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中國如何撕開存儲芯片壟斷圍欄？

  • 存儲芯片在新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)中扮演著重要角色，但前5家公司高度壟斷全球市場，我國發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)關(guān)乎國家安全，意義重大。
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紫光確定在華南籌建12寸DRAM廠，循華亞科模式

  • 　　大陸紫光集團已確定在大陸華南地區(qū)籌建12寸DRAM廠，并循當(dāng)年臺塑集團與美光合資華亞科的商業(yè)模式，由紫光出資建廠，再邀請美光等國際大廠入股，解決技術(shù)授權(quán)問題。 　　據(jù)了解，此計畫由前華亞科董事長、現(xiàn)為紫光集團執(zhí)行副總裁的高啟全親自操刀，業(yè)界盛傳，日本前爾必達總裁坂本幸雄亦有意加入。 　　大陸官方自前年成立國家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡稱大基金)后，就有意投入自建記憶體供應(yīng)鏈，但不論是DRAM或NAND Flash，主要制程專利及矽智財都掌握前國際大廠手中，因此，率先表態(tài)要自建記憶體產(chǎn)能的紫光集團，由
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2015臺灣DRAM產(chǎn)值增長由正轉(zhuǎn)負 晶圓代工增長下滑

  • 　　經(jīng)濟部統(tǒng)計處資料顯示，臺灣集成電路業(yè)產(chǎn)值雖持續(xù)成長，但去年增率卻是近三年來首見個位數(shù)成長，也結(jié)束自2011年以來的上升走勢，臺灣經(jīng)濟部指出，去年臺灣DRAM產(chǎn)值成長由正轉(zhuǎn)負，加上晶圓代工成長下滑，整體集成電路業(yè)產(chǎn)值年增率僅6.2%。 　　臺灣集成電路產(chǎn)值在2014年產(chǎn)值突破兆元大關(guān)，去年上半年延續(xù)榮景，較前年同期成長23.9%，但下半年因全球經(jīng)濟復(fù)蘇力道疲弱，尤其新興市場需求明顯下降，抑制終端消費性電子產(chǎn)品銷售成長動能，下半年衰退7.9%。 　　去年集成電路業(yè)產(chǎn)值增率6.2%，是自2011年低點反
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紫光計劃今年再收購2家IC公司 重心將放在IC、環(huán)保與新材料等方面

  • 　　清華紫光集團所屬的清華控股董事長徐井宏，昨天在瑞士達沃斯的世界經(jīng)濟論壇現(xiàn)場，接受彭博訪問時坦承，由于美國主管機關(guān)豎立的障礙，美光投資案過關(guān)的機會渺茫，但紫光集團仍持續(xù)推動與美光或其他公司的合作，希望藉此在記憶晶片與IC領(lǐng)域取得突破。 　　他表示，紫光集團可能尋求其他與美光的合作方式，例如成立中美合資企業(yè)。 　　徐井宏也透露，清華紫光集團旗下的3大平臺之中，主攻DRAM的同方國芯，今年將投下約2000億人民幣，再買下兩家海外IC業(yè)者，但沒有透露可能購并對象。 　　徐井宏也提到，2016紫光集團的海
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三星開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)的TSV連接4GB DRAM芯片

  • 　　三星電子2016年1月19日宣布，已開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)(HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)“JESD235A”。 　　   　　HBM2標(biāo)準(zhǔn)的DRAM芯片的結(jié)構(gòu)。 　　按照HBM2標(biāo)準(zhǔn)，DRAM芯片內(nèi)可縱向?qū)盈B最大8Gbit的存儲器裸片，裸片之間通過TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發(fā)布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務(wù)器用
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美光DRAM表現(xiàn)看弱　市場供需變化使然

  • 　　日前美光(Micron)公布最新1季結(jié)果表現(xiàn)不佳，截至2016年2月止第2季展望也不佳，消息傳出后造成股價下跌5%，也讓眾多分析師跌破眼鏡。 　　評論認為，由于傳統(tǒng)第1季是DRAM價格淡季，而且PC與移動裝置帶動DRAM成長有限，因此DRAM廠商表現(xiàn)黯淡早已可期，但也凸顯美光必須考慮加強布局3D XPoint技術(shù)必要性。 　　據(jù)SemiWiki網(wǎng)站報導(dǎo)，DRAM已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最終普遍性產(chǎn)品，因此，相當(dāng)容易受到供需平衡變化而導(dǎo)致價格改變。加上目前正處于需求弱但供應(yīng)強階段，因此，DRAM廠商欲求好表
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盤點2015：中國海外收購起摩擦

