊

氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達(dá)到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨(dú)特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現(xiàn)商用，6 英寸
關(guān)鍵字： GaN-on-Si 氮化鎵

如何組合使用低通濾波器和ADC驅(qū)動器獲取20V p-p信號

問題：為何要組合使用低通濾波器(LPF)和模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)驅(qū)動器？?答案：為了減小模擬信號鏈的尺寸，降低其成本，并提供ADC抗混疊保護(hù)（ADC采樣頻率周圍頻段中的ADC輸入信號不受數(shù)字濾波器保護(hù)，必須由模擬低通濾波器(LPF)進(jìn)行衰減）。20 V p-p LPF驅(qū)動器一般用于工業(yè)、科技和醫(yī)療(ISM)設(shè)備中，該設(shè)備必須使用具有更低滿量程輸入的高速ADC對傳統(tǒng)的20 V p-p信號范圍進(jìn)行數(shù)字化處理。?簡介通過驅(qū)動ADC實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的混合信號性能，這是一大設(shè)計挑戰(zhàn)。圖1所示為標(biāo)準(zhǔn)的驅(qū)動器
關(guān)鍵字：低通濾波器 ADC p-p信號

基于PI LinkSwitch-TN2 LNK3294G/P 的Standby Power方案

Power Integrations，近日推出LinkSwitc-TN2 系列 IC，此系列適用于非隔離離線式電源供應(yīng)器，且應(yīng)屬高度整合(內(nèi)建Mosfet與控制器)，可大幅提高效能與節(jié)省空間，相較于傳統(tǒng)線性或電容式降壓器更具優(yōu)勢。所有裝置中內(nèi)建的半導(dǎo)體，除了以往傳統(tǒng)的耐壓為725V外，更是推出了高達(dá)耐壓900V的MOSFET，使得設(shè)計與應(yīng)用方面更為彈性，其控制器也包含了振蕩器、于輕負(fù)載時實(shí)現(xiàn)最高效率的開/關(guān)控制、自偏壓的高電壓切換電流源、頻率抖動(Jitter)、current limit(可調(diào)整)、磁滯
關(guān)鍵字： PI LinkSwitch-TN2 LNK3294G/P

持續(xù)健康增長，DR&P未來五年仍將保持13.7%的年復(fù)合增長率

北京 2022年11月3日——IDC于近日發(fā)布《中國數(shù)據(jù)復(fù)制與保護(hù)系統(tǒng)市場季度跟蹤報告，2022上半年》。報告顯示，2022上半年，數(shù)據(jù)復(fù)制與保護(hù)市場較去年同期實(shí)現(xiàn)了9.8%的增長，市場規(guī)模達(dá)到2.7億美元。IDC預(yù)測，未來五年，中國數(shù)據(jù)復(fù)制與保護(hù)市場將以13.7%的年復(fù)合增長率（CAGR）增長，在2026年達(dá)到12. 6億美元。網(wǎng)絡(luò)安全等級保護(hù)2.0的推出和異構(gòu)環(huán)境帶來的數(shù)據(jù)保護(hù)問題，使得企業(yè)客戶更加重視數(shù)據(jù)復(fù)制和保護(hù)。在數(shù)字化浪潮下，數(shù)據(jù)在推動信息滲透、跨界融合領(lǐng)域展現(xiàn)著極為重要的地位，成為企業(yè)數(shù)字產(chǎn)
關(guān)鍵字： DR&P IDC

UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET

移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過
關(guān)鍵字： Mentor P Qorvo SiC FET

貿(mào)澤電子與Fortebit簽署全球分銷協(xié)議

專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 ( Mouser Electronics ) 近日宣布與 Fortebit 簽署全球分銷協(xié)議。該公司設(shè)計并制造高質(zhì)量、高性價比的解決方案，用于嵌入式語音識別、語音播放功能和位置服務(wù)。簽署此項協(xié)議后，貿(mào)澤分銷的 Fortebit產(chǎn)品線包含EasyVR 3 Plus語音識別器件和Polaris汽車物聯(lián)網(wǎng)平臺等產(chǎn)品。 EasyVR 3 Plus 是一款多
關(guān)鍵字： SD SV SI

