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ST推出512kbit I2C和SPI低壓串行EEPROM存儲器

2005年3月9日意法半導(dǎo)體今天推出兩款工作電壓為1.8V的 512-kbit EEPROM 存儲器，這兩款器件都采用TSSOP8封裝，用于 I2C (智能接口控制器) 和SPI (串行外設(shè)接口)總線應(yīng)用。 M95512 和 M24512是ST采用先進(jìn)的1.65V電壓0.18 微米EEPROM工藝制造的最新產(chǎn)品，這項(xiàng)先進(jìn)
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意法半導(dǎo)體（ST）推出LED單片控制方法

2005年3月14日意法半導(dǎo)體日前推出一系列用于工業(yè)照明、標(biāo)牌和交通應(yīng)用的單片LED驅(qū)動IC。功率邏輯STPxxC596 和STPxxCL596 系列產(chǎn)品集成了外部電阻設(shè)置和恒流驅(qū)動LED所需的全部功能，一旦設(shè)置完成后，反饋機(jī)制就會監(jiān)視一個(gè)LED或一個(gè)LED陣列，并動態(tài)調(diào)節(jié)輸出，以維持已編程的電流電平。這兩個(gè)器件分8個(gè)輸出或16個(gè)輸出兩種型號，輸入電壓3.3V
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ST推出世界上第一款超薄CRT顯示器用垂直偏轉(zhuǎn)升壓放大器

2005年3月15日意法半導(dǎo)體今天推出了世界第一個(gè)超薄CRT垂直偏轉(zhuǎn)升壓放大器。這款命名為STV8179F的放大器能夠滿足超大屏幕超薄CRT顯示器對高輸出電流和回掃電壓以及低散熱的需求。新出現(xiàn)的超薄CRT顯示器概念除具有平板顯示器的尺寸小的優(yōu)點(diǎn)外，還兼有CRT技術(shù)的所有優(yōu)點(diǎn)，如優(yōu)異的清晰度，鮮艷的色彩，出色的對比度，低廉的價(jià)格。超薄顯像管的厚度接近液晶電視和等離子電視，而價(jià)格只是平板電視的三分之一。 &n
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意法半導(dǎo)體（ST）推出便攜設(shè)備用2x1W立體聲音頻放大器

2005年3月17日意法半導(dǎo)體今天推出一款高質(zhì)量的音頻放大器IC，該產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用包括手機(jī)、筆記本電腦、個(gè)人數(shù)字助理、液晶顯示器、電視和隨身聽等便攜設(shè)備。 TS4984能夠在5V電壓下向8歐姆負(fù)載輸出每聲道1W的連續(xù)均方根輸出功率，THD+N（總諧波失真+噪聲）低于1%，工作電壓范圍2.2 到 5.5V。典型信噪比100dB(A)；輸入接地，電源電壓抑制比在217Hz時(shí)6
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ST推出一個(gè)新的32兆位汽車專用閃存

　　ST宣布推出一個(gè)新的32兆位汽車專用閃存，汽車專用閃存是其它類型存儲器件無法取代的汽車環(huán)境使用的芯片。除保持高速存取和寬工作溫度范圍之外，M58BW032還適用于傳動系統(tǒng)和變速器的控制模塊、ABS控制器以及其它高性能的汽車系統(tǒng)。　　從閃存直接執(zhí)行代碼是寬溫度范圍應(yīng)用的主要需求之一，在這種環(huán)境內(nèi)，CPU不能從普通系統(tǒng)使用的大容量DRAM存儲器執(zhí)行代碼，相反，應(yīng)用設(shè)計(jì)師需要高速可靠的大容量閃存來執(zhí)行代碼，汽車應(yīng)用對閃存的要求接近了MCU芯片嵌入的閃存技術(shù)的容量極限，但是，獨(dú)立閃存芯片如M58BW032
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ST與Scientific-Atlanta再次提高有線電視機(jī)頂盒技術(shù)標(biāo)桿

　　2005年1月12日 — 世界最大的機(jī)頂盒芯片供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）與著名的數(shù)字錄像機(jī)和高清電視機(jī)頂盒制造商Scientific-Atlanta有限公司聯(lián)合宣布兩家公司合作開發(fā)的一款高度集成的有線電視機(jī)頂盒芯片開始進(jìn)入量產(chǎn)階段。新產(chǎn)品集兩家公司的先進(jìn)的機(jī)頂盒和硅技術(shù)之大成，再次創(chuàng)立了系統(tǒng)芯片的集成基準(zhǔn)。　　新的Atlas芯片是一個(gè)可立即投產(chǎn)的定制集成電路，現(xiàn)已安裝在高級機(jī)頂盒產(chǎn)品之內(nèi)，如Scientific-Atlanta的Explorer® 8000™系列
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ST 公布第四季度收入和毛利率的初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果

