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DRAM廠和模塊廠誤判情勢 DDR2供貨吃緊
- 2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際,各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢,DDR2飽受冷板凳之苦許久,然現(xiàn)在風水輪流轉,DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故,市場意外出現(xiàn)缺貨聲浪,DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢,導致現(xiàn)在DDR2庫存過低,南亞科副總白培霖即指出,DDR2在10月之后,缺貨問題將更明顯浮上臺面,且由合約價蔓延至現(xiàn)貨價,屆時1Gb DDR2現(xiàn)貨價格將看到2美元。 近期市場傳言,三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價格壓在1.7美
- 關鍵字: Samsung DRAM NAND
三星電子半導體部門第3季營業(yè)利益重回1兆韓元大關
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體部門可望再創(chuàng)2年9個月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營業(yè)利益。據(jù)韓國證券業(yè)與相關業(yè)者表示,三星電子2009年第3季合并營業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間,且可能超越上述區(qū)間。 三星電子2004年第1季創(chuàng)下最大營業(yè)利益4.01兆韓元,其中半導體部門營業(yè)利益為1.78兆韓元,通訊部門則是1.257兆韓元,占公司整體營業(yè)利益大半。三星半導體事業(yè)更在2004年第2季創(chuàng)下史上最大營業(yè)利益2.15兆韓元,占整體單季營業(yè)利益(3.773兆韓元
- 關鍵字: 三星 DRAM LCD
海力士第3季可望轉虧為盈
- 韓國半導體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業(yè)利益,破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉虧為盈的廠商。 據(jù)業(yè)界預測,2009年第2季營業(yè)虧損2,110億韓元的海力士,2009年第3季可望轉虧為盈,落在2,000億韓元左右,接近2007年第3季營業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模,而在2007年第3季以后,三星已連續(xù)7季營運呈現(xiàn)虧損。 分析指出,海力士營運改
- 關鍵字: Hynix DRAM 50納米
CAN總線與PC機串口通信適配器設計與實現(xiàn)
- 介紹了一種在工業(yè)測控系統(tǒng)中具有通用性的,基于CAN總線控制器SJA1000的,CAN總線與PC機通過RS-232互連的串口網絡通信接口適配器的設計,詳細說明了該適配器的硬件配置、電路結構和軟件設計。并對軟硬件設計中遇到的幾個關鍵問題進行了討論。該設計方案實現(xiàn)了管理監(jiān)控層(上位PC機)和現(xiàn)場生產測控層(現(xiàn)場CAN總線網)之間的連接。充分體現(xiàn)CAN總線的靈活性和可擴展性。其實際應用結果表明:該適配器可靠性高,運行穩(wěn)定,具有很強的實用推廣價值。
- 關鍵字: 適配器 設計 實現(xiàn) 通信 串口 總線 PC CAN CAN
南科:資金陸續(xù)到位 制程轉換進度無虞
- 景氣轉好,近期科技業(yè)聯(lián)貸案陸續(xù)通過,合約DRAM大廠南科150億元(新臺幣,下同)聯(lián)貸案也可望于9月底通過,加上6月時私募120億元,以及年底可能再辦約100多億元的現(xiàn)增案,南科銀彈滿滿,轉進50奈米制程進度已經無虞。 日前奇美電聯(lián)貸案金額不斷往上追加,原應在8月結案,順延到9月上旬,金額也由最初預定的300億元規(guī)模,被聯(lián)貸銀行團超額認購到422億元,最后以400億元結案。顯見隨景氣轉好,銀行團原本緊縮的態(tài)度,也逐漸放松。而南科150億元聯(lián)貸案,預計將在9月底登場。據(jù)銀行端消息透露,最晚第四季就
- 關鍵字: 南科 DRAM 68納米
40nm工藝帶來全新競爭力
- 全球能源問題的集中爆發(fā),讓半導體產品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升,而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點。與眾多先進電源管理方案實現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比,制程工藝的進步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法,轉向更高制程無疑是提升半導體產品性能功耗比和市場競爭力最直接有效的辦法。 市場研究機構Gartner Dataquest產業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示,過去數(shù)十年來,集成器件制造商(IDM)在工藝技術及服務的創(chuàng)新方面扮演領航者的角色,未來也將繼續(xù)在新一代產品的開發(fā)上扮演重要的角色。同時,專業(yè)
- 關鍵字: 臺積電 DRAM 40nm 45nm 200909
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