關于二極管的原理來自于PN結，下圖為本征半導體：1.空穴與電子動畫中空穴是紅的，電子是藍的，其實我一直對空穴這個概念很抵觸，因為從這個動畫上來看空穴是不動的。但講PN結、三極管的時候都會把空穴當成運動的載流子，雖然似乎也不是很難理解。P型半導體空穴多，容易吸引電子但原子核電荷不夠，會形成負電荷。N型半導體電子多，電子容易逃跑且原子核電荷太多，會形成正電荷。2.PN結P(Positive)型半導體和N(Negative)型半導體構成PN結以后，會擴散出一個內(nèi)電場，也叫PN結、阻擋層、耗盡層、空間電荷區(qū)。電子
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二極管 PN結
本身他們的作用都很小，通俗一點講就是中性的，但是當這2種材料結合在一起的時候，就會變得神奇，他們的行為方式會非常的不同，就會產(chǎn)生“PN 結”的東西。N型材料與P型材料的結合形成二極管，會形成PN結，那么是怎么形成的呢？ 硅摻雜少量銻時，就是 N 型半導體材料，當硅材料摻雜少量硼時，會形成 P 型半導體材料。 本身他們的作用都很小，通俗一點講就是中性的，但是當這2種材料結合在一起的時候，就會變得神奇，他們的行為方式會非常的不同，就會產(chǎn)生“PN 結”的東西。&n
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PN結
目標本實驗活動的目的是測量反向偏置PN結的容值與電壓的關系。背景知識PN結電容增加PN結上的反向偏置電壓VJ會導致連接處電荷的重新分配，形成耗盡區(qū)或耗盡層（圖1中的W）。這個耗盡層充當電容的兩個導電板之間的絕緣體。這個W層的厚度與施加的電場和摻雜濃度呈函數(shù)關系。PN結電容分為勢壘電容和擴散電容兩部分。在反向偏置條件下，不會發(fā)生自由載流子注入；因此，擴散電容等于零。對于反向和小于二極管開啟電壓（硅芯片為0.6 V）的正偏置電壓，勢壘電容是主要的電容來源。在實際應用中，根據(jù)結面積和摻雜濃度的不同，勢壘電容可以
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PN結 電容
pn結是p(加了三價元素)，n(加了五價元素)，當結合成pn結時，因為p，n之間的粒子濃度不同，下面一起來學習一下： pn結是p(加了三價元素)，n(加了五價元素)，當結合成pn結時，因為p，n之間的粒子濃度不同，所以發(fā)生了擴散運動，p中的空穴比n中的多，所以空穴由p、向n擴散移動，形成了擴散電流，而當空穴和自由電子結合后再結合處形成了正負離子的交界，(因為空穴和自由電子結合，使得本來的+3，+5價元素變成了不能移動的空間電荷區(qū))這就形成了內(nèi)電場(電場由n指向p)，內(nèi)電場阻礙了擴散運動，最終內(nèi)電場與
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pn結
二極管由管芯、管殼和兩個電極構成。管芯就是一個PN結，在PN結的兩端各引出一個引線，并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構成了晶體二極管，如下圖所示。P區(qū)的引出的電極稱為正極或陽極，N區(qū)的引出的電極稱為負極或陰極。
二極管的伏安特性 半導體二極管的核心是PN結，它的特性就是PN結的特性——單向導電性。常利用伏安特性曲線來形象地描述二極管的單向導電性?！ ∪粢噪妷簽闄M坐標，電流為縱坐標，用作圖法把電壓、電流的對應值用平滑的曲線連接起來，就構成二極管的伏
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二極管 PN結
本文整理了模電的基礎知識點，基礎不好的趕緊收藏哦?！ ?.在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為0.5V，導通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V;鍺二極管的門檻電壓約為0.1V，導通后在較大電流下的正向壓降約為0.2V?！ ?、二極管的正向電阻小;反向電阻大?！ ?、二極管的最主要特性是單向導電性。PN結外加正向電壓時，擴散電流大于漂移電流，耗盡層變窄?！ ?、二極管最主要的電特性是單向導電性，穩(wěn)壓二極管在使用時，穩(wěn)壓二極管與負載并聯(lián)，穩(wěn)壓二極管與輸入電源之間必須加入一個電阻。 5、電子技術分為模擬電子
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二極管 PN結
三極管的管型及管腳的判別是電子技術初學者的一項基本功，為了幫助讀者迅速掌握測判方法，筆者總結出四句口訣：“三顛倒，找基極;PN結，定管型;順箭頭，偏轉大;測不準，動嘴巴?！毕旅孀屛覀冎鹁溥M行解釋吧。 一、三顛倒，找基極 大家知道，三極管是含有兩個PN結的半導體器件。根據(jù)兩個PN結連接方式不同，可以分為NPN型和PNP型兩種不同導電類型的三極管。 測試三極管要使用萬用電表的歐姆擋，并選擇R×100或R×1k擋位。對于指針式萬用電表有，其紅表筆所連接的是表內(nèi)電池的負極，黑表筆則連接著表內(nèi)電池的正極。
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三極管 PN結
1. 基本概念
二極管由管芯、管殼和兩個電極構成。管芯就是一個PN結，在PN結的兩端各引出一個引線，并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構成了晶體二極管，如下圖所示。P區(qū)的引出的電極稱為正極或陽極，N區(qū)的引出的電極稱為負極或陰極。
