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vishay intertechnology 文章 進(jìn)入vishay intertechnology技術(shù)社區(qū)
Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設(shè)備,以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T,擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長(zhǎng)隔離距離,還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓,非常適合在高工作電壓下運(yùn)轉(zhuǎn)的應(yīng)用及污染程度較重的環(huán)境?! 〕司哂袃?yōu)異的隔離能力,使用可靠和久經(jīng)考驗(yàn)的光電子
- 關(guān)鍵字: Vishay IGBT MOSFET VOW3120
Vishay推出開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)1.5MHz 的同步降壓穩(wěn)壓器
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款可編程開(kāi)關(guān)---Vishay Siliconix SiP12109,其頻率高達(dá)1.5MHz,輸入電壓4.5~15V的4A器件,擴(kuò)充了Vishay的microBUCK?系列集成式同步降壓穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix SiP12109在節(jié)省空間的3mm x 3mm QFN-16封裝內(nèi)集成了高邊和低邊功率MOSFET,為設(shè)計(jì)者提供了
- 關(guān)鍵字: Vishay SiP12109 microBUCK CM-COT DC/DC
Vishay發(fā)布新款配對(duì)高速紅外發(fā)射器/光電二極管
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出兩款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的配對(duì)高速940nm紅外發(fā)射器和硅PIN光電二極管VSMB10940X01/VEMD10940FX01和VSMB11940X01/VEMD11940FX01,采用小尺寸3mm?x?2mm側(cè)視表面貼裝封裝。VSMB10940X01/VEMD10940FX01高度為1mm,VSMB11940X01/VEMD11940FX01的高度為0.6mm,是業(yè)內(nèi)高度最低的側(cè)視產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字: Vishay 紅外 PIN VSMB AEC-Q101
Vishay推出新款雙向電池開(kāi)關(guān)
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的具有轉(zhuǎn)換速率控制功能的6.5mΩ雙向電池開(kāi)關(guān)--- SiP32101,可在便攜式電子設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和儀器儀表中用來(lái)隔離低壓電池。在這些空間受限的應(yīng)用中,Vishay Siliconix SiP32101比使用分立MOSFET的方案能節(jié)省91%的PCB空間,在小尺寸12凸點(diǎn)WCSP封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻和超低靜態(tài)電流。
- 關(guān)鍵字: Vishay SiP32101 雙向
Vishay擴(kuò)大應(yīng)用于高溫環(huán)境的表面貼裝多層陶瓷片式電容器
- VishayIntertechnology,Inc.宣布,擴(kuò)大其用于高溫應(yīng)用的VJX8R系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)。為節(jié)...
- 關(guān)鍵字: Vishay 高溫環(huán)境 電容器
vishay intertechnology介紹
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