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EEPW首頁 >> 主題列表 >> s7 mosfet

被忽略的細(xì)節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS

  • 　　看到這個(gè)主題，可能有些工程師會問：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細(xì)節(jié)決定技術(shù)，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細(xì)節(jié)，來理解這個(gè)參數(shù)所設(shè)定的含義。 　　數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時(shí)漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標(biāo)稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。關(guān)于雪崩擊穿問題
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基于S7―200PLC的機(jī)械手運(yùn)動(dòng)控制

  • 摘要：基于S7—200PLC村機(jī)械于的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行一系列控制，這些運(yùn)動(dòng)包括手臂上下、左右直線運(yùn)動(dòng)，手腕旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，手爪夾緊動(dòng)作和機(jī)械手整體旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)等。所采用的動(dòng)力機(jī)構(gòu)是步進(jìn)電機(jī)，能夠做到精確控制。在多個(gè)行程開
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基于S7-300PLC設(shè)計(jì)選型及應(yīng)用

  • S7-300PLC的應(yīng)用非常廣泛，在設(shè)計(jì)選型和調(diào)試及實(shí)際應(yīng)用中可能會碰到各種各樣的問題，下面就S7-300PLC在選型和應(yīng)用中的一些要點(diǎn)做一下分析。
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消費(fèi)者選擇獎(jiǎng)揭曉：三星S7 edge獲封全球最佳手機(jī)

  • 　　Strategy Analytics統(tǒng)計(jì)顯示，三星S7 Edge憑借1330萬臺的出貨成為上半年安卓陣營全球銷量第一(全品第一是iPhone 6S)。 　　現(xiàn)在，這款爆品拿到新的嘉獎(jiǎng)。 　　   　　據(jù)外媒報(bào)道，Mobile Choice Consumer Awards(移動(dòng)設(shè)備消費(fèi)者選擇獎(jiǎng))揭曉，S7 edge獲封全球最佳手機(jī)，同時(shí)三星也被投為最佳手機(jī)制造商。 　　作為一項(xiàng)舉辦16年的老牌獎(jiǎng)項(xiàng)，今年的獲獎(jiǎng)陣容中也出現(xiàn)了國產(chǎn)手機(jī)的身影，華為P9成為“拍照王&rdqu
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Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

  • 　　Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導(dǎo)體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務(wù)器、電動(dòng)車(EV)充電器和太陽能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。 　　SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應(yīng)用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設(shè)計(jì)者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設(shè)計(jì)。 　　Fair
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英飛凌800 V CoolMOS P7系列設(shè)立效率和散熱性能的新基準(zhǔn)

  • 　　英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結(jié)技術(shù)，兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個(gè)新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應(yīng)用，可完全滿足性能、易于設(shè)計(jì)和性價(jià)比等市場需求。它主要側(cè)重于反激式拓?fù)?，這種拓?fù)涑Ｒ娪谶m配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應(yīng)用。 　　   　　800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應(yīng)用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當(dāng)于將
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基于PC+PLC等離子熔射自動(dòng)控制系統(tǒng)

  • 　　1 引言 　　等離子熔射由于其溫度高且能量集中，能夠熔射金屬、陶瓷或復(fù)合材料的特點(diǎn)在表面改性、功能薄膜制備和材料加工工程中被廣泛應(yīng)用。為了保證熔射皮膜成形性與成形質(zhì)量，必須在數(shù)字圖像處理、過程控制、人工智能等方法基礎(chǔ)上進(jìn)行系統(tǒng)集成控制與工藝優(yōu)化。當(dāng)前國際上幾大熱噴涂設(shè)備和材料生產(chǎn)廠家，如英國Metallisation公司、瑞士Sulzer-Metco公司和美國Praxair公司等，已推出基于PC+PLC+現(xiàn)場檢測+過程控制的等離子熔射系統(tǒng)。但是由于國際上相關(guān)熔射設(shè)備價(jià)格昂貴，不能引進(jìn)到國內(nèi)每一個(gè)加工
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如何實(shí)現(xiàn)西門子S7-300 PLC與DCS控制系統(tǒng)的通信