　　2005年1月11日 — 意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）今日公布了2004財(cái)務(wù)年第四季度（截至2004年12月31日）的凈銷售收入的初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果，截至今日公司第四財(cái)務(wù)季度的凈收入23.28億美元，環(huán)比增長4.3%，相比之下，上一季度公布的第四季度收入增長指標(biāo)為第四季度與上一季度持平到增長5%。根據(jù)現(xiàn)有的初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果，毛利率估計(jì)為36.6%左右，而以前公布的第四季度毛利率指標(biāo)為38-39%。　　ST 認(rèn)為匯率和持續(xù)的價(jià)格壓力、制造設(shè)備利用率低于預(yù)期水平和某些制造廠業(yè)績不佳等不利因素是導(dǎo)致本季度
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意法半導(dǎo)體（ST）的混合發(fā)射極晶體管

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）推出了一個(gè)混合發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管(ESBT)，這個(gè)被稱作STE50DE100的新器件可用于焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱系統(tǒng)和音頻放大器的功率因數(shù)校正應(yīng)用。STE50D100的集電極-源極能經(jīng)受1000V的高壓，集電極電流高達(dá)50A，這個(gè)四端子器件采用工業(yè)專用螺釘組裝的TSOTOP封裝。在設(shè)計(jì)上，新器件集中了雙極晶體管和MOSFET管的優(yōu)點(diǎn)，并且摒棄了它們的缺點(diǎn)。目前，功率雙極晶體管技術(shù)廣泛用于頻率低于70KHz的電源開關(guān)應(yīng)用，因?yàn)榧姌O-發(fā)射極飽和電壓低，功率雙極晶體管具有較低
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ST推出兼容NorDig統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的單片COFDM解調(diào)器

數(shù)字電視系統(tǒng)芯片解決方案供應(yīng)商及世界上最大的機(jī)頂盒芯片供應(yīng)商*意法半導(dǎo)體，日前發(fā)布一個(gè)新的能夠在全歐洲進(jìn)行地面數(shù)字電視廣播前端處理功能的COFDM解調(diào)器芯片STV0361，新器件完全符合歐洲的COFDM（編碼正交分頻多工技術(shù)）解調(diào)標(biāo)準(zhǔn)，其中包括歐洲廣播聯(lián)合會數(shù)字視頻廣播——地面(EBU DVB-T)規(guī)范(ETS 300 744)，特別兼容NorDig統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)1.0.1版。新的芯片用于設(shè)計(jì)數(shù)字電視和數(shù)字模擬混合電視、數(shù)字機(jī)頂盒和數(shù)字錄像機(jī)，可以與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的ST OMEGA后端芯片無縫連接，為價(jià)格敏感的數(shù)字消
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Hynix與ST在中國合建一流存儲器前端制造廠

　　意法半導(dǎo)體與韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體今天宣布雙方簽署了在中國江蘇省無錫市合資建立一家存儲器前端制造廠的合資企業(yè)協(xié)議書，這個(gè)專門用于制造DRAM和NAND閃存的全新的晶圓制造廠將有助于現(xiàn)代半導(dǎo)體（Hynix）DRAM業(yè)務(wù)的穩(wěn)定增長，而意法半導(dǎo)體公司可通過該廠建立其NAND閃存的產(chǎn)能。該合資公司同時(shí)可有效地拓展成功的NAND閃存制程/產(chǎn)品開發(fā)，并加強(qiáng)兩家公司間的生產(chǎn)制造能力。　　工廠選址無錫是因?yàn)樵摰貐^(qū)交通便利，緊臨上海，可提供大量經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)人員及工人，基礎(chǔ)設(shè)施完善。這個(gè)先進(jìn)的晶圓制造廠以及超過18,000
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ST的串行程序及數(shù)據(jù)閃存產(chǎn)品系列新增1兆位和2兆位成員

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）今天推出兩個(gè)新的數(shù)據(jù)和程序存儲器件，這兩個(gè)器件屬于ST的高速低壓串行閃存產(chǎn)品系列，新的M45PE10 和 M45PE20將用于大量的快速變化的參數(shù)數(shù)據(jù)應(yīng)用，例如應(yīng)答機(jī)、尋呼機(jī)、視頻游戲和電子玩具。這兩個(gè)1兆位和2兆位的器件維持了與串行EEPROM產(chǎn)品組合之間的連續(xù)性，并使ST規(guī)格齊全的代碼存儲M25P串行閃存系列變得更加完整。M45PE系列產(chǎn)品提供精細(xì)粒度，可以存儲快速變化的數(shù)據(jù)，而且系統(tǒng)額外開支被最小化。每個(gè)256字節(jié)的頁可以單獨(dú)擦除或編程，此外，寫入指令提供了修改1
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意法半導(dǎo)體（ST）推出WLAN IEEE802.11b/g功率放大器

