首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> vishay

Vishay推出ESD級別高達2kV的車用精密薄膜電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q200認(rèn)證、ESD級別高達2kV的新款PAT系列精密車用薄膜電阻。該電阻的標(biāo)準(zhǔn)TCR低至±25ppm/℃，經(jīng)過激光微調(diào)后的容差低至±0.1%，可滿足汽車行業(yè)對溫度、濕度提出的新需求，同時具有可靠的可重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。 　　由于在高純度的氧化鋁基板上涂上了一層氮化鉭電阻薄膜，使PAT電阻實現(xiàn)了穩(wěn)定的薄膜，在+70℃下經(jīng)過10,000小時后的性能特性為1000ppm。器件針對混合動力/電控
  • 關(guān)鍵字： Vishay  ESD  薄膜電阻  

Vishay的接線柱功率鋁電容器新增三種外形尺寸

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。 　　101/102 PHR-ST 器件現(xiàn)在共有從35mmx 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸，圓柱形的鋁外殼與圓盤里的藍色套筒和減壓裝置保持絕緣。新的外形尺寸使器件實現(xiàn)了從1F、25V至10,000F、45
  • 關(guān)鍵字： Vishay  電容器  

Vishay推出TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出電流密度高達2A~4A、采用低尺寸表面貼裝SMA和SMB封裝的新款100V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器。 　　今天發(fā)布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封裝的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封裝的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封裝的厚度分別只有2.29mm和2.44mm。 　　由于器件具有0.56V的極低典型前向電壓降和優(yōu)異的雪崩容量
  • 關(guān)鍵字： Vishay  整流器  TMBS  

Vishay發(fā)布大電流IHLP電感器的視頻產(chǎn)品演示

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在網(wǎng)站上新增了低尺寸、大電流IHLP電感器的視頻產(chǎn)品演示，幫助客戶了解在應(yīng)用中使用這種電感器的好處。 　　視頻演示顯示，當(dāng)電流增大時，采用其他技術(shù)的電感器會硬飽和，導(dǎo)致感值急劇下降至幾乎為零。IHLP器件能夠軟飽和，使得感值能夠緩慢地滾降。 　　Vishay的IHLP電感器可處理高瞬態(tài)電流尖峰，而不會出現(xiàn)硬飽和。這段4分鐘的視頻介紹了飽和電流性能測試，充分顯示了IHLP器件在5A和25A的額定電流下的出色性能。 　　為盡可能
  • 關(guān)鍵字： Vishay  電感器  IHLP  

Vishay推出超小型雙向?qū)ΨQ單線ESD保護二極管

  • 　　日前，Vishay推出采用LLP006封裝的新款雙向?qū)ΨQ(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護便攜式電子設(shè)備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害。 　　VBUS05L1-DD1-G-08的占位僅有0.6mm x 1.0mm，封裝的厚度小于0.4mm，因此在便攜式游戲機、數(shù)碼相機、MP3播放器和手機等設(shè)備中進行有源ESD保護時，只需要很小的電路板空間。 　　
  • 關(guān)鍵字： Vishay  二極管  ESD保護  

Vishay推出Bulk Metal箔電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，在至少6年內(nèi)(未受潮)的工廠壽命穩(wěn)定率可達2ppm(±0.0002%)，上升時間小于1ns。H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有&plus
  • 關(guān)鍵字： Vishay  箔電阻  Bulk Metal  

Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。 　　SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對準(zhǔn)工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術(shù)實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  TrenchFET  

Vishay Siliconix推出業(yè)界最小的60V 功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多的空間。 　　SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm，最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度則薄了26%。 　　在VGS為10V、4.5V和3.5V的情況下，新器件的導(dǎo)通電阻分別
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  SiM400  

Vishay推出采用PowerBridge封裝的整流器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增強型高電流密度PowerBridge整流器。整流器的額定電流高達30A~45A，最大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強度高達1500V。該系列45A器件是業(yè)界首款采用PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器，產(chǎn)品尺寸為30mm x 20mm，厚度為3.8mm。 　　與市場上其他更大尺寸的橋式整流器相比，PowerBridge器件先進的導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)使熱量能更有效地散發(fā)出去。因此，PowerBrid
  • 關(guān)鍵字： Vishay  整流器  PowerBridge  

