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Micro-LED顯示光學(xué)性能研究*
- Micro-LED由于優(yōu)異的顯示特性已經(jīng)成為目前技術(shù)的熱點。由于其為芯片直顯技術(shù),芯片的光學(xué)性能決定了顯示屏幕大部分的光學(xué)性能。Micro-LED燈板的封膠材料厚度對光學(xué)影響大,450 μm膠厚時比裸晶燈板色溫降低了2 800 K。因Micro-LED顯示為LED芯片直顯發(fā)光,紅光芯片本身發(fā)光角度比藍(lán)綠光芯片小,再加上芯片表面封膠后經(jīng)過一系列的折反射,紅光折射率比藍(lán)綠光小,藍(lán)綠光出光視角進(jìn)一步放大,導(dǎo)致色溫偏差。
- 關(guān)鍵字: Micro-LED顯示 色溫 光形圖 202009 PWM
在可再生能源應(yīng)用的逆變器設(shè)計中使用SPWM發(fā)生器
- 可再生能源仍然是世界范圍內(nèi)的大趨勢。隨著捕獲風(fēng)能、太陽能和其他形式的可再生能源的方法不斷發(fā)展,可再生能源系統(tǒng)的成本和效率對公司和消費者都越來越有吸引力。實際上,2016年,全球?qū)稍偕茉吹馁Y本投資跌到了多年來最低水平,但是卻創(chuàng)下了一年內(nèi)可再生能源設(shè)備安裝數(shù)量最多的記錄。在用于可再生能源系統(tǒng)的組件中,逆變器是一項尤其關(guān)鍵的系統(tǒng)組件。由于大多數(shù)可再生能源都是通過直流電(DC)產(chǎn)生的,因此逆變器在將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC)以有效整合到現(xiàn)有電網(wǎng)中起著關(guān)鍵作用。在混合了不同可再生能源的混合動力系統(tǒng)和微電
- 關(guān)鍵字: PWM AC DC MOSFET SPWM
氮化鎵晶體管的并聯(lián)配置應(yīng)用
- 引言在功率變換器應(yīng)用中,寬帶隙(WBG)技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場的應(yīng)用場景中,提升效率極限一或兩個百分點依然關(guān)系重大,變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢,在這種情況下采用基于氮化鎵(GaN)晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似,GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產(chǎn)工藝限制,單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率,并聯(lián)配置晶體管已成為設(shè)計工程師可以考慮的選項之一。應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)在最大限度提升變換器輸出功率的同時,也帶來了電路設(shè)計層面的挑戰(zhàn)。并聯(lián)晶體管的
- 關(guān)鍵字: PWM
超低功耗傳感器方案如何賦能智能樓宇
- 當(dāng)今,物聯(lián)網(wǎng)(loT)的基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)非常完善,其適用范圍已經(jīng)不局限于服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心,廣泛使用在我們的家居、辦公和工廠。處于物聯(lián)網(wǎng)最外圍的是傳感器,它會將數(shù)據(jù)采集起來并中繼回云服務(wù)或者在本地進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。傳感器是樓宇智能不可缺少的一環(huán),它可以在無人控制的情況下監(jiān)測控制環(huán)境,帶來非凡的便利性和經(jīng)濟(jì)性,這樣當(dāng)最后一個人離開房間時,智能的樓宇也不會忘記關(guān)燈。傳感器的原型是一種相對簡單的控制系統(tǒng),比如通過占用檢測和溫度測量來控制供暖和照明,如今該技術(shù)已發(fā)展成熟。對于用戶而言,樓宇變得愈加智能,背后其實是其系統(tǒng)智能
- 關(guān)鍵字: AI PoE PWM
模塊化參考設(shè)計幫助用戶為各種應(yīng)用選擇不同的功能塊 縮短上市時間、節(jié)省BOM成本及資源
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán) 近日宣布推出一款48V電動車應(yīng)用成功產(chǎn)品組合解決方案,可幫助用戶加快電動滑板車、電動自行車、混合動力汽車、UPS和儲能系統(tǒng)的開發(fā)。該參考設(shè)計在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊,可用于多種24V-48V應(yīng)用,如割草機、手推車、機器人清潔器、電動工具、移動電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個瑞薩IC產(chǎn)品,包括三個關(guān)鍵器件:ISL94216 16芯電池前端(BFE)、強健的HIP2211 100V MOSFET驅(qū)動器以及用于電機控制的RX23T 32位
- 關(guān)鍵字: MOSFET PWM BLDC MCU
5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)
