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雙脈沖測試基礎系列：基本原理和應用

  • 編者按雙脈沖是分析功率開關器件動態(tài)特性的基礎實驗方法，貫穿器件的研發(fā)，應用和驅(qū)動保護電路的設計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統(tǒng)設計中從容的調(diào)試驅(qū)動電路，優(yōu)化動態(tài)過程，驗證短路保護。雙脈沖測試基礎系列文章包括基本原理和應用，對電壓電流探頭要求和影響測試結(jié)果的因素等。為什么要進行雙脈沖測試？在以前甚至是今天，許多使用IGBT或者MOSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實驗的，而是直接在標定的工況下跑看能否達到設計的功率。這樣的測試確實很必要，但是往往這樣看不出具體的開關損耗，電壓或者電流的尖峰情況，以及
  • 關鍵字： MOSFET  

基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可調(diào)光LED照明降壓方案

  • 本文主要介紹安森美 (onsemi)的基于NCL35076連續(xù)導通模式 (CCM) DC-DC 降壓控制器的75 W方案和基于NCL30076準諧振(QR)降壓控制器的100 W及240 W方案。兩款方案的典型應用是LED照明系統(tǒng)、模擬/PWM可調(diào)光LED驅(qū)動器，模擬調(diào)光范圍寬，從1%到100%。安森美專有的LED電流計算技術和內(nèi)部檢測及反饋放大器的零輸入電壓偏移，在整個模擬調(diào)光范圍內(nèi)進行精確的穩(wěn)流，穩(wěn)流精度在滿載時<±2%，在1%的負載時<±20%。卓越的調(diào)光特性可根據(jù)負載情況在CCM (N
  • 關鍵字： MOSFET  

Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關損耗

  • 隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合，Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數(shù)字柵極驅(qū)動器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護，以實現(xiàn)安全、可靠的運輸并滿足嚴格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，可降低50%開關損耗對于碳化硅電源轉(zhuǎn)換設備的設計人員來說，Microchip的Agi
  • 關鍵字： Microchip  碳化硅  MOSFET  

雙極結(jié)型晶體管——MOSFET的挑戰(zhàn)者

  • 0? ?引言數(shù)字開關通常使用MOSFET 來創(chuàng)建，但是對于低飽和電壓的開關模型，雙極結(jié)型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對于低電壓和低電流的應用，它們不僅可以提供出色的電流放大效果，還具有成本優(yōu)勢（圖1）。圖1 雙極結(jié)型晶體管可為移動設備提供更長的使用壽命 圖源：IB Photography/Shutterstock在負載開關應用中，晶體管需要精確地放大基極電流，使輸出電壓接近零，以便僅測量晶體管的飽和電壓。MOSFET 通常用于這項用途，因為它們不需要任何底層控制器作為電壓控制組件。
  • 關鍵字： MOSFET  202109  

使用無刷直流電機加速設計周期的3種方法

  • 全球都在致力降低功耗，且勢頭愈來愈烈。許多國家/地區(qū)都要求家用電器（如圖 1 所示）滿足相關組織（如中國標準化研究院 (CNIS)、美國能源之星和德國藍天使）制定的效率標準。為了滿足這些標準，越來越多的系統(tǒng)設計人員在設計中放棄了簡單且易用的單相交流感應電機，轉(zhuǎn)而采用更節(jié)能的低壓無刷直流 (BLDC) 電機。為了實現(xiàn)更長的使用壽命和更低的運行噪音，掃地機器人等小型家電的設計人員也轉(zhuǎn)而在他們的許多系統(tǒng)中使用更先進的 BLDC 電機。同時，永磁技術的進步正不斷簡化 BLDC 電機的制造，在提供相同扭矩（負載）的
  • 關鍵字： MOSFET  BLDC  

面向工業(yè)環(huán)境的大功率無線電力傳輸技術

  • 1.?? 簡介隨著無線電力傳輸技術在消費類電子產(chǎn)品中的日益普及，工業(yè)和醫(yī)療行業(yè)也把關注焦點轉(zhuǎn)移至這項技術及其固有優(yōu)勢。在如 WLAN 和藍牙（Bluetooth）等各項無線技術的推動下，通信接口日益向無線化發(fā)展，無線電力傳輸技術也成為一種相應的選擇。采用一些全新的方案，不僅能帶來明顯的技術優(yōu)勢，還能為新的工業(yè)設計開辟更多可能性。這項技術提供了許多新的概念，特別是在需要對抗腐蝕性清潔劑、嚴重污染和高機械應力等惡劣環(huán)境的工業(yè)領域，例如 ATEX、醫(yī)藥、建筑機械等。比如，它可以替代昂貴且易損
  • 關鍵字： MOSFET  

