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中國投千億美元發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè) 這不是花錢就能解決的問題

  •   8月27日消息,中國目前大力推動(dòng)國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展,目標(biāo)是在將來成為全球電腦芯片制造業(yè)的領(lǐng)軍者。這一宏偉計(jì)劃似乎遇到了難以逾越的障礙。   在2014年,中國就宣布將投資1000億美元以發(fā)展芯片設(shè)計(jì)和制造產(chǎn)業(yè),以期在未來占據(jù)行業(yè)頭把交椅。大筆資金已經(jīng)投入了新制造工廠的修建之中。但貝恩管理咨詢公司(Bain & Company )的最新分析顯示,中國僅僅依靠這1000億美元的投資是無法保證自己在芯片行業(yè)取得領(lǐng)先的。   中國國有芯片制造企業(yè)XMC(武漢新芯集成電路制造有限公司)正大舉興建用于加
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三星承包Q2全球61.5%移動(dòng)DRAM市場

  •   韓聯(lián)社首爾8月17日電 據(jù)半導(dǎo)體市場調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange消息,三星電子2016年第二季移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的銷售額同比增長19.4%至24.18億美元,全球市場占有率升至61.5%,創(chuàng)下移動(dòng)DRAM市場份額單獨(dú)統(tǒng)計(jì)以來的歷史最高紀(jì)錄。   三星2015年后三季度的移動(dòng)DRAM市場份額均未突破60%關(guān)口,分別為57.6%、56.9%、58.2%。繼今年第一季突破60%后,第二季又提升1.1個(gè)百分點(diǎn)。三星移動(dòng)DRAM的市場份額更是比DRAM市場份額(47.4%)高出14.1個(gè)百分點(diǎn)
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全球DRAM總營收 研調(diào)機(jī)構(gòu)估第3季將較顯著成長

  •   DRAMeXchange最新報(bào)告指出,中國地區(qū)的智慧型手機(jī)出貨依然強(qiáng)勁,DRAM三大廠同步調(diào)整產(chǎn)品類別,持續(xù)向行動(dòng)式記憶體轉(zhuǎn)進(jìn),伴隨第3季強(qiáng)勁的旺季備貨需求到來,預(yù)估第3季全球DRAM總營收將出現(xiàn)較顯著的成長。   DRAMeXchange表示,因市況供過于求,第2季DRAM的平均銷售單價(jià)持續(xù)下滑,整體均價(jià)季跌幅超過5%,但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長,使得第2季全球DRAM總營收約91億美元,季成長6.3%。   三星在第2季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收仍排行第一,營收季
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Q2全球DRAM總營收91億美元臺(tái)廠華邦電表現(xiàn)最佳

  •   TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,由于市況供過于求,第2季DRAM的平均銷售單價(jià)持續(xù)下滑,整體均價(jià)季跌幅超過5%,但受惠美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長,第2季全球DRAM總營收約91億美元,季成長6.3%;三星、SK海力士、美光三大廠營收都成長,臺(tái)廠部分,以華邦電( 2344-TW )營收季增3.3%表現(xiàn)最佳。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第2季筆記型電腦及伺服器相關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現(xiàn)一般,但中國地區(qū)的智慧型手
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DRAM拖累全球IC銷售額下降2%

  •   按IC Insight的最新IC市場觀察報(bào)告,2016年因供過于求,導(dǎo)致全球DRAM的平均售價(jià)(ASP)下降16%,導(dǎo)致全球IC銷售額下降2%。   由于PC,筆記本,及平板電腦,包括智能手機(jī)等的出貨量減少,今年全球DRAM銷售額下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏,由2014年的3.16美元高點(diǎn),到2012年時(shí)的1.69美元。        IC Insight認(rèn)為,一組DRAM的ASP曲線,從2007年開始象飛機(jī)飛過山谷時(shí)一樣的起伏。預(yù)計(jì)在服務(wù)器及新智能手機(jī)等市場需求推動(dòng)
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第二季全球DRAM總營收成長6.3%

  •   受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長,使得第二季全球DRAM總營收約91億美元,季成長6.3%。   TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,由于市況供過于求,第二季DRAM的平均銷售單價(jià)持續(xù)下滑,整體均價(jià)季跌幅超過5%。然而,受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長,使得第二季全球DRAM總營收約91億美元,季成長6.3%。   DRAMe
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第二季DRAM總營收小幅增長6.3%

