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數(shù)字控制全橋軟開關(guān)電源的Saber仿真分析

  • 數(shù)字化是開關(guān)電源的發(fā)展趨勢(shì)，它可以實(shí)現(xiàn)快速、靈活的控制設(shè)計(jì)，改善電路的瞬態(tài)響應(yīng)性能，使之速度更快、精度更高，可靠性更強(qiáng)。因此，本文基于Saber仿真軟件對(duì)采用數(shù)字控制的大功率移相控制全橋ZVS電源系統(tǒng)( 12 V /
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雙管正激參數(shù)及控制環(huán)路的SABER仿真設(shè)計(jì)

  • 引言　　雙管正激變換器開關(guān)管的電壓應(yīng)力等于輸入電壓，關(guān)斷時(shí)也不會(huì)出現(xiàn)漏感尖峰，加上結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠性高，在高輸入電壓的中、大功率場(chǎng)合得到廣泛的應(yīng)用?！　≡陂_關(guān)電源的設(shè)計(jì)過程中，控制環(huán)路設(shè)計(jì)的優(yōu)劣關(guān)系到系
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saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例

  • saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例,設(shè)計(jì)中，根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊(cè)中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關(guān)參數(shù)，利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，圖5-1所示MOSFET DC Characteris
  • 關(guān)鍵字： 實(shí)例  仿真  驅(qū)動(dòng)  MOSFET  saber  

基于SABER仿真器的雙管正激參數(shù)及控制環(huán)路的設(shè)計(jì)

  • 0 引言
    目前，正激變流器在中、大功率場(chǎng)合得到廣泛的應(yīng)用，但單管正激變換器的開關(guān)管承受兩倍輸入電壓應(yīng)力，不能用在較高輸入場(chǎng)合。雙管正激變換器解決了這個(gè)問題，其開關(guān)管的電壓應(yīng)力等于輸入電壓，關(guān)斷時(shí)也
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