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理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
- 通常,許多資料和教材都認為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時,具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響,以及各個晶胞單元等效電路模型,就會發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立,而在
- 關(guān)鍵字: MOSFET RDS ON 溫度系數(shù)
Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET

- 日前,Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。 在種類繁多的便攜式設(shè)備中,20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間,以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比,1mm x 1mm x 0.548mm的M
- 關(guān)鍵字: Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET

- 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝, 為計算機和游戲機應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。 新系列的MOSFET利用安森美半導(dǎo)體獲市場驗證的溝槽技術(shù),提供優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]及更高的開關(guān)性能,用于個人計算機(PC)、服務(wù)器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源
- 關(guān)鍵字: 安森美 MOSFET 溝槽 同步降壓轉(zhuǎn)換器
理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
- 本文詳細分析計算開關(guān)損耗,并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
- 關(guān)鍵字: MOSFET 開關(guān)損耗
即將普及的碳化硅器件
- 隨綠色經(jīng)濟的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。 據(jù)統(tǒng)計,60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的,而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件,也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 在這種情況下,性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
- 關(guān)鍵字: 豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
基于S7-300 PLC的大型電弧爐控制系統(tǒng)

- 針對電弧爐的非線性、大滯后、強耦合、時變及隨機干擾較強的特點,應(yīng)用自適應(yīng)控制理論,采用可編程邏輯控制器(PLC)為核心控制部件,實現(xiàn)電弧爐電極升降的自動準(zhǔn)確控制,有效減少電極短路、斷弧和振蕩現(xiàn)象。在此給出控制方案、系統(tǒng)主要硬件及軟件流程圖。該系統(tǒng)已可靠運行于某煉鋼廠,并實現(xiàn)了降低電爐電耗,提高產(chǎn)品質(zhì)量的目的。
- 關(guān)鍵字: 控制系統(tǒng) 大型 PLC S7-300 基于 轉(zhuǎn)換器
MOSFET市場快速發(fā)展,本土企業(yè)見起色
- 全球節(jié)能環(huán)保意識高漲使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的主流趨勢。相應(yīng)地,電源|穩(wěn)壓器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應(yīng)用到整機電子產(chǎn)品中。在功率器件產(chǎn)品中,MOSFET的市場需求增長最快。據(jù)分析機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,盡管受全球金融危機影響, 2008年,中國MOSFET市場需求量為198.2億個,仍比2007年增長了11.9%。 在應(yīng)用方面,目前消費電子已成為MOSFET最大的應(yīng)用市場,這主要得益于MOSFET在便攜式產(chǎn)品、LCD TV等消費電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用。其次,是計算機、工業(yè)控制
- 關(guān)鍵字: Fairchild MOSFET 穩(wěn)壓器
IR推出適用于汽車柵極驅(qū)動應(yīng)用的器件AUIRS2016S

- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出AUIRS2016S 器件,適用于汽車柵極驅(qū)動應(yīng)用,包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應(yīng)用,以及螺線管驅(qū)動器。 AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側(cè)驅(qū)動器,具有內(nèi)部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅(qū)動器配備一個250mA高脈沖電流緩沖級。相關(guān)溝道能夠在高側(cè)配置中驅(qū)動一個N溝道功率MOSFET,可在高于地電壓達150V的條
- 關(guān)鍵字: IR MOSFET 驅(qū)動器 AUIRS2016S
飛兆推出RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件

- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件,采用Power 56封裝,型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開關(guān)或ORing FET,為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔(dān)負載功能。FET的連續(xù)導(dǎo)通特性,可降低功耗和提高效率,以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
- 關(guān)鍵字: Fairchild MOSFET FDMS7650
Fairchild推出新一代超級結(jié)MOSFET-SupreMOS

- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計人員帶來SupreMOS?新一代600V超級結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N,以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS?系列器件兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷,相比飛兆半導(dǎo)體的600V SuperFET&trade
- 關(guān)鍵字: Fairchild MOSFET SupreMOS SuperFET
FPGA助工業(yè)電機節(jié)能增效
- 在美國,工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域AC電機所用的電能占全國的2/3以上。在許多應(yīng)用中,AC電機或被關(guān)斷或以全速運作,而通過為電機添加變速控制功能,就能夠在標(biāo)準(zhǔn)開啟/關(guān)斷控制下實現(xiàn)顯著節(jié)能。用混合信號FPGA來實現(xiàn)高效率AC電機控制系統(tǒng),可大幅降低電機的功耗。 電機無處不在 今天,電機用于各類應(yīng)用中,然而,很少有人意識到電機在使用中對環(huán)境帶來怎樣的影響。專家估計,在美國,電機所消耗的電能約占總發(fā)電量的50%。從全球范圍看,AC電機功耗占工業(yè)應(yīng)用的70%,占商業(yè)應(yīng)用電能的45%,占住宅應(yīng)用電能的42%。
- 關(guān)鍵字: FPGA PWM MOSFET
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