  •   TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報(bào)告顯示,由于市況供過于求,第二季DRAM的平均銷售單 價(jià)持續(xù)下滑,整體均價(jià)季跌幅超過5%。然而,受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給增長,使得第二季全球DRAM總營收約91億 美元,季增長6.3%。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第二季筆記本電腦及服務(wù)器相 關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現(xiàn)一般,但中國地區(qū)的智能手機(jī)出貨依然強(qiáng)勁,因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類別,持續(xù)向行動(dòng)式內(nèi)存
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Toppan Photomasks, Inc批準(zhǔn)在中國建設(shè)先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線項(xiàng)目

  •   全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準(zhǔn)對近期擴(kuò)建的中國上海廠的下一階段投資計(jì)劃;該廠由TPI獨(dú)資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運(yùn)營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對中國快速成長的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴(kuò)建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。   
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DRAM業(yè)恐掀巨變 美光面臨生存戰(zhàn)

  • 并購以后DRAM市場的“貧富差距”愈形明顯,產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)可能掀起巨變。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

2016年全球DRAM市場與趨勢分析

  • 本文主要介紹和分析了2015和2016年DRAM市場走勢。結(jié)論是2016年第三季度DRAM已經(jīng)平穩(wěn)上漲4%~8%左右。預(yù)計(jì)在2016第四季度價(jià)格會(huì)略有下滑,但2017年成長會(huì)低于20%。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  市場  手機(jī)  服務(wù)器  201608  

后摩爾定律時(shí)代:終于跨越鴻溝?

  • 摩爾定律并未失效,可能無法像以前那樣自動(dòng)跳到下一世代制程,不過可以看到有很多公司在進(jìn)行20 nm及以下的設(shè)計(jì)開發(fā)。
  • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  DRAM  

NAND快閃記憶體價(jià)格上漲 創(chuàng)見威剛笑開懷

  •   NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡(luò),加上智能手機(jī)搭載容量提高,帶動(dòng)近月價(jià)格持續(xù)上漲,創(chuàng)見、威剛等模組廠營運(yùn)受惠,市場預(yù)期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何,將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續(xù)漲力道。   市場指出,上半年非蘋陣營智能手機(jī)產(chǎn)品銷售強(qiáng)勁,產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增,加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導(dǎo)致停工,帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲,主流產(chǎn)品在1個(gè)月內(nèi)漲幅超過2成。   市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠營運(yùn)增溫,創(chuàng)見表示,在漲價(jià)預(yù)期心理帶動(dòng)下,通路拉貨力道明顯回升,DRA
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中國首座DRAM廠動(dòng)工,三星、海力士冒冷汗

  •   韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)周二報(bào)導(dǎo),國營福建晉華積體電路公司(音譯:Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在來自聯(lián)電(2303)技術(shù)的加持下,已著手建造半導(dǎo)體廠,將藉此切入DRAM市場。   來自產(chǎn)業(yè)內(nèi)的訊息指出,福建晉華上周六已在晉江市,舉行DRAM廠破土動(dòng)工儀式,第一期工程投資規(guī)模預(yù)估來到370億人民幣,或相當(dāng)于55億美元,2018年投產(chǎn)后每月可產(chǎn)出6萬片晶圓(32奈米)。   據(jù)報(bào)導(dǎo),福建晉華將獲得聯(lián)電技術(shù)支援,且全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)傳也有參與投資,但未獲
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IC Insights下修今年半導(dǎo)體業(yè)成長率至-1%

  •   IC Insights近日調(diào)降2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長率預(yù)測至-1%,表示英國脫歐也是為產(chǎn)業(yè)帶來負(fù)面沖擊的原因之一…   市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights近日調(diào)降了對2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長率預(yù)測,由原先的2%下修為-1%;該機(jī)構(gòu)表示,調(diào)降產(chǎn)業(yè)成長率預(yù)測的主要原因,是基于全球經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)衰弱,以及低迷不振的DRAM市場。   消 費(fèi)性電子市場與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之間的連動(dòng)關(guān)系越來越密切,IC Insights預(yù)期,2016年全球GDP與成長率僅2.3%;而GDP成長率若低于2.5%,被認(rèn)為是
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三星與IBM聯(lián)手打造STT-MRAM

  •   據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,IBM和三星近日在IEEE上發(fā)布研究論文稱,兩家公司聯(lián)手打造了一種被稱為STT-MRAM的新內(nèi)存,有望成為目前DRAM內(nèi)存的最實(shí)際接替者。   DRAM,即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,目前最大的發(fā)展障礙就是其很難被壓縮至10nm以下,因此兩家公司研發(fā)的STT-MRAM(自旋傳輸磁性記憶體)首先就將解決這一問題。   另外,新內(nèi)存也將擁有更高的傳輸速度且更加省電,理論性能也將超越DRAM。   業(yè)界認(rèn)為,這可能是目前DRAM的最佳接替者,因?yàn)?5%的DRAM制造設(shè)施都
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