智?遠(yuǎn) | IA架構(gòu)何以引領(lǐng)視頻會議邁向智能時代

知IN，英特爾的自媒體微信賬號。分享英特爾新聞、產(chǎn)品技術(shù)和內(nèi)幕故事；交流行業(yè)熱點(diǎn)話題；體味科技與人文的溫度
關(guān)鍵字： SI IA

Bourns推出聚合物溫度保護(hù)器（P-TCO）系列產(chǎn)品，充分保護(hù)USB-C電纜線且避免受熱失控影響

　　2019年3月19日 - 美國柏恩Bourns全球知名電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，今天推出了新系列的聚合物溫度保護(hù)器(P-TCO)，其特色在于保護(hù)USB-C電纜線避免受破壞性和潛在危險的熱失控事件影響。Bourns新型P-TCO系列提供適用于USB 3.2、3.1、3.0和2.0以及其他類型數(shù)據(jù)/充電電纜線的USB C-C、C-B和C-A連接器配置優(yōu)化的過溫保護(hù)解決方案?！　ourns? P-TCO-U與P-TCO-N系列　　USB Type-C連接器能夠提供高達(dá)100W的功率，具有24個引
關(guān)鍵字： Bourns P-TCO

a-Si/GZO/LTPS三種技術(shù)對比

隨著顯示產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，人們對于顯示成像技術(shù)的要求不斷提高，這也促使著技術(shù)的不斷發(fā)展，TFT-LCD這種低成本、高解析度、高亮度、寬視角以及低功耗
關(guān)鍵字： a-Si GZO LTPS

2017年TDDI出貨量估成長191% a-Si規(guī)格成新藍(lán)海

　　DIGITIMESResearch觀察觸控與顯示驅(qū)動整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市場發(fā)展，由于增加HybridIn-Cell型態(tài)產(chǎn)品，以及面板業(yè)者導(dǎo)入TDDI動機(jī)提升等因素帶動，2017年全球TDDI出貨量將較2016年成長191%，其中，臺系業(yè)者市占率將達(dá)近4成，從過去由新思(Synaptics)一家獨(dú)大局面中突圍。　　TDDI芯片又稱IDC(IntegratedDisplayandController)，2017年上半受大中華區(qū)智能型手
關(guān)鍵字： a-Si TDDI

一種新型的寬帶方向圖可重構(gòu)天線

本文介紹了一款新穎的PRA(Pattern Reconfigurable Antenna)。天線輻射單元主要由三部分組成：包括矩形驅(qū)動貼片，兩個對稱的開了CRS(Cross Ring Slot)的半圓形寄生單元以及地平面。兩組p-i-n二極管分別放置在十字形環(huán)縫隙上，通過這兩組p-i-n二極管電開關(guān)將它們連接起來，從而可以實(shí)現(xiàn)輻射方向圖可調(diào)。仿真結(jié)果表明，天線在4.29GHz~4.87GHz頻率范圍內(nèi)S11<-10dB，阻抗帶寬大于500MHz，具備良好的寬帶特性。并且具有三種輻射方向圖，可以通過p-i-
關(guān)鍵字： CRS 方向圖可調(diào) 寬帶 p-i-n二極管 201701

P-NET現(xiàn)場總線技術(shù)的結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)特點(diǎn)、運(yùn)行模式及應(yīng)用

1引言P-NET現(xiàn)場總線技術(shù)由丹麥Proces-DataA／S公司研究并開發(fā)，是一種全世界通用的開放型標(biāo)準(zhǔn)化總線。它可以將生產(chǎn)過程的各個部分，
關(guān)鍵字： P-NET現(xiàn)場總線技術(shù)系統(tǒng)特點(diǎn)運(yùn)行模