意法半導(dǎo)體 (紐約證券交易所：STM) 今日推出一個(gè)用于無線LAN應(yīng)用的線性功率放大器，這個(gè)器件符合IEEE802.11b/g標(biāo)準(zhǔn)，目標(biāo)應(yīng)用包括筆記本電腦、PC機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理和其它移動產(chǎn)品。STB7720L是一個(gè)三級線性功率放大器，專門為WLAN應(yīng)用的2.4GHz ISM頻段設(shè)計(jì)。它包括用于提高線性的偏置網(wǎng)絡(luò)、關(guān)斷模式和靜流整流功能，功率增益32dB，線性輸出功率19dBm，以54Mbit/s速率進(jìn)行802.11g調(diào)制時(shí)，錯誤矢量僅為2%。這個(gè)器件集成一個(gè)線性模擬控制器和一個(gè)平均通道功率檢測器，控制器用
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ST以更小、更強(qiáng)固的功率器件打破半導(dǎo)體規(guī)則

　　意法半導(dǎo)體日前推出新一代VIPower（縱向智能功率器件）技術(shù)，VIPower技術(shù)為ST公司獨(dú)家專有，新技術(shù)的問世進(jìn)一步加強(qiáng)了該公司在智能功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。代號為M0-5的新技術(shù)采用一項(xiàng)獲得專利的控制策略，使該公司能夠減小芯片及封裝的尺寸，同時(shí)輸出與現(xiàn)有產(chǎn)品相同的功率，而且還大幅度提高了產(chǎn)品的強(qiáng)固性。這項(xiàng)新技術(shù)特別適用于以更小、更輕、更便宜為需求特點(diǎn)的汽車應(yīng)用，使汽車元器件實(shí)現(xiàn)了在極具挑戰(zhàn)性的物理和電條件下必須穩(wěn)定工作的要求。　　ST開發(fā)新一代汽車智能功率技術(shù)的基礎(chǔ)是，對異常工況下導(dǎo)致元器件
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ST機(jī)頂盒IC產(chǎn)品新增單片DVB-S2硅調(diào)諧器

　　意法半導(dǎo)體近日推出一個(gè)新的機(jī)頂盒硅調(diào)諧器STB6100，新產(chǎn)品符合新的DVB-S2衛(wèi)星廣播規(guī)范的嚴(yán)格規(guī)定。與先前的DVB-S標(biāo)準(zhǔn)相比，新的DVB-S2標(biāo)準(zhǔn)將衛(wèi)星通信鏈路的容量提高了30%，實(shí)際性能已接近理論上的極限，從而促進(jìn)了高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用如HDTV（高清電視）和寬帶互聯(lián)網(wǎng)的高效部署。　　ST是世界最大的機(jī)頂盒硅片供應(yīng)商*，產(chǎn)品范圍覆蓋衛(wèi)星、有線和地面電視，為優(yōu)化DVB-S2規(guī)范，該公司密切配合DVB（數(shù)字視頻廣播）技術(shù)組的工作。2004年5月，ST宣布開發(fā)成功一個(gè)符合新規(guī)范的模塊化設(shè)計(jì)，現(xiàn)在它正
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應(yīng)用STripFET技術(shù)的新低壓場效應(yīng)MOS晶體管

　　意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）推出多個(gè)基于其STripFET技術(shù)的低壓N溝道場效應(yīng)MOS晶體管，這些產(chǎn)品的設(shè)計(jì)目標(biāo)是超高開關(guān)頻率的應(yīng)用，對計(jì)算機(jī)主板和電信客戶極具吸引力。　　STripFET采用優(yōu)化的布局和最新的制程，提高了柵電荷、柵電阻和輸入電容特性。低柵電荷特性使開關(guān)特性十分優(yōu)秀，低柵電阻意味著瞬間響應(yīng)速度快。這項(xiàng)技術(shù)還創(chuàng)造了極低的靈敏系數(shù)，等于降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗。　　意法半導(dǎo)體發(fā)布的新產(chǎn)品包括STS12NH3LL, STSJ50NH3LL, STD55NH2LL, STD95NH
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