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三星DRAM全球份額再創(chuàng)歷史新高，美光遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后

  • 　　南韓科技巨擘三星 DRAM 市占率再創(chuàng)新高，再加上同胞兄弟 SK 海力士的份額，兩家南韓公司已壟占全球超過八成的 DRAM 市場。 　　   　　據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu) IHS 統(tǒng)計(jì)，三星第二季 DRAM 市占率來到 45.2%，較前季成長 1.1 個(gè)百分點(diǎn)，且刷新 2011 年所寫下 45% 的紀(jì)錄。自去年第三季以來，三星 DRAM 市占率每季都在 4 成以上。 　　業(yè)界人士認(rèn)為三星在 20 奈米制程技術(shù)的硬實(shí)力，全球無人能敵，是三星得以在 DRAM 半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上取勝的重要因素，且短期之內(nèi)
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大陸供應(yīng)鏈進(jìn)逼臺灣芯片廠整并應(yīng)戰(zhàn)

  • 　　中國大陸紅色供應(yīng)鏈威脅有增無減，IC設(shè)計(jì)業(yè)者表示，整并壯大自己，是因應(yīng)對策之一，只是缺乏高級管理人才，將是當(dāng)前整并發(fā)展趨勢下，臺灣可能面臨的最大問題。 　　中國大陸政府強(qiáng)力扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，近年來中國大陸企業(yè)采取挖角與并購并進(jìn)策略，期能加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 　　南亞科總經(jīng)理高啟全日前退休，并傳將加入中國大陸紫光集團(tuán)，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體儲存業(yè)務(wù)，為國內(nèi)動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)，甚至是半導(dǎo)體業(yè)拋下震撼彈。 　　業(yè)界憂心，高啟全若真跳槽紫光集團(tuán)，在他過去多年與美光協(xié)商合作經(jīng)驗(yàn)下，有助促成紫光集團(tuán)與美光合作
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四強(qiáng)投資動作暗潮洶涌 欲爭奪3D NAND市場

  • 　　盡管目前全球存儲器四強(qiáng)競局維持平衡狀態(tài)，然近期各廠投資動作頻頻，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10廠生產(chǎn)3D NAND Flash，業(yè)界預(yù)期未來3~4年內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)既有平衡競局恐將被打破。 　　半導(dǎo)體業(yè)者表示，3D NAND技術(shù)是未來存儲器產(chǎn)品主流，然技術(shù)層次及難度十分高，目前在制程良率上仍面臨許多挑戰(zhàn)，預(yù)計(jì)2016年真正
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臺灣DRAM教父投奔紫光的三個(gè)關(guān)鍵理由

  • 紅色供應(yīng)鏈給臺企帶來了巨大壓力，市場萎縮，人才流失，再也損失不起了。
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南亞科：大陸DRAM追臺 至少三年

  • 　　南亞科董事長吳嘉昭昨(6)日表示，雖然中國在DRAM產(chǎn)業(yè)急起直追，但至少還要花三年才能追上臺灣。對于前總座高啟全退休前往中國紫光集團(tuán)發(fā)展，想要創(chuàng)造中美臺合作空間，南亞科新任總經(jīng)理李培瑛說，一切仍有不確定性，公司目前尚無實(shí)質(zhì)作法。 　　   　　南亞科昨天舉行臨時(shí)董事會，通過高啟全退休案，但仍擔(dān)任南亞科董事，并決議即日起由資深副總李培瑛接任總經(jīng)理。 　　吳嘉昭透露，高啟全是在9月18日提出申請退休，對于他的離開感到惋惜，雖然不清楚高的詳細(xì)生涯規(guī)畫，但仍給予祝福。 　　此外，高啟全
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京東方攜手爾必達(dá)前社長斗法紫光DRAM

  • 臺灣過去數(shù)十年培養(yǎng)出來的半導(dǎo)體人才，現(xiàn)在一個(gè)一個(gè)往大陸跑，臺企離沒落不遠(yuǎn)了。
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MIC：明年全球半導(dǎo)體衰退1%

  • 　　資策會產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所(MIC)報(bào)告指出，受到新興市場智慧型手機(jī)晶片價(jià)格快速下滑及需求不佳影響，預(yù)估明年全球半導(dǎo)體市場成長率較今年衰退1%，臺灣半 導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在DRAM產(chǎn)值跌幅趨緩之下，明年產(chǎn)值將達(dá)2.2兆元微幅年增2.2%。 　　資策會MIC資深產(chǎn)業(yè)分析師施雅茹表示，今年臺灣半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)不如全球，主要受DRAM與IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值下滑影響，估算今年臺灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約4,971億元新臺幣，年減6%，DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2,325 億元，年減13%;預(yù)估明年可望在DRAM產(chǎn)值跌幅趨緩，以及晶圓代工、IC封測
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全球12吋晶圓產(chǎn)線續(xù)增　18吋晶圓之路漸行漸遠(yuǎn)

