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Vishay發(fā)布業(yè)界首個(gè)系列超小型SMD紅外接收器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于遙控系統(tǒng)的新款系列超小型SMD紅外接收器。該系列器件是業(yè)界首個(gè)采用兩個(gè)光敏二極管及專(zhuān)利技術(shù)內(nèi)部金屬EMI屏蔽的產(chǎn)品，超薄封裝的厚度僅為2.35mm。TSOP75xxxW采用無(wú)鏡片設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最佳的敏感度尺寸比，在在±75°寬的角度內(nèi)，輻照度為0.3mW/m2～0.7mW/m2。 　　今天發(fā)布的器件中有三款是自動(dòng)增益控制(AGC)版本。TSOP752xxW兼容于所有常用紅外遙控?cái)?shù)據(jù)格式。TSOP7
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Vishay推出新款高速PIN光敏二極管

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝，提供透明環(huán)氧樹(shù)脂封裝和具有日光阻斷濾波功能的版本。八款新器件針對(duì)煙霧探測(cè)、光柵中的探測(cè)器，以及各種消費(fèi)類(lèi)和工業(yè)應(yīng)用中的數(shù)據(jù)傳輸進(jìn)行了優(yōu)化。 　　VBPW34FAS、VBPW34FASR、VBP104FAS和VBP104FASR光敏二極管具有與紅外發(fā)射器相匹配的日光阻斷濾波器，例如波長(zhǎng)為870nm或950nm的Vishay TSFFxxxx
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Vishay推出業(yè)界最小的芯片級(jí)MOSFET

  • 　　日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級(jí)功率MOSFET。 　　在種類(lèi)繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池開(kāi)關(guān)和充電開(kāi)關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實(shí)現(xiàn)更多的功能。與市場(chǎng)上尺寸與之最接近的芯片級(jí)功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay推出新款高可靠性的鉭外殼液鉭電容器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器 --- 136D。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內(nèi)工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。 　　商用的136D電容器等同于軍用型的CLR90和CLR91器件，軍用型器件是按照軍標(biāo)MIL-PRF-39006/30和39006/31的性能要求設(shè)計(jì)的。另外，今天發(fā)布
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Vishay采用Bulk Metal? 1202系列微調(diào)電位器

Vishay推出采用可表面貼裝的模壓封裝液鉭電容器

  • 　　2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，推出兩款新型液鉭電容器---M34和M35，新器件是業(yè)界首款采用真正可表面貼裝的模壓封裝產(chǎn)品。 　　 ? 　　M34和M35液鉭電解芯片電容器集中了所有電解電容器的優(yōu)點(diǎn)，摒棄了大多數(shù)缺點(diǎn)。在相似的電容量和外殼尺寸的情況下，新器件可耐受比其他類(lèi)型電解電容器更高的紋波電流。此外，M35系列在+85℃溫度下可承受3V的反向電壓。 　　新器件可以使目前使用Vish
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Vishay推超長(zhǎng)壽命高性能徑向鋁電容器

  • 　　近日，Vishay Intertechno logy,Inc.宣布推出新系列徑向鋁電容器---EKX系列，這些器件可實(shí)現(xiàn)+105°C的高溫運(yùn)行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
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具有位置檢測(cè)能力的光檢測(cè)電路(07-100)

  • 　　光檢測(cè)電路用LED和光檢測(cè)器線(xiàn)性陣列來(lái)檢測(cè)切斷光束的目標(biāo);然后，觸發(fā)報(bào)警輸出。然而，光檢測(cè)電路通常不提供發(fā)生空間的數(shù)據(jù)以指明光束被切斷的位置。本設(shè)計(jì)增加了位置檢測(cè)功能，能告知何處光束被切斷并經(jīng)RS-232把切斷光束的位置傳送到PC。
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Vishay發(fā)布先進(jìn)的第七代通用高壓電源模塊

  •         Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布其第七代通用高壓電源模塊系列，該系列具有增強(qiáng)的電流處理能力、更輕的重量、更低的熱阻、更高的可靠性及完全無(wú)鉛的結(jié)構(gòu)。 　　第七代模塊均采用與 TO-240AA 兼容的 ADD-A-PAK 封裝，將兩個(gè)有源元件整入各系列，并包括標(biāo)準(zhǔn)二極管、可控硅/二極管、可控硅/可控硅及肖特基整流器組合。 　　新器件具有高達(dá) 1600 V 的阻斷電壓、1000 V/µ
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Vishay攜多款產(chǎn)品亮相展會(huì)

