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端接DDR DRAM的電源電路

  •     DDR(雙數(shù)據(jù)速率)DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓,并需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓(VREF=VDD/2)。此外,各邏輯輸出端都接一只電阻器,等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時,必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓,并可輸出高達(dá)6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5~28V下工作。
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6月份全球DRAM出貨量增長了4% 達(dá)5.54億件

  •   來自市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù),6月份全球DRAM出貨量(折合為256M比特DRAM內(nèi)存)增長了4%,達(dá)到了5.54億件,其中DDR內(nèi)存的比例從5月份的63%下滑到了61%,DDR2的比例為30%。        DRAMeXchange預(yù)測,隨著DDR內(nèi)存出貨量的削減,其供應(yīng)緊缺狀況貫穿整個第三季度,而DDR2內(nèi)存市場,就出貨量而言,Powerchip半導(dǎo)體公司和ProMOS 科技公司在我國臺灣廠商中處于領(lǐng)先地位。該研究機(jī)構(gòu)還預(yù)測
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DRAM齊備庫存迎接下半年旺季作多心態(tài)濃厚

  •   國際DRAM廠供應(yīng)貨源不足因應(yīng)旺季需求 OEM廠轉(zhuǎn)向臺廠尋求產(chǎn)能支應(yīng)。由于OEM計算機(jī)大廠擔(dān)心進(jìn)入下半年產(chǎn)業(yè)旺季后,目前庫存貨源可能不敷使用,近期紛紛開始增加對DRAM廠下單,惟國際DRAM廠已陸續(xù)轉(zhuǎn)移產(chǎn)能生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM顆粒以外的產(chǎn)品,因此供貨情況未能滿足國際OEM計算機(jī)廠需求,為此,OEM計算機(jī)廠也轉(zhuǎn)向臺灣DRAM廠尋求產(chǎn)能支應(yīng),且以過去主力供應(yīng)現(xiàn)貨市場的DRAM廠為主,據(jù)傳訂單數(shù)量相當(dāng)驚人。    TRI觀點:以產(chǎn)業(yè)鏈各廠商的動態(tài)來觀察DRAM產(chǎn)業(yè)目前上下游市況如下:   
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臺灣DRAM廠商第二季財報多數(shù)將會出現(xiàn)赤字

  •     DRAM廠商第2季財報恐多出現(xiàn)赤字,早盤股價紛紛拉回修正,盤中力晶、南科、茂德跌幅均超過1%以上,茂硅一度跌停。      據(jù)港臺媒體報道,DRAM 價格第 2 季處于低檔,在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)會計盈轉(zhuǎn)虧,稅后虧損 1.28 億美元、每股虧損 0.2&nbs
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DRAM晶圓廠商態(tài)度轉(zhuǎn)硬 出貨報價決不妥協(xié)

  •   進(jìn)入第二季底,多數(shù)DRAM廠原本為應(yīng)對季底作帳而壓低DRAM報價,不過,由于日前合約價公布后竟逆勢上漲1~3%,讓所有DRAM廠吃下定心丸,不再擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨價恐將因DRAM廠拋貨而產(chǎn)生跌價壓力。DRAM渠道商指出,現(xiàn)在DRAM廠態(tài)度可說是相當(dāng)強(qiáng)硬,客戶端若無法接受其報出價位,寧可不賣也不愿壓低報價。    全球DRAM最新合約價公布后,盡管無法達(dá)到DRAM廠原本希望上調(diào)到3~5%的幅度,但部份OEM電腦大廠已接受DRAM廠上調(diào)1~3%的事實,而DRAM廠之所以能順勢漲價,最重要因素在于目
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DDRII需求過于樂觀 導(dǎo)致DDR供應(yīng)出現(xiàn)缺口

  •     5月26日消息,近幾個月以來,全球DRAM大廠為配合英特爾(Intel)及國際計算機(jī)大廠全力推動DDRII成為下一世代的計算機(jī)主流架構(gòu),紛紛加速將產(chǎn)能轉(zhuǎn)換至DDRII,因而造成DDR產(chǎn)出量迅速下滑。也由于計算機(jī)大廠對于DDRII做出“過于樂觀”的錯誤判斷,反而需回頭向中國臺灣DRAM廠采買更多的DDR顆粒以因應(yīng)市場需求。    DRAM廠指出,過去幾個月以來,戴爾(Dell)、惠普(HP)等個人計算機(jī)(PC)大廠,對于推升DDRII成為市場主流的態(tài)度越來越積
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臺灣DRAM晶圓產(chǎn)業(yè)高層人事變動近期趨頻繁

