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PIC單片機(jī)與串行閃存的SPI接口設(shè)計(jì)

  • 本文介紹的M25P16與PIC16F877A的接口已應(yīng)用于自來水流量數(shù)據(jù)采集的本地存儲(chǔ)中。運(yùn)行穩(wěn)定可靠，未發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失現(xiàn)象，對(duì)其他應(yīng)用有一定的參考價(jià)值。
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基于LPC2103的SPI總線技術(shù)的應(yīng)用

  • 摘 要：介紹了一種基于SPI總線技術(shù)的LPC2103對(duì)LED數(shù)碼管顯示實(shí)現(xiàn)控制的方法。采用8位74HC595串并轉(zhuǎn)換芯片驅(qū)動(dòng)LED數(shù)碼管。結(jié)合74HC595芯片的特點(diǎn)給出了SPI控制的驅(qū)動(dòng)電路，描述了基于SPI總線主模式的74HC595芯片的數(shù)據(jù)
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美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

  • 　　美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購(gòu)NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。 　　完成收購(gòu)恒憶后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營(yíng)收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達(dá)4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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JFFS2 文件系統(tǒng)及新特性介紹

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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三星出貨全球首款多芯片封裝相變存儲(chǔ)顆粒

  • 　　相變存儲(chǔ)技術(shù)看來終于要走出實(shí)驗(yàn)室，走向市場(chǎng)了。繼Numonyx宣布出貨Omneo系列相變存儲(chǔ)芯片后，三星電子近日也宣布，推出全球首款多芯片封裝(MCP)PRAM相變存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)品。 　　相變存儲(chǔ)屬于非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以像閃存那樣在關(guān)機(jī)后繼續(xù)保持?jǐn)?shù)據(jù)。三星就表示，這款512Mbit容量MCP封裝PRAM顆粒在軟硬件功能上都和40nm級(jí)NOR閃存顆粒完全兼容，方便客戶廠商在產(chǎn)品中加入該存儲(chǔ)顆粒。由于相變存儲(chǔ)技術(shù)的高寫入速度特性，采用PRAM可有效提升數(shù)碼設(shè)備的存儲(chǔ)速度。 　　三星表示，多芯片封裝PRA
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TMS320F2812的SPI接口設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了使控制系統(tǒng)的參數(shù)能夠在掉電之前保存下來，提出一種SPI模塊與25LC040芯片的接口設(shè)計(jì)方法，介紹了DSP芯片TMS320F2812 SPI模塊的特點(diǎn)，以及25LC040芯片的功能特點(diǎn)、操作規(guī)范和讀寫時(shí)序，給出了硬件接口電路，
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抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運(yùn)作

  • 　　英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導(dǎo)體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營(yíng)運(yùn)。 　　2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場(chǎng)，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術(shù)，由IM Flash專門為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導(dǎo)體景氣循環(huán)來到低點(diǎn)，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴(yán)重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費(fèi)35億美元打造，本應(yīng)于2
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C8051F35X單片機(jī)內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器的擦寫方法

  • 摘要：為避免在程序運(yùn)行時(shí)向單片機(jī)內(nèi)置的Flash寫入數(shù)據(jù)導(dǎo)致復(fù)位，采用調(diào)用鎖定與關(guān)鍵碼的操作方法對(duì)C2805lF35X型單片機(jī)的Flash進(jìn)行擦除、寫入和讀取操作，并提供程序范例。該方法無需任何接口電路，使用方便，成本低
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Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)

  • Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主 要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
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虛擬SPI時(shí)序在TC77與S3C2410通信中的應(yīng)用

  • 1 引言
    串行外圍設(shè)備接口SPI(serial peripheral interface)總線技術(shù)是Motorola公司推出的一種通用串行接口。它是一種三線同步總線，硬件功能很強(qiáng)。但是在數(shù)字溫度傳感器TC77與三星S3C2410處理器的通信中，由于受
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嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用

  • 嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用,當(dāng)前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設(shè)計(jì)中，存儲(chǔ)模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nor-flash存儲(chǔ)器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機(jī)讀取速度快，因此在嵌入式系統(tǒng)中，常應(yīng)用在程
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Micron發(fā)布季度報(bào)告 DRAM銷售環(huán)比增長(zhǎng)24%

  • 　　Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財(cái)年第二季度的運(yùn)營(yíng)成果。對(duì)于2010財(cái)年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達(dá)近20億美元。相比之下，2010財(cái)年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財(cái)年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財(cái)年之前各個(gè)時(shí)期的金額及
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TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導(dǎo)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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富士通開發(fā)NOR型閃存新技術(shù)

  • 　　富士通微電子公司日前宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù)，可提高閃存讀取速度，并同時(shí)降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機(jī)存儲(chǔ))中的電路元素，從而實(shí)現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達(dá)，訪問時(shí)間僅10ns，同時(shí)工作電流降低三分之二達(dá)到9µA。通過在嵌入式設(shè)備中應(yīng)用這項(xiàng)技術(shù)，便攜音視頻設(shè)備將有望改進(jìn)性能，同時(shí)延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。 　　富士通表示，將以這項(xiàng)N
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基于單片機(jī)SPI器件的串口控制

  • 摘要：集成電路設(shè)計(jì)越來越向系統(tǒng)級(jí)的方向發(fā)展，并且越來越強(qiáng)調(diào)模塊化的設(shè)計(jì)。SPI總線是Motorola公司提出的一個(gè)同步串行外設(shè)接口，容許CPU與各種外圍接口器件以串行方式進(jìn)行通信、交換信息。在此簡(jiǎn)述了SPI總線的特點(diǎn)
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spi nor flash介紹

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