  • 　　雖然全球經(jīng)濟(jì)正陷入低迷中，電子行業(yè)也在經(jīng)歷著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。但作為全球最大的分立器件與無(wú)源器件供應(yīng)商，Vishay并未因此放慢自己的腳步，反而利用其技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)，推出了眾多高性能、低功耗、低成本的產(chǎn)品。在繼續(xù)保持其領(lǐng)導(dǎo)地位的同時(shí)，更幫助客戶(hù)將Vishay的技術(shù)實(shí)力轉(zhuǎn)化為他們自身的競(jìng)爭(zhēng)力。 　　在本次IIC期間，Vishay攜帶多款最新產(chǎn)品參展。包括具有 3300μF～72000μF 超高電容范圍的新型HE3液體鉭高能電容器，新器件采用 SuperTan技術(shù)，可提供 0.035?
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Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET? Gen III 功率 MOSFET 刷新了業(yè)界最佳導(dǎo)通電阻記錄

  • 　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK® SO-8 封裝類(lèi)型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。 SiR476DP 在 4.5V
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Vishay推出高強(qiáng)度白光功率 SMD LED

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 CLCC-6 及 CLCC-6 扁平陶瓷封裝的高強(qiáng)度白光功率 SMD LED --- VLMW63.. 系列和VLMW64.. 系列。上述系列器件均提供基于藍(lán)寶石 InGaN/TAG 技術(shù)、2240mcd 至 5600mcd 的高光功率。 　　新型 VLMW63.. 系列采用 CLCC-6 封裝且具有低達(dá) 50k/W 的低熱阻，而采用 CLCC-6 扁平封裝的 VLMW64.. 系列則具有 40k/W 低熱阻及 0.9m
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Vishay推出高可靠性VJ HVArc Guard表面貼裝MLCC

  • 　　Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，其 HVArc Guard 表面貼裝 X7R 多層陶瓷芯片電容器 (MLCC) 現(xiàn)可提供可選聚合體端子。該器件專(zhuān)為耐受較高機(jī)械應(yīng)用而設(shè)計(jì)，旨在減少機(jī)械破碎相關(guān)的電容器故障。 　　憑借可選聚合體端子，VJ0805、VJ1206、VJ1210、VJ1808 和 VJ1812 HVArc Guard? MLCC 可減少電容器故障，并通過(guò)限制電容器故障節(jié)約保修成本，從而進(jìn)一步減少電路板上受損元件的數(shù)量或減少對(duì)整個(gè)設(shè)備的損壞。 　　Visha
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Vishay 的新型超高精度Z 箔電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新型超高精度 Z 箔電阻 —— VPR221Z.此新型器件可提供 ±0.05ppm/°C（當(dāng)溫度介于 0°C 至 +60°C 之間）及 ±0.2 ppm/°C（當(dāng)溫度范圍在  55°C 至 +125°C）（參考溫度為 +25°C）的工業(yè)級(jí)別絕對(duì) TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8
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Vishay 推出高性能、超小型4 線(xiàn)ESD保護(hù)陣列

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 線(xiàn) ESD 保護(hù)陣列 --- VBUS054CV-HS3，該器件可在高浪涌電流情況下提供低電容，以保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或四個(gè)其它高頻信號(hào)線(xiàn)，以免它們受到瞬態(tài)電壓信號(hào)的損壞。 　　VBUS054CV-HS3 采用占位面積為 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的無(wú)鉛 LLP75 封裝，可將眾多便攜式電子設(shè)備中的有源 ESD 保護(hù)所需的板面空間縮減至最小，這些系統(tǒng)包括便攜式與手持式計(jì)算、通
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vishay介紹

威世（VISHAY）集團(tuán)成立于1962年，總部位于美國(guó)賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過(guò)科技創(chuàng)新和不斷的并購(gòu), 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無(wú)源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國(guó)家，其中中國(guó)大陸有7家制造業(yè)工廠(chǎng)分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國(guó)財(cái)富雜志評(píng)為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]

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