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

  • 開篇前言關于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。特別提醒仿真無法替代實驗，僅供參考。1、選取仿真研究對象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯(lián)Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅(qū)動電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并
  • 關鍵字： MOSFET  

功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究

  • 高端變頻空調(diào)在實際應用中出現(xiàn)大量外機不工作，經(jīng)過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結(jié)合大量失效品分析與電路設計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結(jié)果表明：經(jīng)過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е拢琁GBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅(qū)動控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 關鍵字： 主動式PFC升壓電路  IGBT  SOA  閂鎖效應  ESD  熱擊穿失效  202108  MOSFET  

羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

  • 全球知名半導體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(展位號:11號館B39),屆時將展示面向工業(yè)設備和汽車領域的、以世界先進的SiC(碳化硅)元器件為核心的產(chǎn)品及電源解決方案。同時,羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“SiC/GaN功率器件技術與應用分析大會”以及“電動交通論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的SiC為核心的功率元器件技術,以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和
  • 關鍵字： MOSFET  

了解熱阻在系統(tǒng)層級的影響

  • 在電阻方面，電流流動的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個熱阻，可以用這些數(shù)字來計算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中，半導體接面是產(chǎn)生熱的來源，允許接面超過其最大操作溫度將導致嚴重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術來設計保護措施，以避免發(fā)生過熱關機等情況，但不可避免的是仍會造成損壞。一個更好的解決方案，就是在設計上選擇抑制 (或至少限制) 會造成接面溫度超過其操作最大值的情況。由于無法直接強制冷卻接面溫度，透過傳導來進行散熱是確保不會超過溫度的唯一方法。工程師需要在這
  • 關鍵字： MOSFET  

BUCK轉(zhuǎn)換器的PCB布局設計

  • 討論了BUCK轉(zhuǎn)換器的開通回路、關斷回路的電流特性，具有高電流變化率di/dt的輸入回路，以及具有高的電壓變化率dV/dt的開關節(jié)點是其關鍵回路和關鍵 節(jié)點，使用盡可能小的環(huán)路，短粗布線，優(yōu)先對其進行PCB布局。給出了多層板的信號分配原則，也給出了分立和集成的BUCK轉(zhuǎn)換器的PCB布局技巧和一些實例，分析了它們的優(yōu)缺點。
  • 關鍵字： PCB布局  磁場干擾  電場干擾  MOSFET  202108  

碳化硅邁入新時代 ST 25年研發(fā)突破技術挑戰(zhàn)

  • 1996年，ST開始與卡塔尼亞大學合作研發(fā)碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動汽車。為了慶祝ST研發(fā)SiC 25周年，我們決定探討 SiC在當今半導體行業(yè)中所扮演的角色，ST的碳化硅研發(fā)是如何取得成功的，以及未來發(fā)展方向。Exawatt的一項研究指出，到2030年， 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項技術也正在改變其他市場，例如，太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)、服務器電源、充電站等。因此，了解SiC過去25年的發(fā)展歷程是極其重要的，對今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅：半導體行業(yè)如何克服技術
  • 關鍵字： MOSFET  

Maxim Integrated發(fā)布來自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅(qū)動器，可最大程度地延長電池壽命并將元件數(shù)量減半

  • TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅(qū)動器，有效簡化無刷直流(DC)電機驅(qū)動設計，并最大程度地延長電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅(qū)動器為每相集成了低邊檢流放大器，構(gòu)成完備的電機驅(qū)動方案；與同類產(chǎn)品相比元件數(shù)量減半，且電源效率提高30%，大幅簡化設計。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進行性
  • 關鍵字： MOSFET  

電動汽車用SiC和傳統(tǒng)硅功率元器件都在經(jīng)歷技術變革

  • 近年來，在全球“創(chuàng)建無碳社會”和“碳中和”等減少環(huán)境負荷的努力中，電動汽車（xEV）得以日益普及。為了進一步提高系統(tǒng)的效率，對各種車載設備的逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中使用的功率半導體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC 功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統(tǒng)的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET 等）都在經(jīng)歷技術變革。在OBC（車載充電機）方面，羅姆以功率器件、模擬IC 以及標準品這三大產(chǎn)品群進行提案。羅姆半導體（上海）有限公司 技術中心 副總經(jīng)理 周勁1? ?Si
  • 關鍵字： MOSFET  202108  

功率因素校正電路旁路二極管的作用

  • 本文總結(jié)了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開機瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動，導致功率MOSFET驅(qū)動電壓降低、其進入線性區(qū)而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個措施。
  • 關鍵字： 功率因素校正  旁路二極管  線性區(qū)  欠壓保護  202103  MOSFET  
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