  • 如何實(shí)現(xiàn)西門子S7-300 PLC與DCS控制系統(tǒng)的通信, 一、 引言 現(xiàn)代工業(yè)的迅速發(fā)展，不斷促進(jìn)著自動(dòng)化控制技術(shù)及設(shè)備通信技術(shù)創(chuàng)新的發(fā)展。當(dāng)前，PLC、DCS、智能儀表等已廣泛應(yīng)用到現(xiàn)場生產(chǎn)控制系統(tǒng)中，并發(fā)展到由上述設(shè)備相互協(xié)同、共同面向整個(gè)生產(chǎn)過程的分布式
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步進(jìn)電機(jī)的MOSFET管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體推出新款超結(jié)MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結(jié)MOSFET。 　　電視和PC等設(shè)備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導(dǎo)致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應(yīng)用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時(shí)，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
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IGBT是啥？看完這篇文章我不信你還不明白

  • 　　電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命，由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放，人對電的需求不亞于人類世界的氧氣，如果沒有電，人類的文明還會在黑暗中探索。 　　然而在電力電子里面，最重要的一個(gè)元件就是IGBT。沒有IGBT就不會有高鐵的便捷生活。 　　   　　一說起IGBT，半導(dǎo)體**的人都以為不就是一個(gè)分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國家“02專項(xiàng)”的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目，這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里
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住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉(zhuǎn)換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓

  • 　　一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務(wù)，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因?yàn)槟抢锓孔痈螅鹤痈鼘挸āＭ瑯樱?dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計(jì)時(shí)，他們一般會放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個(gè)更復(fù)雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案。控制器，與郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對的靈活性和經(jīng)濟(jì)性，但會占據(jù)更多不動(dòng)產(chǎn)，更多的電路板空間。 　　   　　直到最近，電流超過10-15A的應(yīng)用一般會依賴帶外部MOSF
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關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識大合集

  • 　　下面對MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。 　　1，MOS管種類和結(jié)構(gòu) 　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。 　　至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 　　對于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開
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意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)碳化硅功率器件加快汽車電動(dòng)化進(jìn)程

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)在混動(dòng)汽車和電動(dòng)汽車(EV，Electric Vehicles)市場發(fā)布了先進(jìn)的高能效功率半導(dǎo)體器件，同時(shí)還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車質(zhì)量認(rèn)證時(shí)間表。 　　電動(dòng)汽車和混動(dòng)汽車通過提高電能利用率來延長續(xù)航里程。意法半導(dǎo)體最新的碳化硅(SiC)技術(shù)讓車企能夠研制續(xù)航里程更長、充電速度更快的電動(dòng)和混動(dòng)汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，針對汽車所有主要電氣模塊，意法半導(dǎo)體率先推
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三星手機(jī)逆襲了！它用了這兩招

  • 　　5月24日消息，科技新聞網(wǎng)站DigitalTrends稱，盡管目前智能手機(jī)市場依然低迷，但韓國三星電子通過新的經(jīng)營哲學(xué)實(shí)現(xiàn)增長。 　　一年前，三星電子看似前途迷茫，其旗艦智能手機(jī)表現(xiàn)不盡如人意，整個(gè)手機(jī)市場正步入衰退。不過在短短一年的時(shí)間里，三星電子取得了長足的進(jìn)步，其前景也看似更加光明。這背后的原因不是手機(jī)市場重新回到高增長時(shí)代，而是三星電子自身的經(jīng)營哲學(xué)發(fā)生了變化。 　　三星電子第一次選擇不走尋常路，其不再嘗試通過硬件配置擊敗競爭對手。與此同時(shí)，三星電子也停止了“討好所有人&rdq
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s7 mosfet介紹

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