  • 迅速邁向“大國”的中國也在世界上引發(fā)摩擦，自主的行為原則與現(xiàn)有的國際秩序不兼容，在經(jīng)濟減速局面下的經(jīng)濟改革時而動搖市場，中國的真實情況到底是什么呢。
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2016年整體DRAM需求預(yù)估成長23%

  • 2016年中國持續(xù)發(fā)展半導(dǎo)體的策略不變，仍將有許多并購發(fā)生，記憶體方面更是中國發(fā)展的重點項目之一。
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DRAM慘跌拖累　美光營收衰退近3成

  • 　　DRAM市場供過于求，而分散營收的努力尚待開花結(jié)果，導(dǎo)致美光(Micron)最新一季營收、凈利均大幅衰退，本季展望也并不樂觀。 　　華爾街日報(WSJ)、彭博(Bloomberg)等媒體報導(dǎo)，美光于22日發(fā)布截至12月3日止的2016年會計年度第1季財報，營收衰退26.74%至33.5億美元，凈利衰退79.46%至2.06億美元。 　　在展望方面，美光預(yù)測本季營收將介于29億~32億美元間，每股將虧損0.05~0.15美元，雙雙低于路透(Reuters)預(yù)估的34.6億美元及0.22美元的每股盈余
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大陸扶植DRAM供應(yīng)鏈三部曲

  • 市場是開放了，技術(shù)依然要自己發(fā)展，包括華為等過去幾十年發(fā)展起來的巨頭沒有一家是通過市場換技術(shù)換來而是通過自身努力崛起的。
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中美半導(dǎo)體戰(zhàn) 美光到底打什么算盤？

  • 美光這次算盤打得好啊，曲線救國了，這下有了籌碼，再也不不用提心吊膽了。
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三星在IEDM上宣布：DRAM工藝可達10nm

  • 　　韓國三星電子于2015年12月9日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講(論文26.5)。三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，該公司表示其特性非常良好，并表示“采用同樣的方法，可以達到10nm工藝”?！　∽罱屑夹g(shù)人員指出DRAM的微細化極限是20nm。DRAM在單元中的電容器中儲存電荷，對有電荷狀態(tài)分配1、無電荷狀態(tài)分配0，以此記錄信息。但是，隨著微細化發(fā)展，電容器的表面積越來越小，不能再如愿存儲電荷。因此，業(yè)內(nèi)通過將電容器做成細長的圓柱狀來確保表面積，也就是
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外媒：中國終將成為高通的夢魘？

  • 外媒一天總是這么喪心病狂，為自家企業(yè)說話，已經(jīng)到了明目張膽的地步了。
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美光關(guān)閉波多黎各DRAM模組廠　產(chǎn)線遷往大陸

  • 　　根據(jù)ComputerWorld報導(dǎo)，美國存儲器大廠美光(Micron)有意在12月底結(jié)束在波多黎各的DRAM模組廠，將生產(chǎn)設(shè)備轉(zhuǎn)移至大陸?！　∶拦馕挥诓ǘ嗬韪鰽guadilla的DRAM模組廠占地約4.8萬平方英呎，雇用約200余名勞工。美光表示，迫于市場壓力，該公司將在12月30日結(jié)束在波多黎各的DRAM模組廠，產(chǎn)線將遷移至大陸西安?！　〈箨懓雽?dǎo)體業(yè)對外購并的消息不斷，甚至不惜傾政府之力投入，拉拔半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，先前清華紫光有意出價230億美元購并美光的消息也甚囂塵上。美國國會議員Dana Rohrab
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跟隨臺積電登陸，美光DRAM廠也傳遷廠中國

  • 　　中國傾全力提高芯片自制比率，對全球半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)生強烈磁吸效應(yīng)，不僅臺積電擋不住，美國內(nèi)存大廠美光(Micron)7日也傳出遷廠中國消息。 　　據(jù)ComputerWorld報導(dǎo)，美光月底打算收掉位在波多黎各的DRAM工廠，生產(chǎn)設(shè)備準(zhǔn)備搬到中國，將導(dǎo)致185名當(dāng)?shù)貑T工失業(yè)，這對失業(yè)率已超過12%的波多黎各，無疑是雪上加霜。 　　美光已為島上即將失業(yè)的員工申請政府救濟，美光并在聲明稿上表示，遷廠是受迫于市場壓力，在尋無可行替代方案后所做成的決定。 　　雖然美光在聲明稿上絕口不提中國，但中國絕對是美光遷廠
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