- 嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器,與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比,這種整體解決方案的尺寸相對較小??稍诟哳l率(遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi))下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外,如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時間(TON)較低,則無需中間穩(wěn)壓,可直接在較高的電壓軌上工作,從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時間控制,以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
- 關(guān)鍵字: EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
使用PWM技術(shù)構(gòu)建高性能流量變送器
- 傳感器在測量工廠環(huán)境的過程中,會通過可編程邏輯控制器(PLC)控制整個系統(tǒng)的狀況。典型的測量包括溫度、壓力、流量和液位。在使用流量變送器設(shè)計時可以采取不同技術(shù),但在此我們來先了解一下PWM技術(shù)。以下討論的PWM技術(shù)是否可以用于實現(xiàn)諸如穩(wěn)定時間迅速且能耗低的功能?環(huán)路供電、4至20 mA輸出現(xiàn)場變送器實際上是過程自動化的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。出于各類原因,現(xiàn)場變送器使用PWM轉(zhuǎn)4至20mA電路,包括:●? ?簡易性●? ?穩(wěn)健性●? ?成本優(yōu)化隨著新的應(yīng)用要求
- 關(guān)鍵字: OLC PWM
兆易創(chuàng)新發(fā)布GD32E5系列MCU,以Cortex-33內(nèi)核開啟高性能計算新里程
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice 近日正式發(fā)布基于全新Arm??Cortex?-M33內(nèi)核的GD32E5系列高性能微控制器。這系列MCU采用臺積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建,具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和更經(jīng)濟(jì)的開發(fā)成本,進(jìn)一步推動嵌入式開發(fā)向高精度工業(yè)控制領(lǐng)域擴展,解決數(shù)字電源、電機變頻、測量儀器、混合信號處理、高端消費類應(yīng)用等多種功能集成和工作負(fù)載需求。GD32E5產(chǎn)品組合提供了3個通用系列和1個專用系列,4種封裝類型23個型號選擇,目前已經(jīng)
- 關(guān)鍵字: AUP FPU PWM ADC DSP TMU
高通發(fā)布Quick Charge 5快充技術(shù):0至50%電量僅需5分鐘
- 【TechWeb】7月28日消息,日前,高通宣布面向Android終端推出最快速的商用充電技術(shù)Quick Charge 5,與前代平臺相比,該平臺不僅能夠為智能手機提供前所未有的充電速度與效率提升,同時還支持一系列全新電池技術(shù)、配件和安全特性。據(jù)悉,Quick Charge 5有望成為面向智能手機提供100W以上充電功率的首個商用快充平臺,可以幫助用戶實現(xiàn)手機從零電量充至50%電量僅需5分鐘。據(jù)官方介紹,Quick Charge 5的性能較前代平
- 關(guān)鍵字: 高通 Quick Charge 5快充技術(shù)
高通發(fā)布Quick Charge 5技術(shù):首個商用化的100W+充電技術(shù)平臺
- 高通在今晚發(fā)布了Quick Charge技術(shù)的最新一代Quick Charge 5,這也是2017年發(fā)布Quick Charge 4/4+之后高通時隔三年的力作,也是全球首個能夠給智能手機提供100W+充電功率的商用快充平臺。智能手機快充技術(shù)發(fā)展到今天,雖然USB PD大有一統(tǒng)江湖的趨勢,但各家廠商都仍然保留了自家特色的技術(shù),以兼容的形式來處理和USB PD之間的關(guān)系。高通的Quick Charge系列快充技術(shù)在此前已經(jīng)通過USB PD 3.0 PPS的方式實現(xiàn)了兼容,新的Quick Charge
- 關(guān)鍵字: 高通 Quick Charge 5
STOP功能在低噪聲數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中的優(yōu)勢
- 電磁噪聲是指任何一種多余的電磁能量,其強度足以使信號失真。因此,設(shè)計高性能數(shù)據(jù)采集應(yīng)用或任何具有特別敏感信號路徑的系統(tǒng)時,必須克服噪聲問題。在電源方面,由于其基本的工作原理,高效的DC/DC轉(zhuǎn)換器可能成為重要的噪聲源。它們既會在轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率處產(chǎn)生低頻紋波,也會產(chǎn)生因轉(zhuǎn)換器功率級中電壓和電流的快速切換而引起的高頻噪聲。與開關(guān)式穩(wěn)壓器結(jié)合使用的降噪技術(shù)示例包括額外的過濾無源元件,諸如緩沖電路、鐵氧體磁珠和饋通電容器,或在電源路徑中包含線性電源,如低壓差穩(wěn)壓器。雖然這些方案在大多數(shù)應(yīng)用中都能很好地發(fā)揮作用,
- 關(guān)鍵字: RF PWM
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