  • 　　由于12吋晶圓持續(xù)擴(kuò)大應(yīng)用至非存儲器領(lǐng)域，使得全球12吋晶圓生產(chǎn)線持續(xù)增加，2015年已超過90條產(chǎn)線，較5年前增加約20條產(chǎn)線，且預(yù)計(jì)未來4年將再增加近20條產(chǎn)線，相較之下，18吋晶圓商用化時(shí)程則會再往后延緩，業(yè)界預(yù)期2020年之前將不會有采用18吋晶圓進(jìn)行大量生產(chǎn)的產(chǎn)線。 　　12吋晶圓除應(yīng)用在DRAM和NANDFlash等需要大量生產(chǎn)的存儲器芯片，亦持續(xù)擴(kuò)大使用在非存儲器產(chǎn)品，包括電源管理芯片、影像感測器等，甚至用來制造邏輯芯片、微型元件IC等，且為因應(yīng)市場需求，將芯片產(chǎn)量最大化，半導(dǎo)體廠在1
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三星DRAM報(bào)價(jià)下調(diào)20% 華亞科/南亞科下季營收不樂觀

  • 　　全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報(bào)價(jià)，調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期，DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預(yù)期。 　　繼臺積電前天無預(yù)警下修第四季財(cái)測，市場消息傳出，全球DRAM市占率達(dá)四成的三星，將DRAM模組價(jià)格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價(jià)格僅剩1.8美元。 　　8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價(jià)格在21美元左右，并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)高階智慧型手機(jī)使用的LP DDR4。 　　隨今年以來DRAM價(jià)格持續(xù)走低，市場需
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DRAM報(bào)價(jià) 傳出三星調(diào)降20%

  • 　　全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報(bào)價(jià)，調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期，國內(nèi)DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預(yù)期。 　　繼臺積電前天無預(yù)警下修第四季財(cái)測，市場消息傳出，全球DRAM市占率達(dá)四成的三星，將DRAM模組價(jià)格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價(jià)格僅剩1.8美元。 　　8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價(jià)格在21美元左右，并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)高階智慧型手機(jī)使用的LP DDR4。 　　隨今年以來DRAM價(jià)格持續(xù)走低，市
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PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲器比較

  • 　　PROM、EEPROM、FLASH的總結(jié)性區(qū)別 　　EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個(gè)附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu)，所以可以單元讀/寫。技術(shù)上，F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPRO
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18吋晶圓技術(shù)成本過高　12吋將續(xù)為業(yè)者主力

  • 　　雖然較大尺寸晶圓的生產(chǎn)材料和技術(shù)成本高于小尺寸晶圓，但由于較大晶圓可以切割出更多的芯片，因此經(jīng)驗(yàn)顯示，就每單位芯片成本而言，大尺寸晶圓技術(shù)至少會比小尺寸晶圓降低20%。 　　然而在實(shí)務(wù)上，要采用大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)，業(yè)者必須要先行投入大筆經(jīng)費(fèi)。因此在資金和技術(shù)的障礙下，各業(yè)者往往會采用將現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行效率最大化的方式進(jìn)行生產(chǎn)，而不是對新開發(fā)的大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行投資。 　　以最新18吋(450mm)晶圓生產(chǎn)技術(shù)的采用為例，就正處于這樣一種狀況下。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights最新公布的2015~2
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大陸景氣低迷　韓國存儲器廠前景恐難卜

  • 　　雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國存儲器廠的業(yè)績展望相對明朗。然大陸智能型手機(jī)需求縮減，2016年移動DRAM價(jià)格可能下滑，2016年前景反而不透明。 　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績可能會與當(dāng)初預(yù)期相近，或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮，但對下半年暫時(shí)不會有太大影響。 　　三星下半年IT及移動裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績可能下滑，但半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲器和系統(tǒng)晶
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Intel想滅了三星/海力士？

  • 由于對DRAM過于依賴，近年來英特爾半導(dǎo)體龍頭地位搖搖欲墜，現(xiàn)在英特爾似乎下決心要扳倒后進(jìn)：打算力推嵌入式DRAM (eDRAM)，三星、海力士表示亞歷山大。
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海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙

  • 　　全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計(jì)2024年前竣工。近期DRAM價(jià)格好不容易出現(xiàn)止跌訊號，市場憂心，SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)，長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。 　　外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因?yàn)榇笠?guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩，或引爆價(jià)格戰(zhàn)，這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 　　受市場憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響，南亞科昨天股價(jià)在臺股大漲逾265點(diǎn)下
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