  •     近來臺灣DRAM晶圓廠人事異動頻繁,包括華邦電(2344)原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國,以及力晶(5346)原創(chuàng)始元老曾邦助,都相繼轉(zhuǎn)換跑道,為其他DRAM業(yè)者效力,加上華邦電近半年來亦出現(xiàn)研發(fā)人員流動率偏高情況,DRAM業(yè)界多認(rèn)為,盡管人員流動不至于影響DRAM廠既有運作,但仍凸顯出DRAM產(chǎn)業(yè)高度不確定及不穩(wěn)定特性。    華邦電發(fā)言人溫萬壽19日表示,王其國原任華邦電BG2(Business Group 2)事業(yè)群總經(jīng)
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半導(dǎo)體分析師認(rèn)為DRAM價格下跌將減緩

  •  根據(jù)彭博資訊(Bloomberg),證券業(yè)者花旗集團(tuán)旗下半導(dǎo)體分析師,宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團(tuán)科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評等調(diào)高,理由是認(rèn)為DRAM價格下跌的狀態(tài)將開始減緩。     據(jù)了解,花旗將Infineon和南亞科技的評等由“持有”調(diào)高至“買進(jìn)”,Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調(diào)高至“持有”,韓國三星電子評等維持不變在“持有”。分析師指出,價格可能在下個月或其后一個約觸底,而全球
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300mm線建設(shè)今年掀高潮

  • 2005年3月A版    盡管2005年世界半導(dǎo)體業(yè)的銷售值勢比上年大幅下降,但銷量將繼續(xù)快速增長。為迎接這一需求,2005年300mm晶圓片生產(chǎn)線將加速建設(shè)。據(jù)iSuppli公司預(yù)測,當(dāng)年將共建成16條生產(chǎn)線,比2003和2004年所建線加在一起還多。    2005年建設(shè)高潮是經(jīng)歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線,其回報在2001年經(jīng)濟(jì)衰退中受到嚴(yán)重打擊,可執(zhí)著堅持的公司卻在2004年半導(dǎo)體市場再創(chuàng)新高時獲得豐厚回報。 
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英飛凌在DRAM溝槽技術(shù)中取得重大突破

  •   英飛凌科技公司在2004年IEEE(電子和電氣工程師學(xué)會 2004年12月13~15日于美國舊金山舉行)國際電子器件會議(IEDM)上,展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術(shù),此技術(shù)以在300 mm晶圓上的深溝(DT)單元為基礎(chǔ)。目前全球25%的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術(shù)為基礎(chǔ)的。在其報告中,英飛凌闡述了全部集成計劃和主要技術(shù)特征――包括首次在基于溝槽技術(shù)的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數(shù)物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術(shù)突破,顯示了溝槽技術(shù)的可伸縮性。
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上半年全球DRAM市場增長66% 中國成決定因素

  •   iSuppli最新發(fā)布的報告指出,今年上半年全球DRAM市場規(guī)模比去年同期增長66%,中國市場增長88%,其次為亞太地區(qū)(不含中國)的81%。日本經(jīng)濟(jì)情況改善,其DRAM銷售增 長70%。美國僅僅增長48%,遠(yuǎn)不及全球的66%。     在主要供貨商方面,Hynix、Elpida Memory與大部份臺灣地區(qū)供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長;而三星、美光與英飛凌的市場份額則在下降。中國是全球增長最迅速的DRAM市場,Hynix是該地區(qū)的領(lǐng)導(dǎo)廠商,市場占有率高達(dá)42%,去年同期為40%。
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美商凱創(chuàng)獲獎入侵偵測系統(tǒng)Dragon新版問世

  • 企業(yè)網(wǎng)路設(shè)備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示,日內(nèi)發(fā)表其獲獎產(chǎn)品Dragon入侵偵測系統(tǒng)(Intrusion Detection System;IDS)的最新版本。Dragon 5在其基礎(chǔ)架構(gòu)中加入更好的延展性、可用性與彈性,以強(qiáng)化企業(yè)網(wǎng)路的安全
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1993年,第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團(tuán)公司試制成功

  •   1993年,第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團(tuán)公司試制成功。
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1985年,第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功

  •   1985年,第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功。
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