首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> s7 mosfet

S7-200 PLC與組態(tài)王在變頻器節(jié)能項(xiàng)目上的應(yīng)用

  • 導(dǎo)讀:該系統(tǒng)采用上、下位機(jī)主從式結(jié)構(gòu)，plc作為下位機(jī)通過(guò)modbus通信方式，完成工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)采集；上位機(jī)采用工業(yè)控制計(jì)算機(jī)，與pl
  • 關(guān)鍵字： S7-200PLC組態(tài)王變頻器節(jié)能項(xiàng)  

S7-200模擬量使用應(yīng)該搞清的16個(gè)基本問(wèn)題

  • 1什么是單極性、雙極性？雙極性就是信號(hào)在變化的過(guò)程中要經(jīng)過(guò)零，單極性不過(guò)零。由于模擬量轉(zhuǎn)換為數(shù)字量是有符號(hào)整數(shù)，所以雙極性信號(hào)對(duì)
  • 關(guān)鍵字： S7-200模擬量使用基本問(wèn)  

用S7-200編程的幾個(gè)實(shí)例的編程技巧解析

  • 本文用S7-200編寫的幾個(gè)實(shí)例都是在網(wǎng)上發(fā)表或在回答網(wǎng)友的求助編寫的，程序短小，針對(duì)性強(qiáng)，有程序解析，特別適合初學(xué)者學(xué)習(xí)參考。一、網(wǎng)
  • 關(guān)鍵字： S7-200編程編程技  

功率器件心得——功率MOSFET心得

  • 　　功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載，帶載能力要強(qiáng)。　　功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  功率放大電路  

意法半導(dǎo)體提升車用40V MOSFET的噪聲性能和能效

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級(jí)MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET? F7制造技術(shù)，開關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng)。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動(dòng)力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時(shí)優(yōu)異的開關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置，例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。 　　意法半導(dǎo)體的STripFET系列采用DeepGATE?技
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  MOSFET  

關(guān)于MOS管失效，說(shuō)白了就這六大原因

  • 　　MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。 　　目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、
  • 關(guān)鍵字： MOS管  MOSFET  

基于TPS2491的熱插拔保護(hù)電路設(shè)計(jì)

  • 摘要：文章對(duì)主流熱插拔控制策略進(jìn)行了比較分析，在介紹熱插拔控制器TPS2491功能結(jié)構(gòu)后，以24V電源背板總線數(shù)據(jù)采集卡為設(shè)計(jì)實(shí)例，詳細(xì)介紹了基于TPS2491進(jìn)行熱插拔保護(hù)電路的設(shè)計(jì)過(guò)程，并對(duì)設(shè)計(jì)電路進(jìn)行了測(cè)試驗(yàn)證，
  • 關(guān)鍵字： TPS2491  熱插拔  保護(hù)電路  MOSFET  

半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET？

  • 2010年，供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價(jià)格也高昂不下，GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時(shí)間的推移，這些器件預(yù)計(jì)將逐步應(yīng)用到電動(dòng)汽車、移動(dòng)設(shè)備的快速充電適配器、無(wú)線充電和其他系統(tǒng)中，GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場(chǎng)上攻城拔寨。
  • 關(guān)鍵字： GaN  MOSFET  

OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷

  • 　　英飛凌科技股份公司發(fā)布針對(duì)高能效設(shè)計(jì)和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對(duì)要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應(yīng)用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽(yáng)能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。 　　更環(huán)保的技術(shù) 　　英飛凌堅(jiān)持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOSFET  

東芝推出適用于移動(dòng)設(shè)備中負(fù)載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET

  • 　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)的N溝道MOSFET，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的1]低導(dǎo)通電阻。新產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)。 　　新產(chǎn)品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進(jìn)的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
  • 關(guān)鍵字： 東芝  MOSFET  

SoC系統(tǒng)開發(fā)人員：FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么？

  • 大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō)，這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來(lái)。但
  • 關(guān)鍵字： SoC  FinFET  MOSFET  

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

  • 　　近日在中國(guó)深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂(lè)系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師。“您碰巧在設(shè)計(jì)中用過(guò)60V的負(fù)載開關(guān)嗎?”我問(wèn)。他說(shuō)用過(guò)，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過(guò)空間受限的問(wèn)題嗎?”我問(wèn)。他確實(shí)碰到過(guò)，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
  • 關(guān)鍵字： SOT-23  MOSFET  

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原理

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對(duì)稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級(jí)均為推挽對(duì)稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  VP-P  電壓    

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

  • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  高頻特性  放大器電路  工作原理    

微芯有刷直流電機(jī)控制方案

  • 有刷直流電機(jī)通過(guò)電刷進(jìn)行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機(jī)的一些關(guān)鍵點(diǎn)：典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機(jī)的定子(或外部機(jī)筒)將有
  • 關(guān)鍵字： MOSFET   光學(xué)編碼器   PWM   有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器  
共1348條 34/90 |‹ « 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 » ›|

s7 mosfet介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條s7 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)s7 mosfet的理解，并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473