1.1 二極管的伏安特性
二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過二極管的電流之間的關系，用于定性描述這兩者關系的曲線稱為伏安特性曲線。通過晶體管圖示儀觀察到硅二極管的伏安特性如下圖所示。
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二極管 PN結
簡介：本文主要是用現(xiàn)實中的例子介紹三極管的一些基礎知識，更有利于讀者理解。
形象記憶法：
對三極管放大作用的理解，切記一點：能量不會無緣無故的產(chǎn)生，所以，三極管一定不會產(chǎn)生能量。它只是把電源的能量轉換成信號的能量罷了。但三極管厲害的地方在于：它可以通過小電流控制大電流。
假設三極管是個大壩，這個大壩奇怪的地方是，有兩個閥門，一個大閥門，一個小閥門。小閥門可以用人力打開，大閥門很重，人力是打不開的，只能通過小閥門的水力打開。
所以，平常的工作流程便是，每當放水的時候，人們就打開小
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三極管 PN結
導讀：PN結對我們來說是很熟悉的東西了，二極管、三極管、MOS管等等都運用的是PN結的原理，下面我們就來講述一下PN結的原理，親們快來學習一下吧~~~
1.PN結原理--簡介
PN結(PN junction)，其實就是由一側摻雜成P型半導體，另一側摻雜成N型半導體構成的一塊半導體晶體，中間二者相連的接觸面稱為PN結。PN結是電子技術中許多元件，例如半導體二極管、雙極性晶體管的物質基礎。P是positive的縮寫，N是negative的縮寫，表明正荷子與負荷子起作用的特點。
2.PN結原理
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PN結 PN結原理
導讀：本文主要介紹半導體二極管及基本電路,這是學好模擬電路的關鍵所在，希望這些對親們有所幫助哦!!!!
一. 模擬電路基礎--半導體的基本知識
根據(jù)物體導電能力(電阻率)的不同，劃分為導體、絕緣體和半導體。典型的半導體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。
半導體的共價鍵結構
硅和鍺是四價元素，在原子最外層軌道上的四個電子稱為價電子。它們分別與周圍的四個原子的價電子形成共價鍵。原子按一定規(guī)律整齊排列，形成晶體點陣后，結構圖為:
本征半導體、空穴及其導電作用
本征
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模擬電路 二極管 PN結 模擬電路基礎
那是1947年的一個冬天，貝爾實驗室的三位科學家發(fā)明了三極管，改變了世界，推動了全球的半導體電子工業(yè)。于是10年后又一個冬天，哥仨一起獲得了諾貝爾物理學獎。然而這三極管可不是被憑空發(fā)明出來的，從結構上看，她是由兩個二極管組成，絕逼二極管“干兒子”。今天電子產(chǎn)品世界小編為您帶來 “干爹”二極管的傳奇故事。
1 二極管=PN結+馬甲兒
在半導體性能被發(fā)現(xiàn)后，二極管成為了世界上第一種半導體器件，目前最常見的結構是，在PN結上加上引線和封裝，就成為一個
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二極管 二極管工作原理 PN結 單向導電
眾所周知，晶體管要分成多種類型。其中，MOSFET作為基礎器件由于其優(yōu)越性能得到了廣泛的應用。但是目前使用的場效應管存在兩個被學術界稱為PN結的結構。正常工作時源極和襯底間的PN結始終處于正向導通狀態(tài)，所以在一般情況下，場效應管的源極和襯底是連接在一起的，由此源極和襯底間的PN結并沒有在電路中起作用。
據(jù)相關研究人員介紹，他們在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為單PN結的新型基礎電子器件。
他們據(jù)此提出了一項專利申請，制造一種只有一個PN結的場效應管，能夠完全取
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電子器件 PN結
摘要：針對散粒噪聲難以測量的特點，提出了一種低溫散粒噪聲測試方法。在屏蔽環(huán)境下，將被測器件置于低溫裝置內(nèi)，有效抑制了外界電磁波和熱噪聲的干擾，采用背景噪聲充分低的放大器以及偏置器、適配器等，建立低溫散
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PN結 二極管 噪聲測試 方法研究
pn結介紹
采用不同的摻雜工藝,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱PN結。PN結具有單向導電性。
PN結
?。≒N junction）
一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是P型半導體，另一部分摻有施主雜質是N型半導體時 ，P 型半導體和N型半導體的交界面附近的過渡區(qū)稱。PN結有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料制成的 PN 結叫同質結 ， [
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