Vishay推出適用于線焊組裝的新PSC系列RF螺旋電感器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于線焊組裝的新系列RF螺旋電感器 --- Vishay Electro-Films PSC系列電感器 --- 具有低DCR、高Q值和寬感值范圍，提供RF等效電路模型，使得設(shè)計者可以對器件性能進行高度精確的計算機仿真。 　　PSC電感器是針對需要線焊器件的RF電路而設(shè)計的，包括在通信系統(tǒng)及測試測量儀器中的阻抗調(diào)諧電路、集總元件濾波器和混合RF集成電路。 　　螺旋電感具有1nH~100nH的寬感
  • 關(guān)鍵字： Vishay  RF  螺旋電感器  

Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術(shù)實現(xiàn)了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  SiA433EDJ  

Vishay擴展其超高可靠性貼片電阻的阻值范圍

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴大了符合美軍標(biāo)MIL-PRF-55342認(rèn)證的E/H薄膜貼片電阻的阻值范圍，推出增強型E/H貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強后的器件使高可靠性應(yīng)用能夠用上更低阻值的電阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω，容差為0.1%，10Ω電阻的容差為1.0%。 　　增強型E/H貼片電阻適用于對性能有嚴(yán)格要求的高可靠性軍
  • 關(guān)鍵字： Vishay  貼片電阻  

Vishay推出1500W表面貼裝瞬間電壓抑制器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內(nèi)1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面貼裝TransZorb瞬態(tài)電壓抑制器(TVS) --- SMPC系列。SMPC系列具有6.7V～42.4V的擊穿電壓和10.0V～58.1V的優(yōu)異鉗位能力。 　　今天發(fā)布的TVS器件采用eSMP TO-277A封裝，比傳統(tǒng)SMC封裝的占位面積小27%。SMPC系列的峰值前向浪涌電流高達200A，工作溫度為-55℃～+105℃。 　　TVS器件可用來保護通信和普通應(yīng)用中的敏感設(shè)備，
  • 關(guān)鍵字： Vishay  TVS  瞬態(tài)電壓抑制器  

Vishay 推出循環(huán)壽命長達兩百萬次的面板電位計

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款經(jīng)濟、長壽命的面板電位計 --- P11L，該電位計具有四種模塊和12.5mm的緊湊外形。 　　標(biāo)準(zhǔn)的低成本面板電位計的循環(huán)壽命只有50000次，而Vishay的P11L的壽命則長達2百萬次循環(huán)。對設(shè)計者來說，P11L的長壽命可減少對替換零件的需求，提高可靠性和降低維護成本。 　　Vishay的這款多功能面板電位計針對焊接機、空調(diào)單元、加工機械、醫(yī)療系統(tǒng)、X光設(shè)備、卡車和拖車，以及軍用和航天系統(tǒng)中的CMOS放大器增益、
  • 關(guān)鍵字： Vishay  電位計  P11L  

Vishay推出一系列新型高可靠性鋁電解電容器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高容值、高紋波電流，并可在+105℃高溫下工作的徑向鋁電容器 --- 142 RHS系列。 　　142 RHS系列提供從5mm x 11mm至18mm x 40mm的15種外形尺寸，105℃的最高溫度等級使器件能在更高的溫度下工作，或是具有比標(biāo)準(zhǔn)的85℃系列更長的器件壽命。其他特性包括在105℃下高達3100A的額定紋波電流，在10V～450V電壓范圍內(nèi)的容值為1μF～22,000μF。 　　做為一款采用非固態(tài)電解
  • 關(guān)鍵字： Vishay  電容  
共564條 31/38 |‹ « 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 »

vishay介紹

威世（VISHAY）集團成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計算機 [ 查看詳細 ]

熱門主題

Vishay    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473